|
-rasm. Varikap (a), stabilitron (b), tunnel diodi (s) ning sxemada belgilanishi va volt-amper xarakteristikasi
|
| bet | 20/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)4.1-rasm. Varikap (a), stabilitron (b), tunnel diodi (s) ning sxemada belgilanishi va volt-amper xarakteristikasi
§ 4.2. Impuls diodlar
Impulsli diod - yuqori chastotali impuls davrlarida ishlash uchun mo’ljallangan diod. Odatda, bu p-n birikmasi bo’lgan yarimo’tkazgichli diod bo’lib, o’z paketining sig’imi, to’siqni sig’imi uchun optimallashtirilgan va teskari qarshilikning qisqa tiklanish vaqtiga ega (diodning bazasida to’g’ridan-to’g’ri oqim bilan to’plangan ozchilik tashuvchilarning rezorbsiyasi).
Ishlab chiqarish jarayonida o’zlarining sig’imlarini kamaytirish uchun ular p-n-birikma maydonini ataylab qisqartiradilar va ozchilik tashuvchilarning ishlash muddatini qisqartirish uchun kuchli aralashmali yarimo’tkazgich materiallari ishlatiladi, masalan, kremniy teskari tiklanish vaqtini qisqartirish uchun oltin bilan qo’shiladi, shuning uchun pulsatsiyalanadi. Diodlar past cheklovli impuls oqimlariga (yuzlab mA gacha) va kichik cheklovchi teskari kuchlanishlarga (o’nlab voltgacha), shuningdek, teskari oqimlarning ortishiga ega. Shuningdek, Schottky-to’siqni almashtirish diodlari ham mavjud.
Kommutatsiya diodining odatiy to’siqli sig’imi bir necha pikofaraddan kamroq va teskari qarshilikni tiklash vaqti odatda 4 ns dan oshmaydi.
Impulsli diodning ishlash prinsipi p-nbirikmasi bilan an’anaviy to’g’rilagich yarimo’tkazgichli diodaning ishlash printsipidan farq qilmaydi, to’g’ridan-to’g’ri kuchlanish qo’llanilganda, diod elektr tokini yaxshi o’tkazadi. Amaldagi kuchlanishning qutblari teskari bo’lganda, diod bloklanadi. Bloklash darhol sodir bo’lmaydi, birinchi navbatda teskari oqimning keskin o’sishi kuzatiladi, keyin ozchilik tashuvchilarning rezorbsiyasidan so’ng, p-n birikmasining yuqori qarshiligi tiklanadi va diod qulflanadi.
Qo’llanilishi. Impulsli diodlar, masalan, mantiqiy davrlarda o’ta tez kommutatsiya qilish davrlarida qo’llaniladi.
Ular, shuningdek, subnanosekundli impulslarni shakllantirishda, masalan, stroboskopik osiloskoplarda strob impulslarini shakllantirishda, tez teskari tiklash diodlari (zaryad to’planishi bilan impulsli diodlar) deb ataladi. Subnanosekundli impulslarni shakllantirish prinsipi ozchilik tashuvchilarning so’rilishidan so’ng teskari qarshilikning tiklanishi juda qisqa vaqt ichida, qutbli teskari frontning davomiyligidan sezilarli darajada qisqaroq sodir bo’lishiga asoslanadi, shuning uchun uzaygan front qisqaradi.
Impulsli diodlar: parametrlar, sxema, qo’llanilishi, belgilanishi, asosiy texnik tavsiflari
|
| |
