|
V2: По умолчанию для Elektronika va sxemalar2 I: ЭваС 2 узб
|
| Sana | 11.06.2024 | | Hajmi | 60,12 Kb. | | #262700 |
V1: top
V2: По умолчанию для Elektronika va sxemalar2
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
+: analog
-: raqamli
-: gibridli
-: diskret
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
+: raqamli
-: analog
-: gibridli
-: implus
I: ЭваС 2 узб
S: ………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
+: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
+: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
+: epitaksiya
-: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …… kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon.
+: termik oksidlash
-: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
+: legirlash
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
+: diffuziya yordamida legirlash
-: ion legirlash
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
+: ion legirlash
-: yemirish
-: zonali eritis
-: diffuziya yordamida legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi.
+: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
-: legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
+: fotolitografiya
-: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
+: pardalar
-: fotolitografiya
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
+: planar
-: planar – epitaksial
-: integral
-: integral
I: ЭваС 2 узб
S: ………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
+: planar – epitaksial
-: planar
-: integral
-: polikristal
I: ЭваС 2 узб
S: …….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
+: integral rezistorlar
-: integral kondensatorlar
-: intergal diodlar
-: integral tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: ……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha ishlatilishi mumkin.
+: integral kondenstorlar
-: integral rezistorlar
-: intergal diodlar
-: integral simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
+: integral diodlar
-: integral tiristorlar
-: integral simistorlar
-: integral varistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p emitterli
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p emitterli
I: ЭваС 2 узб
S: ………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda
+: MDYA
-: Darlington
-: Shottki tranzistor
-: Shiklay
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-MDYA va p-MDYA
-: ko’p emitterli tranzistorlar
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-p-n va p-n-p BT
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-p-n va p-n-p
-: n-MDYA va p-MDYA
-: n-MT va p-MT
-: ko’p emitterli tranzistorlar BT
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: to`yinish
-: berk
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: berk
-: to`yinish
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma ………… deb ataladi.
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………ta’minlashi mumkin
+: ideal tok manbai
-: ideal kuchlanish manbai
-: Real tok manbai
-: Real kuchlanish manbai
I: ЭваС 2 узб
S: Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo’ladi
+: UB
-: UE
-: UK
-: integral diod
I: ЭваС 2 узб
S: temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
+: kollektor - baza
-: baza-emitter
-: kollektor -emitter
-: emitter - kollektor
I: ЭваС 2 узб
S: Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai mavjud
+: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgus
-: chiqish kaskadi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Uilson tok ko’zgusi
-: Uilson tok ko’zgusi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Aktiv tok transformatori
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
+: kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
-: Darlington sxema
-: aktiv tok transformatori sxema
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
+: invers va noinvers
-: invers va taqiqlovchi
-: taqiqlovchi va invers
-: invers va sinxranizatsiyalash
I: ЭваС 2 узб
S: sinfaz signallar:
+: amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari teng va fazalari har xil signallar
-: amplitudalari teng bo`lmagan lekin fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari har xil va fazalari bir xil signallar
I: ЭваС 2 узб
S: …… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
+: sinfaz signallar
-: ikki qutbli signallar
-: nosinfaz signallar
-: implus signallar
I: ЭваС 2 узб
S: Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
+: ikkita
-: uch
-: bir
-: to’rt
I: ЭваС 2 узб
S: Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
+: to’rt
-: ikki
-: uch
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
+: sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: so`ndirish koeffisienti
I: ЭваС 2 узб
S: Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: fototranzistor
-: tristorlar
-: simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - cheksiz katta kuchaytirish koeffisientiga, katta kirish qarshiligi va nolga teng bo’lgan chiqish qarshiligiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng o’tkazish polosasiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
+: h21e
-: h12e
-: h22e
-: h11e
I: ЭваС 2 узб
S: Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida …………dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: bipolyar tranzistor
-: Shotki tranzistor
-: fototranzistor
I: ЭваС 2 узб
S: …………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
+: B
-: A
-: G
-: S
I: ЭваС 2 узб
S: Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning ………… elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
+: baza
-: kollektor
-: emitter
-: qobig`iga
I: ЭваС 2 узб
S: ……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
+: differensial kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallanganqurilma
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
+: ikkita
-: bitta
-: uchta
-: to`rtta
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal 1800 ga siljidi
+: inverslaydigan
-: inverslamaydigan
-: ikki
-: noinvers
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
+: inverslamaydigan
-: inverslaydigan
-: ikki
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
+: uch
-: ikki
-: to`rt
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
+: uch kaskad
-: ikki kaskad
-: bir kaskad
-: kaskad
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish kaskadlarini bog`laydi
+: muvofiqlashtiruvchi kaskadi
-: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgusi sxemasi
-: barqaror kuchlanish generatori
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan aniqlash mumkin
+: tok
-: qarshilik
-: quvvat
-: elektrod
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga nisbatini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: amplituda chastota
-: faza chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: faza chastota
-: amplituda chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar, natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
+: elektr signallar
-: rasmlar
-: shakillar
-: buyruqlar
I: ЭваС 2 узб
S: Axborotni …… usulda uzatish mumkin
+: analog va raqamli
-: modulyatsiya va demodulyatsiya
-: invers va noinvers
-: sinxron va nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, unga proporsional bo’lgan bir signal ko’rinishida ifodalanadi.
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, har biri berilgan kattalikning bitta raqamiga mos keluvchi bir nechta signallar ketma – ketligi ko’rinishida ifodalanadi
+: raqamli
-: uzluksiz
-: analog
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: ………… elektron qurilma uzluksiz signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan
+: analog
-: raqamli
-: operatsion
-: gibrid
I: ЭваС 2 узб
S: Analog elektron qurilma ………signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan elektron qurilmalar
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …. analog elektron qurilmalar kamchiligi
+: xalaqitbardoshlikning kichikligi
-: xalaqitbardoshlikning kattaligi
-: xalaqitbardoshlikning cheksizligi
-: xalaqitbardoshlikning o`ta kattaligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog elektron qurilmalar kamchiligi bu….
+: axborotlarni uzoq muddat saqlashning murakkabligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning osonligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning imkoni yo`qligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning talabi yo`qligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog ko’rinishdagi birlamchi axborotlarni raqamli usullarda qayta ishlash uchun …….. lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: analog signalni raqamli signalga o`zgartirish uchun …… lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Uzluksiz signalni ma’lum nuqtalardagi qiymatlari bilan almashtirishga ……….deyiladi.
