Topshiruvchi: Toxtasinov Sarvar 630-21 Qabul qiluvchi: Tillaboyev Muhiddin mdya tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi Reja

Download 45.52 Kb.
Sana	13.01.2024
Hajmi	45.52 Kb.
	#136258

Bog'liq
MDYa tranzistorlar...
2021, 1111111111111111, biznes rejalashtirish, Ekologiya javoblar, O’zgarmas tоk elеktr mashinalari, 2-topshiriq, Dori vositalari xaqida tushuncha dorilarning boshqa omillar bilan uzaro munosabati, 19-v, Crazy Analysis, Dushanba, 1428591203 61049, Ekonemetrik modellashtirishda qo\'llaniladigan amaliy dasturlar p, Navro\'zbek, MIKROKREDITBANK Ohunjonova, 2 5463176582078152267

5.MDYa tranzistorlar 5.1.Xulosa

Topshiruvchi: Toxtasinov Sarvar 630-21
Qabul qiluvchi:Tillaboyev Muhiddin

MDYa tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari va parametrlarining
ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi
Reja:
1.Tranzistorlar
2.Maydoniy tranzistorlar
3.Maydoniy transistor xarakteristikalari va parametrlari
4. Maydoniy tranzistorlarning ish rejimlari
5.MDYa tranzistorlar
5.1.Xulosa

Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) —

elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi vamaydoniy(unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tiplivan-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashganp-n oʻtishhisobiga ishlaydi va baza
emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli)
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular
kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni
oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar
Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy
tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham
elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid
koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun
William Shockley John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga
tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish
va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli,
elektromagnit releva mexanik uzib-ulagichlarga
ehtiyoj qolmadi.Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq
indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi
belgilanishlar ham ishlatilgan.
MDYa tranzistorlar,
yuqori chastotali elektronik vositalarda ishlatiladigan tranzistorlardir. Bu tranzistorlar, badiiy silikon technologiyasi yordamida ishlab chiqariladi va quyidagi xususiyatlarga ega: yuqori chastota ega bo'lishi, ishlab chiqarishni qulayligi, issiqlikni to'plashning kamligi va kuchli ishonchli tizimlarni ta'minlashi. Bu tranzistorlar tez-tez radiofrekvens (RF) tizimlari, mikrovaldovli tizimlar va boshqa yuqori chastotali elektronik tizimlarda ishlatiladi.
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimiMaykl Faradey
yarimoʻtkazgich material kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi
Karl Ferdinand Braun
metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik
hodisasini aniqladi.1906-yili injenerGrinlif Vitter Pikkard
nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda inglizfizigi Uilyam Ikklz
baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi
mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esaOleg Losev maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi.Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham
kelishgan.Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.

Download 45.52 Kb.