Reja: Raqamli ims larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi 2

TT 11-21 guruh 2-bosqich talabasi

Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan
Bajardi: To’xtayev.B
Qabul qildi: Rustamova.M

Reja:
1.Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli

belgilanishi
2. TTM va TTMSH markalanishi va xarakteristikasi
3
.
KMDYa, markalanishi va xarakteristikalari.

Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli 
belgilanishi 
Integralmikrosxema (IMS) ko‘psonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va
ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlash tirishni
(konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o‘zgartirishlar bajarilishini
(sxemotexnik integratsiya); yagonatexnologik siklda, birvaqtn in
go‘zidasxemaning elektroradioelem entlari (E R E ) hosil qilinishini, ulanishlar
amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral
mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya)ni aks ettiradi. IMS, yagona
texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum
funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan E R E lar majmuasidir. IMS
elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati
shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni
kuchaytiri. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun
tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qolda yigish
zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avalam bor
kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir-biri bilan
metallash yo‘li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham , payvand ham
qilinmaydi. Buning natijasida yig‘ish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish
masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab
chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayorlash usuli va bunda
hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch
turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi,
mikrosxem a tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi,
integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi. Element deb ,
konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosidan ajralmaydigan, ERE funksiyasini
bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb , diskret element
funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan awal mustaqil mahsulot bolgan IMSning
bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar
mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, k odensatorlarning
maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik kutubxonasi g‘altaklari va boshqalar
sodda komponentlarga , murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan
tashkil topgan, m asalan, diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi. E lem entlari
yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlam da hosil qilingan mikrosxem alar
yarim o‘tkazgich IM S deb ataladi. Elem entlari dielektrik asos sirtida parda
ko‘rinishida hosil qilingan m ikrosxem alar pardali IMS deb ataladi. P ardalar turli
m ateriallarni past bosim da yupqa qatlam sifatida o ‘tkazish yo‘li bilan hosil
qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga m uvofiq IM
Slarni yupqa pardali (qalinligi 1—2 m km ) va qalin pardali (qalinligi 10 m km dan
yuqori) larga ajratiladi. A dabiyotlarda ko‘p hollarda IM S yozuv o ‘m iga IS deb
yoziladi. H ozirgi kunda pardali diod va tran zisto rlarn in g p aram etrlari barqaror
b‘lm agani sababli, pardali IM Slar faqat passiv elem entlarga (rezistorlar,
kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada elem ent param etrlarining
ruxsat etilgan tarqoqligi 1-^2 % dan oshm aydi. Passiv elem entlar param etrlari va
ularning barqarorligi hal qiluvchi aham iyat kasb etganda bu ju d a m uhim bo‘ladi.

S husabd an pardali IS lar ba’zi filtrlar, faza o‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxem

alar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda ishlatiladi. Gibrid IM S (yoki GIS) deb
um um iy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elem entlar
kom binatsiyasidan iborat m ikrosxem aga aytiladi. D iskret kom ponentlar osm a
deyiladi. G ibrid IMSlar uchun aktiv elem entlar qobiqsiz yoki jajji m etall
qobiqlarda tayyorlanadi. G IS larning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning
nisbatan kichik davrida analog va raqam li m ikrosxem alarning keng sinfini
yaratish im koniyatidan, keng nom enklaturali passiv elem entlar hosil qilish im
koniyatidan (M D Y — asboblar, diodli va tranzistorli m atritsalar) va ishlab ch iq
arila yotganmikrosxemalarda yaroq lilar oizining ko‘pligidan iborat. G IS lar aloqa
apparatlarining qabul qilish. — uzatish tizim larida, yuqori chastotali
kuchaytirgichlarda, OlYCH qurilm alarda va boshqalarda qo'llaniladi. Ishlatilgan
transistor turiga muvofiq yarim o 'tkazg ich integral m ikrosxem alar bipolyar va M
D Y /M Slarga ajratiladi. H ozirgi kunda p — n o 'tish bilan boshqariladigan M T
lar asosida yaratilgan IM S lar katta aham iyat kasb etm oqda. U shbu sinfga
arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida b o ‘lgan M Tlar kiradi. S
o‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham m aydoniy tranzistorlar ishlatilgan IM
Slar ham tayyorlanm oqda. IM Sning funksional m urakkabligi uning tarkibidagi
elem ent va komponentlar soni ko‘rsatuvchi integratsiya arajasi bilan ifodalanadi.
Integratsiya koeffitsienti so n jih atd an K =lgN tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda:
N — sxem a elem entlari va kom ponentlari O ddiy IM Slarga m isol sifatida m
antiq elem entlarni ko‘rsatish m um kin. 0 ‘lSlarga jam lash qurilm asi,
hisoblagichlar, operativ xotira qurilm alari (O X Q ), sig‘im i 256—1024 bit b o
‘lgan do im iy xotira qurilm alari (D X Q ) misol b o ‘la oladi. KISlarga m antiqiy
— arifm etik va boshqaruvchi qurilm alar kiradi. 0 ‘KIS larga 1,9 m illiard M D Y
— tran z isto rla rd a n tashkil to p g an , sig‘im i 294 M B b o ‘lgan xotira m
ikrosxem alari misol bo‘la oladi. Kristaldagi elem entlar joylashuvining zichligi —
birlik yuzaga to ‘g ‘ri keluvchi elem entlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi
sifatining m uhim k o ‘rsatk ich i h iso b lan ad i. T exnologiya d arajasi m in im al
texnologik o'lcham , ya’ni erishish m um kin bo‘lgan eng kichik o ‘lcham bilan
ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o ‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi
masofa bilan xarakterlanadi. IM S lar ishlab ch iq arish texnologiyasini m u k am
m allash tirish jarayonida m inim al texnologik o‘khamAning yillar b o ‘yicha o
‘zgarishi X otira qurilm alarida elem entlar joylashuv zichligi h ar ikki yilda ikki m
arta ortib borayotganini 1965-yilda G ordon M ur bashorat qilgan edi. ushbuni
tasdiqlaydi. Funksional vazifasiga ko‘ra ISlar analog va raqamlMxga bo‘linadi.
Analog lSlarda signal uzluksiz funksiya sifatida o'zgaradi. Eng keng tarqalgan
analog IS — operatsion kuchaytirgichdir. Raqamli ISlar diskret ko‘rinishda
berilgan signallarni o ‘zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi. Integral
mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. B ugungi kunda alohida
mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab ch iqarilmoqda. Bunday
mikrosxemalarga integral mikrosxemalar (IMS) deyiladi. Birinchi IMSlar 1958
yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik,
ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji
G.Mur qonunigа muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi
elemen lar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106÷10 9ta

bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv

va texnologik. Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida
yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqa
joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi. Texnologik belgisi IMS elementlarining
hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lan shlar yagona texnologik siklda
bajariladi. Shu sababli integral miros xemalar yuqori ishonchlilikka va kichik
tannarxga ega. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra
IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har
bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradi gan element va
komponentlar sonini Ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondens ator va
boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki
asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret
element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj
qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos
turi hisoblanadi: - yarim o‘tkazgichli; - dielektrik. Asos sifatida yarim o‘tkazgichli
materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki
elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos
ichida joylashadi