O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH
VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
SAMARQAND FILIALI
TELEKOMMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARI VA KASB TA’LIMI FAKULTETI Sirtqi bo’limi
Elektronika va sxemalar 1
FANIDAN
Amaliy ish
Bajardi: Mirzamurodova F
Qabul qildi: URINOV J.
Samarqand -2023
1-Amaliy ish
Yarimo‘tkazgichli germaniy va kremniy diodlari parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Yarimo‘tkazgichli diod Volt-amper xarakteristikasi (VAX) asosida ularning parametrlarini hamda asosiy fizik xossalarini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
1. Laboratoriya ishini bajarishdan avval sxema (8.1-rasm), o‘lchash usullari, qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqish kerak.
1- rasm. Yarimo‘tkazgichli diod VAXsining to‘g‘ri shohobchasini (VAX) o‘lchash prinspial sxemasi
2. Yarim o‘tkazgichli diod VAXsining to‘g‘ri shohobchasi ni o‘lchang (1-rasm va 2-rasm). Tajribani ikki turdagi-germaniyli va kremniyli diodlar uchun bajaring va
1-jadvalga o‘lchangan qiymatlarni yozib oling.
ULS bajarilish tartibi
1-jadval.
O‘lchash
|
|
0
|
0,2
|
0,4
|
0,6
|
0,8
|
1
|
2
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
|
0
|
0.091
|
0.279
|
0.484
|
0.963
|
0.905
|
1.982
|
4.159
|
6.345
|
8.534
|
0.011
|
0.013
|
0.015
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Hisoblash uchun berilgan qiymatlar
8.2-jadval
Stend №
|
O‘lch. birlik.
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
16
|
Ryu
|
Ω
|
510
|
560
|
620
|
680
|
750
|
820
|
910
|
1000
|
510
|
560
|
620
|
680
|
750
|
820
|
910
|
1000
|
8.3. 8.1-jadvaldan foydalanib yarimo‘tkazgichli diodning asosiy parametrlari quydagi formulalar asosida hisoblanadi:
(8.1)
(8.2)
Uappr-approksimatsiya kuchlanishini hisoblash uchun quydagi matematik formulalardan foydalaniladi:
(8.3)
(8.4)
(8.5)
8.4. Yarimo‘tkazgichli diod VAXsining teskari shohobchasini o‘lchash uchun 8.3-rasmda keltirilgan sxema yig‘iladi.
8.2-jadval
|
0
|
-0,5
|
-1
|
-2
|
-3
|
-4
|
-5
|
-6
|
-7
|
-8
|
-9
|
-10
|
|
0
|
-0.999
|
-1.110
|
-1.332
|
-0.888
|
-0.888
|
-0.888
|
-0.888
|
-1.776
|
-1.776
|
-1.776
|
-1.776
|
8.6. 8.1 va 8.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash va hisoblash natijalari asosida , , , va
Xulosa
Men ushbu labaratoriya topshirig’ini bajarish davomda Yarimo‘tkazgichli germaniy va kremniy diodlari parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etishni qanday vazifalar bajarishini ` va ularni o’zgartirish va boshqa amallarni bajarishni o’rgandim
2-amaliy ish
Mavzu: UE ULANISH SXEMASIDAGI BTNI STATIK VAXLARINI
TADQIQ ETISH.
Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich sxemasi parametrlarini o‘lchash.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi.
2.1-rasm. UE sxemasidagi BTda bajarilgan sodda kuchaytirgich sxemasi.
Tranzistor aktiv rejimda ishlaydi. RB va RK rezistorlar o‘zgarmas tok bo‘yicha ish rejimini ta’minlaydilar. Bu vaqtda RB yordamida baza tokining o‘zgarmas tashkil etuvchisi o‘rnatiladi.