+: kvantlash
-: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash natijasida signal ixtiyoriy emas, balki aniq, ………. deb ataluvchi qiymatlarni oladi
+: diskret
-: analog
-: bir
-: bir hil
I: ЭваС 2 узб
S: Analog signallarni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar –……… deb ataladi
+: disrket elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….ni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar – disrket elektron qurilmalar deb ataladi
+: analog signallar
-: raqamli signallar
-: diskret signallar
-: kvant signallar
I: ЭваС 2 узб
S: ................da birlamchi signal vaqt bo’yicha kvantlanadi va odatda o’zgarmas chastotadagi impulslar ketma – ketligiga o’zgartiriladi.
+: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab …….. elektron qurilmalar impulsli, releyli va raqamli guruhga bo’linadi
+: disrket
-: analog
-: uzluksiz
-: operatsion
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab disrket elektron qurilmalar uch guruhga bo’linadi: ………
+: impulsli, releyli va raqamli
-: impulsli, analog va raqamli
-: analog, releyli va raqamli
-: analog, uzluksiz va raqamli
I: ЭваС 2 узб
S: …………… birlamchi analog signalni zinasimon funksiyaga o’zgartiradi.
+: releyli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: kvantlangan signal bir necha elementar signallardan tuzilgan shartli kombinatsiyalar ko’rinishida ifodalash ……….. deb atalad
+: kodlash
-: kvantlash
-: raqamlash
-: saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Kodlash turli ma’lumotlar (harflar, tovushlar, ranglar, komandalar va boshqalar)ni ma’lum standart shaklda, masalan ………. simvollari ko’rinishida ifodalash imkonini beradi.
+: ikkilik
-: uchlik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
I: ЭваС 2 узб
S: ………sanoq tizimida ixtiyoriy sonni 0 yoki 1 raqamlari yordamida yozish mumkin ekan
+: ikkilik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
-: o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: Kichik asosga ega bo’lgan sanoq tizimidan katta asosga ega bo’lgan sanoq tizimiga o’tish
+: mumkin
-: bo`lmaydi
-: noaniq
-: aniq emas
I: ЭваС 2 узб
S: Hisoblash va axborot texnikasi evolusiyasi qurilmalar o’rtasida axborot almashinish uchun ……. – bitli kattalikni paydo qildi
+: 8
-: 2
-: 4
-: 16
I: ЭваС 2 узб
S: 8 – bitli katalik ….. deb ataladi.
+: bayt
-: bit
-: kilobit
-: kilobayt
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: inversiya
-: ko`paytirish
-: bo`lish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy qo’shish bu ….
+: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI -EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy ko’paytirish bu ….
+: HAM amali
-: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: Funksiya qiymatlarini ifodalovchi jadval ………. jadvali deb ataladi.
+: haqiqiylik
-: to`liq
-: aniq
-: noaniq
I: ЭваС 2 узб
S: Bir funksiya argumentlarini boshqa funksiya argumentlari bilan almashtirish amali …………. deb ataladi.
+: superpoztsiya
-: distributlik
-: assotsiativlik
-: aksiomalar
I: ЭваС 2 узб
S: ………………..da birlamchi analog signal ham vaqt bo’yicha, ham kattaligi bo’yicha kvantlanadi.
+: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. – integral elektron qurilma bo’lib, raqamli signal ko’rinishida berilgan axborotlarni talab etilgan holda o’zgartirishga mo’ljallangan.
+: raqamli itegral sxema
-: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: …………… yordamida axborotni yozish va o’qish, o’chirish va qayta tiklash, hamda saqlanayotgan axborotni indikatsiya qilish mumkin.
+: triggerlar
-: operatsion kuchaytirgich
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Sanoq tizimlarining …….. turlari mavjud
+: pozitsion va nopozitsion
-: invers va noinvers
-: real va noreal
-: ikkilik va o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: …………deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi
+: mantiqiy element
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
-: indikatorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlash prinsipiga ko’ra …… MElarga bo’linadi
+: kombinatsion va ketma-ketli(tadriji)
-: parallel va ketma-ketli
-: gibridli va ketma-ketli
-: kombinatsion va gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma-ketli(tadriji)
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ……………. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli(tadriji)
-: kombinatsion
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ………..deb shunday elektron qurilmaga aytiladi-ki, uning kirishdagi boshqaruv kuchlanishi qiymatiga bog’liq holda ikkita turg’un holatdan birida: uzilgan yoki ulangan bo’lishi mumkin.
+: elektron kalit
-: trigger
-: indikatorlar
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Bir turdagi MDYA – tranzistorlarda hosil qilingan kalitlarning kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq bo’lgan statik rejimda kalitdan doim ….. oqib o’tadi.
+: tok
-: kuchlanish
-: quvvat
-: sig`im
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA elektron kalit……iborat
+: n – MDYA
p – MDYA
-: n-p-n p-n-p
-: n – MT p – MT
-: n – BT p – BT
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA tranzistorli elektron kalit nechta tranzistordan iborat
+: Ikkita
-: Bitta
-: Uchta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Bipolayar tranzistorli elektron kalit
+: invertor
-: qo`shish
-: ko`paytirish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p emitterli tranzistor asosidagi sxema
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: integral –injektsion mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p emitterli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p kollektorli tranzistor asosidagi sxema
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p kollektorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: …………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.
+: sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME
-: integral –injektsion mantiq
-: KMDYA
-: emitterlari bog’langan mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol ……
+: qilmaydi
-: qiladi
-: juda ko`p talab qiladi
-: ko`p talab qiladi
I: ЭваС 2 узб
S: ……………….– axborotlarni qabul qilish, uzatish va qayta ishlashda yorug‘lik signallarni elektr signallarga va aksincha o‘zgartirish bilan bajariladigan elektron qurilmalar ishlab chiqish, yaratish va amaliy qo‘llash bilan shug‘ullanadi.
+: optoelektronika
-: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo‘tkazgichli elementlarning elektr qarshiligi ……………………larda qo‘llaniladi.
+: fototrezistor
-: fotodiod
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: Bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan fotoelektrik asbob ………..deb ataladi.
+: fotodiod
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fototiristor
I: ЭваС 2 узб
S: …………….– bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan, elyektr energiyani nokogerent yorug‘lik nuriga o‘zgartuvchi yarimo‘tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: …………….- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, uchta qatlamga ega
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiod
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: Fotoranzistor- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, …… qatlamga ega
+: uchta
-: ikkita
-: beshta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar ….. turga bo‘linadi
+: ikkita
-: uchta
-: to`rtta
-: beshta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar……… asoslangan bo`ladi
+: ichki va tashqi fotoeffektga
-: ichki va gibridli fotoeffektga
-: gibridli va tashqi fotoeffektga
-: gibridli va kombinasion fotoeffektga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diodlarning energetik xarakteristikasi sifatida …………….. dan foydalaniladi.
