3. Kuchaytirgichning chastota xarakteristikalarini qurish........................................18
3.1 Kuchaytirgichning buzilishini baholash.................................................................28
Xulosa..........................................................................................................................30
Foydalanilgan manbalar ro'yxati...............................................................................31
KIRISH
“Umumiy elektrotexnika va elektronika” fanidan Individual loyihaning maqsadi bipolyar va dala effektli tranzistorlar asosida zamonaviy kuchaytirgichlarni hisoblash bo‘yicha mustaqil ko‘nikmalarni egallashdan iborat.
Radioelektron asbob-uskunalarni loyihalashda muhim vazifa - elektr signallarini tok, kuchlanish yoki quvvat bilan kerakli qiymatga qadar kuchaytirish va shuning uchun kuchaytirgichlar nazariyasini va ularni hisoblash usullarini ishlab chiqish.
Kuchaytirgichlarni hisoblashda asosiy vazifa shu kabi maqsadlar uchun kuchaytirgichlarning sxemalarini qiyosiy tahlil qilishdir. Bundan tashqari, kuchaytirish texnologiyasi va zamonaviy element bazasining so'nggi yutuqlarini hisobga olish kerak.
1. BIPOLYAR TRANZISTORLARDA YIG’ILGAN KUCHAYTIRGICHNING ELEKTR ZANJIRINING TAVSIFI
OE bilan bipolyar tranzistorga asoslangan kuchaytirgich bosqichining sxemasi 1-rasmda ko'rsatilgan.
Kuchaytirish bosqichi NPN tipidagi bipolyar tranzistordan qilingan. Kirish signali manbai Ec kuchaytirgich kirishiga ulangan, uning ichki qarshiligi Ri. Cp1 va Cp2 kondansatkichlari kuchaytirgichning ish rejimini to'g'ridan-to'g'ri oqim bilan ajratish uchun mo'ljallangan va o'zgaruvchan signalning to'g'ridan-to'g'ri komponentining o'tishiga yo'l qo'ymaydi. Rb1 va Rb2 rezistorlari tranzistorli kirishda kuchlanish bo'luvchisini tashkil qiladi, tranzistorning chiqish xarakteristikalarida yuk chizig'idagi tranzistor ish nuqtasining o'rnini belgilaydigan kuchlanish kuchlanishini hosil qiladi. Rezistor Rk doimiy kollektor pallasida yuk bo'lib, kuchaytirgich bosqichining chiqish qarshiligini va kuchlanishning KU kuchayishini aniqlaydi. Rk qiymati ortishi bilan (ma'lum chegaragacha) KU koeffitsienti ortadi.
1-rasm - OE bilan kuchaytirgich bosqichining diagrammasi
Tranzistorning ish nuqtasini termal barqarorlashtirish uchun Re rezistori orqali hosil bo'lgan ketma-ket salbiy oqim teskari aloqasi qo'llaniladi. Ce kondansatörü manevr kondansatörü bo'lib, u o'zgaruvchan komponent bo'yicha kaskadning daromadini oshirishga, shuningdek kuchaytirgichning chastotali javobini shakllantirishga xizmat qiladi.
kirish kuchlanishiga nisbatan p burchakka o'zgaradi . OEga ega kuchaytirgich oqim, kuchlanish va quvvat jihatidan kirish signalini kuchaytiradi. Kaskadning kirish qarshiligi Rb1, Rb2 qarshiliklari va h11 tranzistorining kirish qarshiligi bilan aniqlanadi. Kaskadning chiqish empedansi kollektor qarshiligiga bog'liq
tashqariga ≈ Rk ≈ 1/h22.
Kuchlanishning kuchayishi chiqish kuchlanishining kirishga bog'liqligi bilan aniqlanadi
=Uout/Uin.
b asosida hisoblanadi
k= b I b.
Kuchaytirgichning chastotali xususiyatlari asosiy tranzistorning chastota xususiyatlariga, signal manbasining chiqish empedansiga va yukga bog'liq.
Kuchaytirgich bosqichining chiziqli bo'lmagan buzilishlari kirishdagi generatorning ichki qarshiligi, yuk qarshiligi va chiqish signalining amplituda darajasi bilan aniqlanadi.
Bipolyar tranzistorlarga asoslangan kuchaytirish bosqichlari kuchaytirgichning dastlabki bosqichlarida eng keng tarqalgan bo'lib qo'llaniladi, chunki ular oqim va kuchlanishni kuchaytiradi va shuning uchun quvvat jihatidan signalni kuchaytirishni ta'minlaydi.
|