, (2.1)
demak, kollektor toki ham
, (2.2)
RK rezistor kollektor toki o‘zgaruvchan tashkil etuvchisini kuchlanish manbai orqali qisqa tutashuvdan himoya qiladi. RK>>RYu bo‘lishi tavsiya etiladi. Bir vaqtning o‘zida RK kattaligi kollektordagi kuchlanish o‘zgarmas tashkil etuvchisiga ta’sir ko‘rsatadi, chunki
. (2.3)
Berilgan EK va RK qiymatlarida o‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor ishchi nuqtasi ikkita parametr bilan emas, balki bitta parametr IB (0) yoki IK(0) yoki UKE(0) orqali beriladi. O‘lchashda UKE(0) dan foydalangan qulay.
Signal manbai uG va yuklama o‘zgarmas tok rejimida tranzistorga ta’sir ko‘rsatmasligi uchun, UBE(0) ishchi diapazonda kichik qarshiliklarga ega bo‘lgan bo‘luvchi kondensatorlar SB va SK ulanishi kerak.
Kuchaytirgich bosqichi asosiy parametrlarini hisoblash uchun quyidagi formulalardan foydalanish mumkin:
; (2.4)
Bu yerda ; .
Emitter zanjirida manfiy teskari aloqa yuzaga keltiruvchi RE rezistor mavjud bo‘lganda
; (2.5)
Stend N
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
E1 Volt (V)
|
1
|
1.1
|
1.2
|
1.3
|
1.4
|
1.5
|
1.6
|
1.7
|
1.8
|
1.9
|
2
|
2.1
|
2.2
|
2.3
|
2.4
|
E2 Volt (V)
|
3.5
|
4
|
4.5
|
5
|
5.5
|
6
|
6.5
|
7
|
7.5
|
8
|
8.5
|
9
|
9.5
|
5
|
6
|
Stend N
|
16
|
17
|
18
|
19
|
20
|
21
|
22
|
23
|
24
|
25
|
26
|
27
|
28
|
29
|
30
|
E1 Volt (V)
|
1
|
1.1
|
1.2
|
1.3
|
1.4
|
1.5
|
1.6
|
1.7
|
1.8
|
1.9
|
2
|
2.1
|
2.2
|
2.3
|
2.4
|
E2 Volt (V)
|
9
|
8.5
|
8
|
7
|
6.5
|
6
|
5.5
|
5
|
4.5
|
4
|
3.5
|
3
|
2.5
|
4
|
4.3
|
1-variant
R1
|
2-variant
R1
|
3-variant
R1
|
4-variant
R1
|
5-variant
R1
|
6-variant
R1
|
7-variant
R1
|
8-variant
R1
|
9-variant
R1
|
10-variant
R1
|
1
|
1.1
|
1
|
1.2
|
1
|
1.3
|
1
|
1.5
|
1
|
1.6
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
R2
|
1.1
|
1
|
1.2
|
1
|
1.3
|
1
|
1.5
|
1
|
1.6
|
1
|
Xulosa
Men ushbu labaratoriya topshirig’ini bajarish davomda Ue ulanish sxemasidagi btni statik vaxlarini tadqiq etish va ularni o’zgartirish va boshqa amallarni bajarishni o’rgandim
3-amaliy ish
UB ULANISH SXEMASIDAGI BTNI STATIK VAXLARINI
TADQIQ ETISH.
Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy
statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik
tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy baza ulanish sxemasida
mustaqil o’zgaruvchilar sifatida emitter toki iE va kollektor – baza kuchlanishi uКB tanlanadi, shunda:
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi
tasvirlanadi.
Quvvat bo‘yicha: – kam quvvatli – 0,3 Vt gacha; o‘rta quvvatli 0,3÷1,5 Vt; katta quvvatli – 1,5 Vt dan yuqori guruhlarga ajratiladi.
Nanosekund diapazonida katta quvvatli impulslarni hosil qilishga mo‘ljallangan ko‘chkili tranzistorlar BTlarning yana bir turini tashkil etadi.
Tuzilishi bo‘yicha BTlar ko‘p emitterli (KET), ko‘p kollektorli (KKT) va
tarkibiy (Darlington va Shiklai) tranzistorlari bo‘ladi.
