|
Канали қурилган МДЯ - транзисторлар
|
| bet | 4/4 | | Sana | 13.06.2024 | | Hajmi | 87,67 Kb. | | #263489 |
Bog'liq Майдоний транзисторлар 5. Канали қурилган МДЯ - транзисторлар
5.7 –расмда n – турдаги канали қурилган МДЯ транзистор тузилмаси (а) ва унинг шартли белгиси (б) келтирилган.
Агар UЗИ = 0 бўлганда UСИ кучланиш ўрнатилса, у ҳолда канал орқали электронлар ҳисобига ток оқиб ўтади. Затворга истокка нисбатан манфий кучланиш берилса, каналда кўндаланг электр майдон юзага келади ва унинг таъсирида каналдан электронлар итариб чиқариладилар. Канал электронлар билан камбағаллашиб боради, унинг қаршилиги ортади ва сток токи камаяди. Затвордаги манфий кулчланиш қанча катта бўлса, бу ток шунча кичик бўлади. Транзисторнинг бундай режими кабағаллашиш режими деб аталади.
Агар затворга мусбат кучланиш таъсир эттирилса, ҳосил бўлган электр майдони таъсирида, исток ва сток, ҳамда кристаллдан каналга электронлар кела бошлайдилар, каналнинг ўтказувчанлиги ва шу билан бирга сток токи ортиб боради. Бу режим бойиш режими деб аталади.
Кўриб ўтилган жараёнлар 5.8 а – расмда келтирилган статик сток – затвор характеристикада: UСИ=const бўлгандаги IС= f (UЗИ) билан ифода-ланган.
0 бўлганда транзистор бойиш режимида, 0 бўлганда эса камбағаллашиш режимида ишлайди.
а) б)
5.7 – расм.
Бойиш режимида сток характеристикалари UЗИ = 0 да олинган бошланғич характеристикадан - юқорида, камбағаллашиш режимида эса – пастда жойлашади (5.8 б- расм).
а) б)
5.8 – расм.
S, Ri ва статик дифференциал параметрлар худди р–n –ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардаги (5.4), (5.5) ва (5.6) ифодалардан мос равишда аниқланади.
Характеристика тиклиги ва ички қаршилик барча турдаги майдоний транзисторлардаги каби қийматларга эга бўлади. Кириш қаршилиги ва электродлараро сиғимларга келсак, МДЯ – транзисторлар р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардагига нисбатан яхши кўрсаткичларга эга. RЗИ кириш қаршилиги бир неча даражага юқори бўлиб 1012-1015 Ом ни ташкил этади. Электродлараро сиғимлар қиймати СЗИ, ССИ лар учун -10 пФ дан, СЗС учун -2 пФ дан ортмайди. Бу кўрсаткичлар транзистор инерциясини белгилайдилар.
Адабиётлар
1. Туляганов А.A. , Туляганова В.A. Електр занжирлар назарияси. X.K. Арипов, А.M. Абдуллаев, Н.B. Алимова, Ж.T.Махсудов, А.A.Туляганов, Ш.T. Тошматов Електроника ва схемотехника Тошкент – 2017
2. N. Ш. ТУРДИЕВ Радиоелектроника асослари
3. A.S.Каримов, М.M.Мирхайдаров Електротехника ва електроника асослари
Хулоса
Майдоний транзисторлар турли электр сигналлар ва қувватни кучайтириш учун мўлжалланган. Майдоний транзисторларда биполяр транзисторлардан фарқли равишда ток ташкил бўлишида фақат бир турдаги заряд ташувчилар иштирок этади: ёки электронлар, ёки коваклар. Шунинг учун улар яна униполяр транзисторлар деб ҳам аталади.
Майдоний транзисторларнинг тузилиши ва канал ўтказувчанлигига кўра икки тури мавжуд: р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор ҳамда металл – диэлектрик – ярим ўтказгичли (МДЯ) тузилишга эга бўлган затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар. Улар МДЯ- транзисторлар деб ҳам аталадилар.
|
| |
