O’zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

Valent zona — qattiq jismdagi valent elektronlar bilan toʻlgan ruxsat etilgan elektron holatlarning eng yuqori sohasi. Yarimoʻtkazgichlarda temperatura T=OK da valent zona butunlay toʻlgan boʻladi. Ushbu holda valent zonadagi elektronlar tashqi maydonlar taʼsirida paydo boʻladigan elektr oʻtkazuvchanlik va b. kinetik effektlarda ishtirok etmaydi. TOK temperaturada (T temperatura O K ga teng boʻlmaganda) zaryad tashuvchilarning issiqlik generatsiyasi yuz beradi va natijada elektronlarning bir qismi oʻtkazuvchanlik zonasiga yoki taʼqiqpangan zonadagi kirishma sathlariga oʻtadi. Bunda valent zonada kovaklar hosil boʻladi va elektr toki hosil qilishda ishtirok etadi. V.z. tushunchasi yarimoʻtkazgichlar va dielektriklar fizikasida qoʻllaniladi.

Tunnel va o’girilgan diodlar.

Tunnel va o’girilgan diodlar.

Reja:

1.Diod va uning turlari.

2.O’tа yuqori chastotalarda ishlovchi diodlar.

3. Uchib o'tish chastotasi va uchib o'tish rejimi.

Tunnel diod deb, aynigan yarimo'tkazgichlar asosida hosil qilingan, teskari va kichik to'g'ri kuchlanish ta’sirida zaryad tashuvchilarning tunellashuvi hamda VAXsining to'g'ri shoxobchasida manfiy differensial qarshilikli soha kuzatiladigan elektron asboblarga aytiladi. Tunnel diodlar tuzilishi boshqa diodlamikidan deyarli farq qilmaydi, lekin ulami hosil qilish uchun kiritmalar konsentratsiyasi 1020 s n r 3ni tashkil etuvchi yarimo'tkazgichlardan (GaAs yoki Ge) foydalaniladi. Agar tunnel diodga to‘g‘ri yo'nalishda kichik kuchlanish berilsa, elektronlar o'tkazuvchanlik zonadan qarshisidagi valent zonaning bo'sh sathlariga tunnel ravishda o'tadi . To'g'ri siljituvchi kuchlanish qiymati ortishi bilan to'g'ri tunnel tok ortib boradi va o'tkazuvchanlik zonadagi elektronlarning maksimal konsentratsiyasi valent zonadagi bo'sh sathlaming maksimal soniga teng bo'lganda eng yuqori qiymatga erishadi.

To'g'ri siljituvchi kuchlanish qiymati yana ham ortishi bilan Wc va Wv sathlarning bir-birini qoplashi kamayadi, natijada tunnel tok qiymati kamayadi, Wc sath Wv sathning ro'parasiga kelganda elektronlarning tunnellashuvi to'xtaydi Bunda to'g'ri tok nolgacha kamaymaydi, chunki to'g'ri siljituvchi kuchlanish qiymati ortishi bilan diffuziya toki orta boshlaydi. VAX nochiziqli bo'lganda, uning har bir kichik sohasi to'g'ri chiziq sifatida qaralib, xarakteristikaning ushbu nuqtasi uchun differensial qarshilik kiritiladi RD = dU / d l ■ Agar xarakteristikada kuchlanish ortishi bilan tok kamayadigan (tushuvchi) soha mavjud bo'lsa, ushbu sohada differensial qarshilik manfiy {RD<0) qiymatlarga ega bo'ladi. Tunnel diod VAXi . Xarakteristikaning AB sohasi manfiy differensial qarshilikka egaligi bilan ifodalanadi. Agar tunnel diod elektr zanjir tebranish konturiga ulansa, kontur parametrlari va manfiy differensial qarshilikning qiymatlari orasidagi ma’lum munosabatlarda ushbu zanjirda signallarni kuchaytirish yoki generatsiyalash imkoniyati yuzaga keladi.