|
O`zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari vaBog'liq Differensial kuchaytirgich7.3 DK asosiy parametrlari.
Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining
aniqlik parametrlari
bilan
xarakterlanadilar.
Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi
U
SIL
xizmat
qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan
kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar
assimmetriyasi hisobiga k
irishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir
kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin.
Turli DKlarda U
SIL
qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin.
U
SIL
ning temperaturaga
bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liq
lik
temperatura sezgirlik
ε
U
=0,05-
70 mV/
0
S bilan ifodalanadi.
DKning yana bir aniqlik parametri
–
siljitish toki
Δ
I
SIL
dir. U
kirish toklari
ayirmasi
dan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan
nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish to
ki signal manbai qarshiligi R
G
orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar Δ
I
SIL
= 20 nA va R
G
=
100 kOm
bo‘lsa
,
Δ
I
SIL
· R
G
=2 mV ni tashkil etadi.
O‘rtacha kirish toki
I
KIR.O‘RT
ham DKning aniqlik parametrlaridan
hisoblanadi. O‘rtacha
kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli
DK larda 1÷7·10
3
nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi R
G
orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi
sinfaz signaldek tutadi. K
U.SF
m
arta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida
yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi R
K
yuklama
qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada
R
K
qiymatining ortishi bilan,
kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda,
kuchlanish manbai qiymati ham ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish
koeffitsiyentini oshirish uchun, R
K
rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv)
yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar yoki maydoniy
tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan
DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p
–
n
–
p turli VT3 va VT4
tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini
belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.
7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi.
BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta
kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi,
|
| |
