|
Raqamli qurilmalarni loyixalashga kirish Mustaqil ishi Guruh: 210-18 Bajardi: Khoshimov Mirzohid Tekshirdi: Shodiyor Xolmonov Toshkent 2020
|
| Sana | 13.11.2023 | | Hajmi | 3.08 Kb. | | #98124 |
Bog'liq Mustaqil ishi Guruh 210-18 Bajardi Khoshimov Mirzohid Tekshird-fayllar.org jFiVXHd0w83iO8gWuYghLGhz8P64pVOIwqFhIzXb (1), Maydoniy transistor-azkurs.org, Maydoniy transistor
Mustaqil ishi Guruh: 210-18 Bajardi: Khoshimov Mirzohid Tekshirdi: Shodiyor Xolmonov Toshkent 2020
Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Fan nomi: Raqamli qurilmalarni loyixalashga kirish
Mustaqil ishi
Guruh:210-18
Bajardi: Khoshimov Mirzohid
Tekshirdi: Shodiyor Xolmonov
Toshkent 2020
Reja:
1. Kirish qismi:
MDYa tranzistorlari va ular asosidagi invertor sxemasi xaqida asosiy taʼrif va tushunchalar.
2. Аsosiy qism:
1. Variant boʼyicha berilgan sxemaning chizmasi.
2. Sxemaning haqiqiylik (holat) jadvali.
3. Sxemani Mulьtisim dasturidagi chizmasi va uning ishlashini xaqiqiylik jadvaliga asosan tekshirish.
3. Yakuniy qismi
Xulosa.
Foydalanilgan adabiyotlar.
Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya-vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Ushbu kashfiyot uchun Kanada (1925-yil 22-oktabrda) va Germaniyada (1928-yilda) patent olgan.
1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi.
1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS strukturasi deyiladi (Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor).
XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan yetakchilikni tortib oldi.
Savollar:
http://fayllar.org
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Raqamli qurilmalarni loyixalashga kirish Mustaqil ishi Guruh: 210-18 Bajardi: Khoshimov Mirzohid Tekshirdi: Shodiyor Xolmonov Toshkent 2020
|