+: kvant chiqishi
-: kvant kirishi
-: energetik zona
-: nurdan
I: ЭваС 2 узб
S: Yapon Syudzi Nakamure 1993 yili ko‘k yorug‘lik diodini yaratdi. Bu kashfiyot qizil (Red), yashil (Green) va ko‘k (Blue) yorug‘lik diodlari yordamida ………… olish imkonini yaratdi.
+: ixtiyoriy rang (RGB)
-: qizil rang
-: yashil rang
-: sariq rang
I: ЭваС 2 узб
S: …….– soatlar, o‘lchov asboblari, maishiy texnika indikatorlarida 0 dan 9 gacha bo‘lgan sonlarni va ba’zi harflarni ko‘rsatib berish uchun mo‘ljallangan element.
+: yettisegmentli yorug‘lik diodili indikator
-: segmentli yorug‘lik diodili indikator
-: yorug‘lik diodili indikator
-: diodili indikator
I: ЭваС 2 узб
S: ………… fotodiod kabi yorug‘lik nuridan foydali va sifatli kuchlanish hosil qilishda ishlatiladi.
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotoqarshilik
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ……………larning asosiy vazifasi – raqamli hamda analog signal uzatuvchi va qabul qiluvchilarni samarali galvanik ajratishdir.
+: optron
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ………….raqamli va impuls qurilmalarda, analog signallarni uzatuvchi qurilmalarda, avtomatika tizimlarida yuqori voltli ta’minlash manbalarida kontaktsiz boshqarish va boshqalar uchun qo‘llaniladi.
+: optojuftliklar
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: fotorezistor - yarimo‘tkazgichli asbob (datchik) bo‘lib, yorug‘lik nuri ta’sirida ……………..o‘zgartiradi
+: o‘z ichki qarshiligini
-: tok kuchini
-: kuchlanishni
-: quvvatini
I: ЭваС 2 узб
S: ………….optik aloqa liniyalarida, indikasiya qurilmalarida, optoelektron juftliklarda va yaqin kelajakda elektr yoritgich asboblarni almashtirishda qo‘llaniladi.
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiodlar
-: fototranzistor
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallangan, differensial kuchaytirish prinsipiga asoslangan, kuchlanish bo’yicha katta kuchaytirish koeffisientiga ega bo’lgan integral o’zgarmas tok kuchaytirgichiga aytiladi.
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. qo’shish, ayirish, ko’paytirish, bo’lish, integrallash, differensiallash, masshtablash kabi matematik amallarni bajarishga mo’ljallangan
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. analog va raqamli qurilmalarda kuchaytirish, cheklash, ko’paytirish, chastotani filtrlash, generatsiyalash, signallarni barqarorlashda qo’llaniladi
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlarga …………. teskari aloqa zanjirlari kiritiladi.
+: musbat va manfiy
-: n va p
-: sinxron va nosinxron
-: sinfaz va nosinfaz
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal ……ga siljidi
+: 1800
-: 900
-: 3600
-: 0
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslamaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal …… fazada bo’ladi.
+: bir xil
-: har hil
-: musbat
-: manfiy
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: Inversiya amali ………….
+: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Diz’yunksiya amali ………….
+: y = x1+ x2
-: y =
-: y =
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Kon’yunksiya amali ………….
+: y = x1··x
-: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-: y =
-:
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2YOKI-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Pirs elementi
+: 2YOKI-EMAS
-: 2HAM-EMAS
-: 2EMAS
-: 2ISTISNO
I: ЭваС 2 узб
S: Sheffer elementi
+: 2HAM-EMAS
-: 2YOKI-EMAS
-: 2 EMAS
-: 2 istisnoli “YOKI”
I: ЭваС 2 узб
S: Fotodiod ...... o‘zgartiradi
+: optik signalni elektr signalga
-: elektr signalni optik signalga
-: elektr signalni elektr signalga
-: issiqlik signalni elektr signalga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diod ......
+: elektr yoritgich asbob
-: fotoelektrik asbob
-: termoelektrik asbob
-: elektr o‘zgartiruvchi asbob
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi oddiy IS kichik deb ataladi
+: K<=1
-: 1-: 2-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘rtacha deb ataladi
+: 1-: 2-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC katta deb ataladi
+: 2-: 1-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘ta katta deb ataladi
+: K>3
-: 2-: 1-: K<=1
I: ЭваС 2 узб
S: MEning asosiy statik xarakteristikasi chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga boliqligi …………xarakteristikasi deb ataladi.
+: amplituda uzatish
-: amplituda chastota
-: amplituda faza
-: amplituda
I: ЭваС 2 узб
S: ………… boliqligi amplituda uzatish xarakteristikasi deb ataladi.
+: chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga
-: amplitudaning chastotaga
-: amplitudaning fazaga
-: chiqish kuchlanishining kirish tokiga
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma – ketli (tadrijiy)
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Kombinatsion qurilmalar - ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirasiz
-: xotirali
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli (tadrijiy)
-: kombinatsion
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Ketma – ketli (tadrijiy) qurilmalar - kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirali
-: xotirasiz
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …………qo’llash yordamida tranzistor – tranzistorli mantiq elementining tezkorligi oshirilgan
+: Shottki diodli tranzistorlarini
-: Fotodiodli tranzistorlarini
-: Darlington tranzistorlarini
-: Shiklay tranzistorlarini
I: ЭваС 2 узб
S: ………… sxemasi asosida 2HAM-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: MTli kalit
-: Shottki barerli kalit
-: BTli kalit
I: ЭваС 2 узб
S: Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: Tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+: у = х1·х2
-: у = х1+ х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2ЁКИ” амалини бажарувчи МЭ функцияси
+: у = х1+ х2
-: у = х1·х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Elektronikaning rivojlanishi
elektron asboblar texnologi
yasining takomillashuvi
bilan chambar-chars bog‘liq
bo‘lib, hozirgi kungacha …….
bosqichni bosib o‘tdi.
+: to'rt
-: uch
-: ikki
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: ……. bosqich asboblari:
rezistorlar, induktivlik
g‘altaklari, magnitlar,
kondensatorlar,
elektromexanik asboblar
(qayta ulagichlar, rele va
shunga o‘xshash) passiv
elementlardan iborat edi.
+: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. bosqich Li de Forest
tomonidan 1906 yilda triod
lampasining ixtiro qilinishidan
boshlandi.
+: ikkinchi
-: birinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………… bosqich
Dj. Bardin, V. Bratteyn
va V. Shoklilar
tomonidan 1948 yilda
elektronikaning asosiy
aktiv elementi bo‘lgan
bipolyar tranzistorning
ixtiro etilishi bilan
boshlandi.
