Komplementar MDYa –– tranzistorli elektron kalit. Bir turdagi MDYa –
tranzistorlarda hosil qilingan kalitlarning
kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq
bo‘lgan statik rejimda kalitdan doim tok oqib o‘tadi. Komplementar, ya’ni
o‘tkazuvchanlik kanallari turi qarama-qarshi bo‘lgan MDYa – tranzistorlar asosida
tayyorlangan elektron kalit bu kamchilikdan holi
KMDYa tranzistorli elektron kalit (invertor).
QUE
sifatida n – kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor (VT1), YuE
sifatida esa,
r– kanali induksiyalangan MDYa –tranzistor (VT2) qo‘llanilgan. QUE
sifatida
n – MDYa – tranzistorning asosi kuchlanish manbaining musbat qutbiga,
r–
MDYa – tranzistorning asosi esa, sxemaning umumiy nuqtasiga ulanadi. Kirish
signali ikkala tranzistorning zatvorlariga bir vaqtda beriladi.
Sxema quyidagicha
ishlaydi. Agar
U
KIR
= 0 bo‘lsa, u holda,
U
ZI1
= 0 bo‘ladi, demak,
n – MDYa –
tranzistorda kanal induktsiyalanmaydi, ya’ni tranzistor berk holatda bo‘ladi. Bu
vaqtda VT2 ning zatvorida
<0 bo‘ladi.
Bu vaqtda chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga deyarli teng bo‘ladi:
.
U
KIR
=
Ye
M
bo‘lsin. Uholda,
U
ZI1
>
U
01
,
U
ZI2
= 0 bo‘ladi. Demak,
n – MDYa
tranzistorda kanal induksiyalanadi, ya’ni VT1 ochiq,
r– MDYa tranzistor, ya’ni VT2
esa berk bo‘ladi. Bu vaqtda umumiy zanjirdagi tok avvalgidek
I
QOL
ga teng bo‘ladi.
Kalit chiqishidagi qoldiq kuchlanish (14.1) ifodadan, indekslar o‘rnini almashtirib
aniqlanadi:
mkV.
Qoldiq kuchlanishning kichikligi komplementar kalitlarning afzalligi
hisoblanadi. Sxema ikkala holatda ham quvvat iste’mol
qilmasligi bu kalitlarning
yana bir afzalligi hisoblanadi.
Komplementar MDYa – tranzistorli elektron kalitlarning afzalliklari yuqorida
ko‘rib chiqilgan edi. Bu kalitlarning statik rejimda quvvat iste’moli o‘nlarcha
М
М
КИР
ЗИ
E
E
U
U
2
М
СИ
М
ЧИК
E
U
E
U
2
3
2
)
(
01
1
2
1
U
E
B
I
U
М
КОЛ
КОЛ
nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGts va undan yuqori chastotalarda
ishlashga imkon beradi. MDYa – tranzistorli RISlar ichida komplementar MDYa –
tranzistorli MElar (KMDYa TM) yuqori halaqitbardoshlikka ega bo‘lib, kuchlanish
manbai qiymatining 10÷45%nitashkiletadi. Yana
bir afzalligi kuchlanish
manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki
mantiqiy o‘tish deyarli kuchlanishmanbaiqiymatigateng.
Demak, RISlarkuchlanishmanbaiqiymatiningo‘zgarishigasezgiremas.
KMDYa-
tranzistorliMEdakirishvachiqishsignallariqutblarivasathlarimostushadi,
buesao‘znavbatidaMElarnio‘zarobevositaulashimkoniyatiniberadi.
Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar
qo‘llaniladi, chunki ularda
U
ZI
nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi
(tranzistor berk).
Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv
element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va
yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‘tkazuvchanlik turiga ega bo‘lgan
kanaldan tashkil topgan bo‘lishi mumkin. Aktiv
tranzistor zatvoriga yuqori
potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100
mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.
Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. n – kanali
induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi keltirilgan.
VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan
tranzistorlar asosi qobiqda
qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi
tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. Ye
