|
М18
Maydoniy tranzistorlar (MT)
|
| bet | 9/14 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 74.15 Kb. | | #143175 |
Bog'liq 1696652676 (4) 1-Detline, мастреларни укув юкламаси Norboyev, mth12345, 01.11.2023 - 06.11.2023, 2 МАЪРУЗА (2), Mamadiyorova T, rr8dp8ncbko99wpenf2fc58cndxhpa6g, Minerallarning xossalari Ergashev Umidjon-www.fayllar.org, Mavzu XVII asrdan XIX asrning yarmigacha tarbiya, maktab va ped-fayllar.org, Samarqand davlat universiteti, 2. Geografik qobiqning chegaralari. Geografik qobiqning asosiy x-fayllar.org, 1-topshiriqМ18
|
Maydoniy tranzistorlar (MT).
- MTlar haqida ma’lumotlar;
- Mtlar turlari va belgilanishlari;
- p-n o‘tish bilan boshqariladigan MTlar;
- kanalli induksiyalangan va kanali qurilgan MDYa-tranzistorlarning tuzilishi va ishlash printsiplari;
- MTlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari, ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi;
-MTlar qo‘llanilish sohalari.
-O‘YuCh MDYa tranzistor chastota va quvvat bo’yicha cheklanishlari.
|
2
|
М19
|
Maydoniy tranzistorlar (MT).
- MTlar haqida ma’lumotlar;
- Mtlar turlari va belgilanishlari;
- p-n o‘tish bilan boshqariladigan MTlar;
- kanalli induksiyalangan va kanali qurilgan MDYa-tranzistorlarning tuzilishi va ishlash printsiplari;
- MTlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlari, ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi;
-MTlar qo‘llanilish sohalari.
-O‘YuCh MDYa tranzistor chastota va quvvat bo’yicha cheklanishlari.
|
2
|
М20
|
Integral mikrosxemalar.
- Umumiy ma’lumotlar;
- Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operasiyalar;
- Integral diodlar va ularni tayyorlash;
-BTlar asosidagi integral mikrosxemalar, ularni tayyorlash texnologiyasi;
-MDYa tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalar, ularni tayyorlash.
- Integral sxemalar passiv elementlari.
- NanoElektronika va uning rivojlanish istiqbollari.
|
2
|
|
|
| |