+: uchinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. bosqich integral
mikrosxemalar asosida
elektron qurilma hamda
tizimlar yaratish bilan
boshlandi va mikroelektronika
davri deb ataldi
+: to'rtinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ...........– fizik, konstruktiv –
texnologik va sxemotexnik
usullardan foydalanib yangi
turdagi elektron asboblar –
integral mikrosxemalar va
ularning qo’llanish
prinsiplarini ishlab chiqish
yo’lida izlanishlar olib
borayotgan elektronikaning
bir yo’nalishidir
+: Mikroelektronika
-: Nanoelektronika
-: funksional elektronika
-: Akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: 1965 yildan buyon
mikroelektronikaning
rivoji ………. Qonuniga
muvofiq bormoqda,
ya’ni har ikki yilda
zamonaviy integral
mikrosxemalardagi
elementlar soni ikki
marta ortmoqda.
+: G. Mur
-: Dj. Bardin
-: V. Bratteyn
-: V. Shoklila
I: ЭваС 2 узб
S: …………. o‘lchamlari
0,1 dan 100 nm gacha
bo‘lgan yarimo‘tkazgich
tuzilmalar elektronikasi
bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
+: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: funksional elektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarning, shu
jumladan mikroprosessorlar va xotira
mikrosxemalarining asosiy aktiv
elementi bo’lib kremniyli
………– tranzistorlar xizmat qiladi.
+: MDYA
-: BT
-: Shottki transistor
-: Shottki baryerli
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich …………. eng
yuqori chastotali tranzistorlar,
lazerlar, hamda inegral sxemalar
(chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
+: geterotuzilmalar
-: Gomotuzilmalar
-: Tuzilmalar
-: gomogen tuzilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Optik aloqa tizimlari …….. ……….. optik modullarga ega
+: uzatuvchi va qabul qiluvchi
-: Uzatuvchi
-: qabul qiluvchitoplovchi
-: Toplovchi
I: ЭваС 2 узб
S: ……… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi.
+: uzatuvchi
-: qabul qiluvchi
-: toplovchi
-: uzatuvchi va qabul qiluvchi
I: ЭваС 2 узб
S: …….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …….. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
+: Lazer
-: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqda.
+: funksional elektronika
-: elektrovakumli elektronika
-: diskret elektronika
-: geliotexnika
I: ЭваС 2 узб
S: …………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
+: magnitoelektron
-: kriogenelektron
-: optoelektron
-: akustikoelektron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
+: element
-: sxema
-: tizim
-: shaxobcha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
+: metallash
-: oksidlash
-: ligirlash
-: diffuziyalash
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga aytiladi.
+: komponenti
-: elementi
-: arxitekturasi
-: topologiyasi
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
+: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
-: pardali
-: gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
+: pardali
-: gibridli
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 1-2 mkm
-: 5-10 mkm
-: 10-15 mkm
-: 100-200 mkm
I: ЭваС 2 узб
S: qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 10 mkmdan yuqori
-: 8 mkmdan yuqori
-: 5 mkmdan yuqori
-: 1 mkmdan yuqori
I: ЭваС 2 узб
S: ……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
+: Gibrid
-: pardali
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
+: BT va MDYA
-: n va p
-: i va n
-: Shottki va Gan
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
V1: top
V2: По умолчанию для Elektronika va sxemalar2
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =3 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =4÷5 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K < 1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 1 < K ≤ 2 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti 2 < K ≤ 4 bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K ≥ 4 bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 10 tagacha bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 11÷100 bo`lsa –
+: o’rtacha
-: oddiy
-: katta
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni 101÷10 000 tagacha bo`lsa –
+: katta
-: o’rtacha
-: oddiy
-: o’ta katta
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema elementlar soni > 10 000 ko`p bo`lsa –
+: o’ta katta
-: katta
-: oddiy
-: o’rtacha
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalarda signal uzluksiz funksiya sifatida o’zgaradi.
+: analog
-: raqamli
-: gibridli
-: diskret
I: ЭваС 2 узб
S: ……… integral mikrosxemalar diskret ko’rinishda berilgan signallarni o’zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
+: raqamli
-: analog
-: gibridli
-: implus
I: ЭваС 2 узб
S: ………. usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi.
+: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi
+: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……… jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
+: epitaksiya
-: zonali eritish
-: Choxralskiy
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: …… kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo’l bilan oksidlashdan iborat jarayon.
+: termik oksidlash
-: Choxralskiy
-: zonali eritish
-: epitaksiya
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni ………… deb ataladi.
+: legirlash
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………… butun kristall yuzasi bo’ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi
+: diffuziya yordamida legirlash
-: ion legirlash
-: termik oksidlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: ………….. yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.
+: ion legirlash
-: yemirish
-: zonali eritis
-: diffuziya yordamida legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga …………. deyiladi.
+: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
-: legirlash
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni deb ………… ataladi.
+: fotolitografiya
-: yemirish
-: ion legirlash
-: zonali eritish
I: ЭваС 2 узб
S: …… integral mikrosxema elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani amalga oshirish uchun qo’llaniladi.
+: pardalar
-: fotolitografiya
-: epitaksiya
-: termik oksidlash
I: ЭваС 2 узб
S: ……. texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi.
+: planar
-: planar – epitaksial
-: integral
-: integral
I: ЭваС 2 узб
S: ………. texnologiyasida elementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
+: planar – epitaksial
-: planar
-: integral
-: polikristal
I: ЭваС 2 узб
S: …….. tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
+: integral rezistorlar
-: integral kondensatorlar
-: intergal diodlar
-: integral tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: ……. hosil qilish uchun ixtiyoriy p–n o’tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n+ - qatlam – izolyatsiyalovchi p – soha ishlatilishi mumkin.
+: integral kondenstorlar
-: integral rezistorlar
-: intergal diodlar
-: integral simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …………. integral tranzistor asosida hosil qilinadi
+: integral diodlar
-: integral tiristorlar
-: integral simistorlar
-: integral varistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Tranzistor – tranzistorli mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p emitterli
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Integral –injektsion mantiq asosidagi raqamli integral mikrosxemalarning mantiq elementlarida ……….. qo’llanladi.