BT kirishiga berilgan signal quvvat bo‘yicha kuchaytiriladi. Buning uchun uni o‘zgartiriladigan signal zanjiriga UC (kirish yoki boshqaruvchi) hamda kuchaytirilgan RYu (chiqish yoki boshqariluvchi) signal zanjiriga ulanadi.
BTni beshta asosiy ish rejimi mavjud.
Agar tashqi kuchlanish manbalari (UEB,UKB) yordamida EO‘ to‘g‘ri yo‘nalishda, KO‘ esa teskari yo‘nalishda siljitilsa, u holda, BT aktiv (normal) rejimda ishlaydi. Bu rejim analog sxemotexnikada keng qo‘llaniladi.
Agar EO‘ teskari yo‘nalishda, KO‘ esa to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilgan bo‘lsa, BT invers (teskari) rejimda ishlaydi.
Agar emitter va kollektor o‘tishlar to‘g‘ri siljitilgan bo‘lsa, BT to‘yinish, teskari siljitilgan bo‘lsa, berk rejimda ishlaydi. Bu rejimlar raqamli sxemotexnikada keng qo‘llaniladi. EO‘ to‘g‘ri siljitilganda KO‘da EYuK hosil bo‘lsa, BT injeksiya – voltaik rejimda ishlaydi.
BTning yana bir rejimi bo‘lib, u teskari siljitilgan KO‘ga yuqori kuchlanishlar yoki temperatura ta’sir etganda yuzaga keladi. Bu rejim teshilish rejimi deb ataladi. Ko‘chkili tranzistorlar elektr teshilish hisobiga ishlaydi.
BTda elektrodlar uchta bo‘lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB); umumiy emitter (UE); umumiy kollektor (UK) (12.1-rasm). Bunda BT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o‘zgaruvchan tok (signal) bo‘yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning 12.1-rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.
Hisoblashlar
|
IEb(mA)
|
0
|
-1
|
-2
|
-3
|
-4
|
-5
|
-6
|
-7
|
-8
|
-9
|
-10
|
-12
|
-14
| |
UEb
|
0
|
-0,56
|
-0,9
|
0,72
|
-0,74
|
-0,75
|
-0,76
|
-0,77
|
-0,78
|
-0,79
|
-0,8
|
-0,82
|
-0,83
|
|
IEb(mA)
|
0
|
-1
|
-2
|
-3
|
-4
|
-5
|
-6
|
-7
|
-8
|
-9
|
-10
|
-12
|
-14
| |
UEb
|
0
|
-0,63
|
-0,65
|
-0,68
|
-0,71
|
-0,73
|
-0,74
|
-0,76
|
-0,77
|
-0,78
|
-0,79
|
-0,8
|
-0,82
|
|
Ik,(mA)
|
0
|
1
|
2
|
2,5
|
3
|
4
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
| |
UKB,V
|
-0,74
|
-0,73
|
-0,71
|
-0,69
|
-0,62
|
-0,6
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ik,(mA
|
0
|
1
|
2
|
2,5
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
|
|
|
| |
UKB,V
|
-0,78
|
-0,77
|
-0,76
|
-0,75
|
-0,74
|
-0,74
|
-0,72
|
-0,71
|
-0,68
|
|
|
|
|
|
Ik,(mA
|
0
|
1
|
2
|
2,5
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11,9
| |
UKB,V
|
0
|
-0,81
|
-0,8
|
-0,79
|
-0,78
|
-0,78
|
-0,77
|
-0,76
|
-0,75
|
-0,73
|
-0,72
|
-0,7
|
-0,66
|
Xulosa
Men bu laboratoriya ishini qilish jarayoida Bipolyar tranzistorning voltamper xarektristakasini tadqiq qilishni o’rgandim.Birinchi qismda tok kuchini o;zgartirib Ueb ning qiymatlari hisoblandi.Natijalar asosida dasturi yordamida chizildi.Bundan tashqari h parametrning qiymatlari hisoblab topildi
|
