«умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш»
ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ
РАҚАМЛИ ТЕХНОЛОГИЯЛАР ВАЗИРЛИГИ
МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ
ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
Электроника ва радиотехника кафедраси
“Электроника ва схемалар 2” фанидан
1- мустақил иш
Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРНИ КИРИШ ВА ЧИҚИШ ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИНИ АНИҚЛАШ»
Тэкширди CAE005 – Егамбэрдиев Маннон
Бажарди:Turg`unpo`latov Islom
Тошкент 2023
24-variant
Мавзу: Мантиқий элементлар ва уларнинг амплитуда узатиш характеристикаси.
Mantiqiy elementlar raqamli sxemalarda VA, YOKI, EMAS va hokazo kabi mantiqiy amallarni bajarish uchun foydalaniladigan elektron komponentlardir. Mantiqiy elementlarning amplitudali uzatish xarakteristikasi ularning maʼlum amplituda darajasidagi signallarni buzilishsiz uzatish qobiliyatini bildiradi.
Umuman olganda, mantiqiy elementlar raqamli signallar bilan ishlashga mo'ljallangan, ya'ni ular ikkilik signallarni (0 yoki 1) uzatadi. Shuning uchun ularning amplitudali uzatish xarakteristikasi odatda kuchlanish darajalari va kuchlanish chegaralari bilan ifodalanadi.
Masalan, mantiqiy eshik 0V dan 5V gacha boʻlgan signallarni qabul qilish va 0V yoki 5V kuchlanish darajasidagi signallarni chiqarish imkonini beruvchi amplitudali uzatish xususiyatiga ega boʻlishi mumkin. Kuchlanish chegarasi chiqish holatini o'zgartirish uchun zarur bo'lgan minimal kirish kuchlanishi va joriy holat sifatida tan olinadigan maksimal kirish kuchlanishi o'rtasidagi farq sifatida belgilanishi mumkin.
Xulosa qilib aytganda, mantiqiy elementlarning amplitudali uzatish xarakteristikasi ularning ma'lum bir kuchlanish darajasidagi raqamli signallarni buzilishsiz yoki xatosiz uzatish qobiliyatini aniqlaydi.
1. BC549BP транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
Вариант
|
Вариантлар
|
Транзистор тури
|
База
сокин
токи Iбс, мкА
|
Манба кучланиши Ек, В
|
Коллектор қаршилиги Rк, Ом
| |
1
|
BC549BP
|
50
|
5
|
600
|
1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
1-жадвал
|
UКЭ=0В
|
UКЭ=10В
| |
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
| |
25
|
605
|
25
|
696
| |
50
|
626
|
50
|
720
| |
75
|
639
|
75
|
735
| |
100
|
577
|
100
|
668
| |
125
|
584
|
125
|
674
| |
150
|
589
|
150
|
680
| |
175
|
594
|
175
|
685
| |
200
|
598
|
200
|
689
| |
250
|
605
|
250
|
696
| |
300
|
611
|
300
|
702
| |
350
|
611
|
350
|
707
| |
400
|
619
|
400
|
712
|
BC549BP Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз
транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги
УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади
Ib = const
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.
BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ)
|
UКЭ
|
IБ=25 мкА бўлганда
IК
|
IБ=50мкА бўлганда
IК
|
IБ=75 мкА бўлганда
IК
|
IБ=100мкА бўлганда
IК
|
IБ=125 мкА бўлганда
IК
|
IБ=150мкА бўлганда
IК
| |
0
|
0.1944
|
0.47502
|
0.89091
|
1.3297
|
1.4853
|
1.854
| |
0,5
|
2.642
|
5.45
|
8.2363
|
11.673
|
12.706
|
14.78
| |
1,0
|
2.864
|
5,937
|
8.6531
|
11.899
|
13.94
|
16.249
| |
2,0
|
3.309
|
6.911
|
11.303
|
13.476
|
16.926
|
18.697
| |
3,0
|
3.754
|
7.885
|
11.897
|
15.452
|
18.873
|
15,733
| |
4,0
|
4.198
|
8.858
|
13.292
|
17.443
|
21.534
|
24.811
| |
5,0
|
4.643
|
9.832
|
15.783
|
19.435
|
23.807
|
27.932
| |
6,0
|
5.178
|
10.366
|
15.987
|
20.626
|
25.273
|
29.852
| |
7,0
|
5.533
|
11.78
|
18.767
|
23.418
|
28.74
|
33.773
| |
8,0
|
5.978
|
12.753
|
19.864
|
25.409
|
31.207
|
36.694
| |
9,0
|
6.422
|
13.727
|
20.567
|
27.401
|
33.673
|
39.614
| |
10
|
7.987
|
15.701
|
23.551
|
28.492
|
36.14
|
42.535
|
2-жадвал
BC549BP Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз
транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги
1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.
BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
“А” нуқтанинг координаталри: Iбс=50 мкА, Uбэ.сок=716 мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:
h11э параметрини график усулда аниқлаш
BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз BC549BP транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ
h12э параметрни график усулда аниқлаш
h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) (Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбс = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 25 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз.
.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.
Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА
Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:
ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА
h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:
h22э параметрини график усулда аниқлаш
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В
Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:
ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА
У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:
1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:
1.4. BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:
http://fayllar.org
| 