+: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-MDYA
-: p-MDYA
-: ko’p emitterli
I: ЭваС 2 узб
S: ………..– tranzistorlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida integral mikrosxemalar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda
+: MDYA
-: Darlington
-: Shottki tranzistor
-: Shiklay
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar MDYA –invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-MDYA va p-MDYA
-: ko’p emitterli tranzistorlar
-: ko’p kollektorli tranzistorlar
-: n-p-n va p-n-p BT
I: ЭваС 2 узб
S: komplementar BT – invertorlarda ….. qo`laniladi
+: n-p-n va p-n-p
-: n-MDYA va p-MDYA
-: n-MT va p-MT
-: ko’p emitterli tranzistorlar BT
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «1» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: to`yinish
-: berk
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Musbat mantiqli BTli invertor kirishiga mantiqiy «0» ga mos signal berilsa tranzistor …… rejimda ishlaydi
+: berk
-: to`yinish
-: invers
-: aktiv
I: ЭваС 2 узб
S: Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma ………… deb ataladi.
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………..ning vazifasi kirish kuchlanishi va yuklama qiymati o’zgarganda chiqish toki qiymatini o’zgarmas saqlashdan iborat
+: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: O’zgarmas tok qiymatini cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo’lgan …………ta’minlashi mumkin
+: ideal tok manbai
-: ideal kuchlanish manbai
-: Real tok manbai
-: Real kuchlanish manbai
I: ЭваС 2 узб
S: Aktiv rejimda …………sxemada ulangan BTning chiqish xarakteristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo’ladi
+: UB
-: UE
-: UK
-: integral diod
I: ЭваС 2 узб
S: temperaturaviy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda elektrodlari tutashtirilgan ………… tranzistor ishlatiladi
+: kollektor - baza
-: baza-emitter
-: kollektor -emitter
-: emitter - kollektor
I: ЭваС 2 узб
S: Sodda ……sxemasida: 2 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta kuchlanish manbai mavjud
+: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgus
-: chiqish kaskadi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 3 ta transistor, 2 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Uilson tok ko’zgusi
-: Uilson tok ko’zgusi
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 2 ta transistor, 3 ta resistor, 2 ta manbai mavjud
+: Aktiv tok transformatori
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. sxemasida: 1 ta transistor, 1 ta resistor, 1 ta BTG va unga parallel ulangan resistor, 2 ta manbai mavjud
+: kuchlanish sathini siljituvchi universal sxema
-: Darlington sxema
-: aktiv tok transformatori sxema
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichda ………. kirishlari mavjud
+: invers va noinvers
-: invers va taqiqlovchi
-: taqiqlovchi va invers
-: invers va sinxranizatsiyalash
I: ЭваС 2 узб
S: sinfaz signallar:
+: amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari teng va fazalari har xil signallar
-: amplitudalari teng bo`lmagan lekin fazalari bir xil signallar
-: amplitudalari har xil va fazalari bir xil signallar
I: ЭваС 2 узб
S: …… - amplitudalari teng va fazalari bir xil bo`ladi
+: sinfaz signallar
-: ikki qutbli signallar
-: nosinfaz signallar
-: implus signallar
I: ЭваС 2 узб
S: Dinamik yuklamali differensial kuchaytirgich sxemasida ….. BTG qo`laniladi
+: ikkita
-: uch
-: bir
-: to’rt
I: ЭваС 2 узб
S: Differensial kuchaytirgichning ……. xil ulanish sxemasi mavjud
+: to’rt
-: ikki
-: uch
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: differensial kuchaytirgichning asosiy parametrlaridan biri - ……. hisoblanadi
+: sinfaz signallarni so’ndirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: kuchaytirish koeffisienti
-: so`ndirish koeffisienti
I: ЭваС 2 узб
S: Quvvat kuchaytirgichlarning chiqish kaskadlarida ……… dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: fototranzistor
-: tristorlar
-: simistorlar
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - cheksiz katta kuchaytirish koeffisientiga, katta kirish qarshiligi va nolga teng bo’lgan chiqish qarshiligiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. -inverslaydigan va inverslamaydigan kirishlarga, bir xil signal berilganda nolga teng bo’lgan chiqish kuchlanishiga va cheksiz katta keng o’tkazish polosasiga ega
+: ideal kuchaytirgich
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: differensial kuchaytirgich
-: Uilson tok ko’zgusi sxema
I: ЭваС 2 узб
S: …….. - kichik signal rejimida kuchaytirgichning tokni uzatish koeffisienti
+: h21e
-: h12e
-: h22e
-: h11e
I: ЭваС 2 узб
S: Kaskad kuchaytirish koeffisienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida …………dan foydalaniladi.
+: tarkibiy tranzistorlar
-: bipolyar tranzistor
-: Shotki tranzistor
-: fototranzistor
I: ЭваС 2 узб
S: …………. sinf kuchaytirgichlar katta nochiziqli buzilishlarga ega
+: B
-: A
-: G
-: S
I: ЭваС 2 узб
S: Nochiziqli buzilishlarni kamaiytirish uchun tranzistorlarning ………… elektrodlariga siljituvchi kuchlanish beriladi
+: baza
-: kollektor
-: emitter
-: qobig`iga
I: ЭваС 2 узб
S: ……. operatsion kuchaytirgichlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi
+: differensial kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: o’zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallanganqurilma
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich ……….. kirishga ega
+: ikkita
-: bitta
-: uchta
-: to`rtta
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning …………… kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal 1800 ga siljidi
+: inverslaydigan
-: inverslamaydigan
-: ikki
-: noinvers
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning ………….. kirishga berilsa, u holda chiqishdagi signal kirish signali bilan bir xil fazada bo’ladi.
+: inverslamaydigan
-: inverslaydigan
-: ikki
-: bir
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlar rivojlanishning ……. bosqichidan o’tdilar
+: uch
-: ikki
-: to`rt
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich funksional sxemasi - ………dan iborat
+: uch kaskad
-: ikki kaskad
-: bir kaskad
-: kaskad
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichning………… uning kirish kaskadi va chiqish kaskadlarini bog`laydi
+: muvofiqlashtiruvchi kaskadi
-: barqaror tok generatori
-: Uilson tok ko’zgusi sxemasi
-: barqaror kuchlanish generatori
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgich kirish va chiqish qarshiliklari har doim ham asosiy parametrlar tarkibiga kiritilmaydi, ularni kirish va chiqish ……..qiymatlaridan aniqlash mumkin
+: tok
-: qarshilik
-: quvvat
-: elektrod
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqish signali amplitudasini kirish signali amplitudasiga nisbatini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: amplituda chastota
-: faza chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: kuchaytirgich chiqishidagi tebranishlar fazasini kirishdagi tebranishlar fazasiga nisbatan siljishini chastotaga bog’liqligi .............. xarakteristikasi deb ataladi
+: faza chastota
-: amplituda chastota
-: amplituda
-: uzatish
I: ЭваС 2 узб
S: Elektron qurilmalar, jumladan komputerlarda qayta ishlanayotgan ma’lumotlar, natijalar va boshqa axborotlar ko’p hollarda ………….ko’rinishida ifodalanadi.
+: elektr signallar
-: rasmlar
-: shakillar
-: buyruqlar
I: ЭваС 2 узб
S: Axborotni …… usulda uzatish mumkin
+: analog va raqamli
-: modulyatsiya va demodulyatsiya
-: invers va noinvers
-: sinxron va nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, unga proporsional bo’lgan bir signal ko’rinishida ifodalanadi.
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …….. usulda ifodalanayotgan kattalik, har biri berilgan kattalikning bitta raqamiga mos keluvchi bir nechta signallar ketma – ketligi ko’rinishida ifodalanadi
+: raqamli
-: uzluksiz
-: analog
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: ………… elektron qurilma uzluksiz signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan
+: analog
-: raqamli
-: operatsion
-: gibrid
I: ЭваС 2 узб
S: Analog elektron qurilma ………signallarni qabul qilish, o’zgartirish va uzatish uchun mo’ljallangan elektron qurilmalar
+: analog
-: raqamli
-: diskret
-: kvant
I: ЭваС 2 узб
S: …. analog elektron qurilmalar kamchiligi
+: xalaqitbardoshlikning kichikligi
-: xalaqitbardoshlikning kattaligi
-: xalaqitbardoshlikning cheksizligi
-: xalaqitbardoshlikning o`ta kattaligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog elektron qurilmalar kamchiligi bu….
+: axborotlarni uzoq muddat saqlashning murakkabligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning osonligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning imkoni yo`qligi
-: axborotlarni uzoq muddat saqlashning talabi yo`qligi
I: ЭваС 2 узб
S: analog ko’rinishdagi birlamchi axborotlarni raqamli usullarda qayta ishlash uchun …….. lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: analog signalni raqamli signalga o`zgartirish uchun …… lozim
+: kvantlash va kodlash
-: uzatish va qabul qilish
-: saqlash va uzatish
-: uzatish va saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Uzluksiz signalni ma’lum nuqtalardagi qiymatlari bilan almashtirishga ……….deyiladi.
+: kvantlash
-: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash natijasida signal ixtiyoriy emas, balki aniq, ………. deb ataluvchi qiymatlarni oladi
+: diskret
-: analog
-: bir
-: bir hil
I: ЭваС 2 узб
S: Analog signallarni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar –……… deb ataladi
+: disrket elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….ni kvantlash natijasida hosil bo’lgan elektr signallarni qabul qilish, qayta ishlash va uzatish uchun mo’ljallangan qurilmalar – disrket elektron qurilmalar deb ataladi
+: analog signallar
-: raqamli signallar
-: diskret signallar
-: kvant signallar
I: ЭваС 2 узб
S: ................da birlamchi signal vaqt bo’yicha kvantlanadi va odatda o’zgarmas chastotadagi impulslar ketma – ketligiga o’zgartiriladi.
+: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab …….. elektron qurilmalar impulsli, releyli va raqamli guruhga bo’linadi
+: disrket
-: analog
-: uzluksiz
-: operatsion
I: ЭваС 2 узб
S: Kvantlash turiga qarab disrket elektron qurilmalar uch guruhga bo’linadi: ………
+: impulsli, releyli va raqamli
-: impulsli, analog va raqamli
-: analog, releyli va raqamli
-: analog, uzluksiz va raqamli
I: ЭваС 2 узб
S: …………… birlamchi analog signalni zinasimon funksiyaga o’zgartiradi.
+: releyli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: raqamli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: kvantlangan signal bir necha elementar signallardan tuzilgan shartli kombinatsiyalar ko’rinishida ifodalash ……….. deb atalad
+: kodlash
-: kvantlash
-: raqamlash
-: saqlash
I: ЭваС 2 узб
S: Kodlash turli ma’lumotlar (harflar, tovushlar, ranglar, komandalar va boshqalar)ni ma’lum standart shaklda, masalan ………. simvollari ko’rinishida ifodalash imkonini beradi.
+: ikkilik
-: uchlik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
I: ЭваС 2 узб
S: ………sanoq tizimida ixtiyoriy sonni 0 yoki 1 raqamlari yordamida yozish mumkin ekan
+: ikkilik
-: sakkizlik
-: o`n oltilik
-: o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: Kichik asosga ega bo’lgan sanoq tizimidan katta asosga ega bo’lgan sanoq tizimiga o’tish
+: mumkin
-: bo`lmaydi
-: noaniq
-: aniq emas
I: ЭваС 2 узб
S: Hisoblash va axborot texnikasi evolusiyasi qurilmalar o’rtasida axborot almashinish uchun ……. – bitli kattalikni paydo qildi
+: 8
-: 2
-: 4
-: 16
I: ЭваС 2 узб
S: 8 – bitli katalik ….. deb ataladi.
+: bayt
-: bit
-: kilobit
-: kilobayt
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: inversiya
-: ko`paytirish
-: bo`lish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy inkor bu ….
+: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy qo’shish bu ….
+: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM amali
-: YOKI -EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: mantiqiy ko’paytirish bu ….
+: HAM amali
-: YOKI amali
-: EMAS amali
-: HAM-EMAS amali
I: ЭваС 2 узб
S: Funksiya qiymatlarini ifodalovchi jadval ………. jadvali deb ataladi.
+: haqiqiylik
-: to`liq
-: aniq
-: noaniq
I: ЭваС 2 узб
S: Bir funksiya argumentlarini boshqa funksiya argumentlari bilan almashtirish amali …………. deb ataladi.
+: superpoztsiya
-: distributlik
-: assotsiativlik
-: aksiomalar
I: ЭваС 2 узб
S: ………………..da birlamchi analog signal ham vaqt bo’yicha, ham kattaligi bo’yicha kvantlanadi.
+: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
-: analog elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: ……….. – integral elektron qurilma bo’lib, raqamli signal ko’rinishida berilgan axborotlarni talab etilgan holda o’zgartirishga mo’ljallangan.
+: raqamli itegral sxema
-: raqamli elektron qurilmalar
-: impulsli elektron qurilmalar
-: releyli elektron qurilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: …………… yordamida axborotni yozish va o’qish, o’chirish va qayta tiklash, hamda saqlanayotgan axborotni indikatsiya qilish mumkin.
+: triggerlar
-: operatsion kuchaytirgich
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Sanoq tizimlarining …….. turlari mavjud
+: pozitsion va nopozitsion
-: invers va noinvers
-: real va noreal
-: ikkilik va o`nlik
I: ЭваС 2 узб
S: …………deb kirish signallari ustida aniq bir mantiqiy amal bajaradigan elektron qurilmaga aytiladi
+: mantiqiy element
-: operatsion kuchaytirgich
-: bistabil yacheyka
-: indikatorlar
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlash prinsipiga ko’ra …… MElarga bo’linadi
+: kombinatsion va ketma-ketli(tadriji)
-: parallel va ketma-ketli
-: gibridli va ketma-ketli
-: kombinatsion va gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma-ketli(tadriji)
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ……………. qurilmalar yoki avtomatlar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli(tadriji)
-: kombinatsion
-: gibridli
-: parallel
I: ЭваС 2 узб
S: ………..deb shunday elektron qurilmaga aytiladi-ki, uning kirishdagi boshqaruv kuchlanishi qiymatiga bog’liq holda ikkita turg’un holatdan birida: uzilgan yoki ulangan bo’lishi mumkin.
+: elektron kalit
-: trigger
-: indikatorlar
-: bistabil yacheyka
I: ЭваС 2 узб
S: Bir turdagi MDYA – tranzistorlarda hosil qilingan kalitlarning kamchiligi shundaki, tranzistor ochiq bo’lgan statik rejimda kalitdan doim ….. oqib o’tadi.
+: tok
-: kuchlanish
-: quvvat
-: sig`im
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA elektron kalit……iborat
+: n – MDYA
p – MDYA
-: n-p-n p-n-p
-: n – MT p – MT
-: n – BT p – BT
I: ЭваС 2 узб
S: KMDYA tranzistorli elektron kalit nechta tranzistordan iborat
+: Ikkita
-: Bitta
-: Uchta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Bipolayar tranzistorli elektron kalit
+: invertor
-: qo`shish
-: ko`paytirish
-: ayrish
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p emitterli tranzistor asosidagi sxema
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: integral –injektsion mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p emitterli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ko’p kollektorli tranzistor asosidagi sxema
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: ko’p kollektorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: …………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.
+: sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME
-: integral –injektsion mantiq
-: KMDYA
-: emitterlari bog’langan mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.
+: integral –injektsion mantiq
-: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: emitterlari bog’langan mantiq
-: murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq
I: ЭваС 2 узб
S: Statik holatda KMDYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol ……
+: qilmaydi
-: qiladi
-: juda ko`p talab qiladi
-: ko`p talab qiladi
I: ЭваС 2 узб
S: ……………….– axborotlarni qabul qilish, uzatish va qayta ishlashda yorug‘lik signallarni elektr signallarga va aksincha o‘zgartirish bilan bajariladigan elektron qurilmalar ishlab chiqish, yaratish va amaliy qo‘llash bilan shug‘ullanadi.
+: optoelektronika
-: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo‘tkazgichli elementlarning elektr qarshiligi ……………………larda qo‘llaniladi.
+: fototrezistor
-: fotodiod
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: Bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan fotoelektrik asbob ………..deb ataladi.
+: fotodiod
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fototiristor
I: ЭваС 2 узб
S: …………….– bitta p-n o‘tishga ega bo‘lgan, elyektr energiyani nokogerent yorug‘lik nuriga o‘zgartuvchi yarimo‘tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
-: fototranzistor
-: fotovarikap
I: ЭваС 2 узб
S: …………….- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, uchta qatlamga ega
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiod
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: Fotoranzistor- qattiq jismli yarimo‘tkazgichli fotoelektron asbob bo‘lib, …… qatlamga ega
+: uchta
-: ikkita
-: beshta
-: to`rta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar ….. turga bo‘linadi
+: ikkita
-: uchta
-: to`rtta
-: beshta
I: ЭваС 2 узб
S: Fotorezistorlar……… asoslangan bo`ladi
+: ichki va tashqi fotoeffektga
-: ichki va gibridli fotoeffektga
-: gibridli va tashqi fotoeffektga
-: gibridli va kombinasion fotoeffektga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diodlarning energetik xarakteristikasi sifatida …………….. dan foydalaniladi.
+: kvant chiqishi
-: kvant kirishi
-: energetik zona
-: nurdan
I: ЭваС 2 узб
S: Yapon Syudzi Nakamure 1993 yili ko‘k yorug‘lik diodini yaratdi. Bu kashfiyot qizil (Red), yashil (Green) va ko‘k (Blue) yorug‘lik diodlari yordamida ………… olish imkonini yaratdi.
+: ixtiyoriy rang (RGB)
-: qizil rang
-: yashil rang
-: sariq rang
I: ЭваС 2 узб
S: …….– soatlar, o‘lchov asboblari, maishiy texnika indikatorlarida 0 dan 9 gacha bo‘lgan sonlarni va ba’zi harflarni ko‘rsatib berish uchun mo‘ljallangan element.
+: yettisegmentli yorug‘lik diodili indikator
-: segmentli yorug‘lik diodili indikator
-: yorug‘lik diodili indikator
-: diodili indikator
I: ЭваС 2 узб
S: ………… fotodiod kabi yorug‘lik nuridan foydali va sifatli kuchlanish hosil qilishda ishlatiladi.
+: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotoqarshilik
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ……………larning asosiy vazifasi – raqamli hamda analog signal uzatuvchi va qabul qiluvchilarni samarali galvanik ajratishdir.
+: optron
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: ………….raqamli va impuls qurilmalarda, analog signallarni uzatuvchi qurilmalarda, avtomatika tizimlarida yuqori voltli ta’minlash manbalarida kontaktsiz boshqarish va boshqalar uchun qo‘llaniladi.
+: optojuftliklar
-: fototranzistor
-: nurlanuvchi diodlar
-: fotorezistor
I: ЭваС 2 узб
S: fotorezistor - yarimo‘tkazgichli asbob (datchik) bo‘lib, yorug‘lik nuri ta’sirida ……………..o‘zgartiradi
+: o‘z ichki qarshiligini
-: tok kuchini
-: kuchlanishni
-: quvvatini
I: ЭваС 2 узб
S: ………….optik aloqa liniyalarida, indikasiya qurilmalarida, optoelektron juftliklarda va yaqin kelajakda elektr yoritgich asboblarni almashtirishda qo‘llaniladi.
+: nurlanuvchi diodlar
-: fotodiodlar
-: fototranzistor
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, analog signallar ustidan turli amallarni bajarishga mo’ljallangan, differensial kuchaytirish prinsipiga asoslangan, kuchlanish bo’yicha katta kuchaytirish koeffisientiga ega bo’lgan integral o’zgarmas tok kuchaytirgichiga aytiladi.
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. qo’shish, ayirish, ko’paytirish, bo’lish, integrallash, differensiallash, masshtablash kabi matematik amallarni bajarishga mo’ljallangan
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: …………. analog va raqamli qurilmalarda kuchaytirish, cheklash, ko’paytirish, chastotani filtrlash, generatsiyalash, signallarni barqarorlashda qo’llaniladi
+: operatsion kuchaytirgich
-: barqaror tok generatori
-: differensial kuchaytirgich
-: chiqish kaskadi
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichlarga …………. teskari aloqa zanjirlari kiritiladi.
+: musbat va manfiy
-: n va p
-: sinxron va nosinxron
-: sinfaz va nosinfaz
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal ……ga siljidi
+: 1800
-: 900
-: 3600
-: 0
I: ЭваС 2 узб
S: Agar signal operatsion kuchaytirgichning inverslamaydigan kirishiga berilsa, u holda chiqishdagi signal …… fazada bo’ladi.
+: bir xil
-: har hil
-: musbat
-: manfiy
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: operatsion kuchaytirgichda …………. qutbli kuchlanish manbai qo’llaniladi.
+: ikki
-: to‘rt
-: uch
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: Inversiya amali ………….
+: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Diz’yunksiya amali ………….
+: y = x1+ x2
-: y =
-: y =
-: y = x1··x
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Kon’yunksiya amali ………….
+: y = x1··x
-: y =
-: y =
-: y = x1+ x2
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-: y =
-:
I: ЭваС 2 узб
S:
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2YOKI-EMAS” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+:
-: у = х1+ х2
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: De-Morgan teoremasi
+:
-:
-:
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Pirs elementi
+: 2YOKI-EMAS
-: 2HAM-EMAS
-: 2EMAS
-: 2ISTISNO
I: ЭваС 2 узб
S: Sheffer elementi
+: 2HAM-EMAS
-: 2YOKI-EMAS
-: 2 EMAS
-: 2 istisnoli “YOKI”
I: ЭваС 2 узб
S: Fotodiod ...... o‘zgartiradi
+: optik signalni elektr signalga
-: elektr signalni optik signalga
-: elektr signalni elektr signalga
-: issiqlik signalni elektr signalga
I: ЭваС 2 узб
S: Nurlanuvchi diod ......
+: elektr yoritgich asbob
-: fotoelektrik asbob
-: termoelektrik asbob
-: elektr o‘zgartiruvchi asbob
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi oddiy IS kichik deb ataladi
+: K<=1
-: 1-: 2-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘rtacha deb ataladi
+: 1-: 2-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC katta deb ataladi
+: 2-: 1-: K<=1
-: K>3
I: ЭваС 2 узб
S: Qaysi IC o‘ta katta deb ataladi
+: K>3
-: 2-: 1-: K<=1
I: ЭваС 2 узб
S: MEning asosiy statik xarakteristikasi chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga boliqligi …………xarakteristikasi deb ataladi.
+: amplituda uzatish
-: amplituda chastota
-: amplituda faza
-: amplituda
I: ЭваС 2 узб
S: ………… boliqligi amplituda uzatish xarakteristikasi deb ataladi.
+: chiqish kuchlanishining kirish kuchlanishiga
-: amplitudaning chastotaga
-: amplitudaning fazaga
-: chiqish kuchlanishining kirish tokiga
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, xotirasiz mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: kombinatsion
-: ketma – ketli (tadrijiy)
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Kombinatsion qurilmalar - ikkita vaqt momentiga ega bo’lgan, ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirasiz
-: xotirali
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: ………… qurilmalar deb, chiqish signallari kirish o’zgaruvchilari kombinatsiyasi bilan belgilanadigan, hozirgi va oldingi vaqt momentlari uchun, ya’ni kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan, xotirali mantiqiy qurilmalarga aytiladi.
+: ketma – ketli (tadrijiy)
-: kombinatsion
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: Ketma – ketli (tadrijiy) qurilmalar - kirish o’zgaruvchilarining kelish tartibi bilan belgilanadigan ………… mantiqiy qurilmalar
+: xotirali
-: xotirasiz
-: sinxron
-: nosinxron
I: ЭваС 2 узб
S: …………qo’llash yordamida tranzistor – tranzistorli mantiq elementining tezkorligi oshirilgan
+: Shottki diodli tranzistorlarini
-: Fotodiodli tranzistorlarini
-: Darlington tranzistorlarini
-: Shiklay tranzistorlarini
I: ЭваС 2 узб
S: ………… sxemasi asosida 2HAM-EMAS funksiyasini amalga oshirish mumkin
+: tranzistor – tranzistorli mantiq
-: MTli kalit
-: Shottki barerli kalit
-: BTli kalit
I: ЭваС 2 узб
S: Kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: Tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti
+: Ki=Ichiq/Ikir
-: Ku=Uchiq/Ukir
-: Ki=Uchiq/Ikir
-: Ku=Ichiq/Ukir
I: ЭваС 2 узб
S: “2HAM” amalini bajaruvchi ME funksiyasi
+: у = х1·х2
-: у = х1+ х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: “2ЁКИ” амалини бажарувчи МЭ функцияси
+: у = х1+ х2
-: у = х1·х2
-: y=x
-:
I: ЭваС 2 узб
S: Elektronikaning rivojlanishi
elektron asboblar texnologi
yasining takomillashuvi
bilan chambar-chars bog‘liq
bo‘lib, hozirgi kungacha …….
bosqichni bosib o‘tdi.
+: to'rt
-: uch
-: ikki
-: besh
I: ЭваС 2 узб
S: ……. bosqich asboblari:
rezistorlar, induktivlik
g‘altaklari, magnitlar,
kondensatorlar,
elektromexanik asboblar
(qayta ulagichlar, rele va
shunga o‘xshash) passiv
elementlardan iborat edi.
+: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………….. bosqich Li de Forest
tomonidan 1906 yilda triod
lampasining ixtiro qilinishidan
boshlandi.
+: ikkinchi
-: birinchi
-: uchinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: …………… bosqich
Dj. Bardin, V. Bratteyn
va V. Shoklilar
tomonidan 1948 yilda
elektronikaning asosiy
aktiv elementi bo‘lgan
bipolyar tranzistorning
ixtiro etilishi bilan
boshlandi.
+: uchinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: tortinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ………. bosqich integral
mikrosxemalar asosida
elektron qurilma hamda
tizimlar yaratish bilan
boshlandi va mikroelektronika
davri deb ataldi
+: to'rtinchi
-: birinchi
-: ikkinchi
-: uchinchi
I: ЭваС 2 узб
S: ...........– fizik, konstruktiv –
texnologik va sxemotexnik
usullardan foydalanib yangi
turdagi elektron asboblar –
integral mikrosxemalar va
ularning qo’llanish
prinsiplarini ishlab chiqish
yo’lida izlanishlar olib
borayotgan elektronikaning
bir yo’nalishidir
+: Mikroelektronika
-: Nanoelektronika
-: funksional elektronika
-: Akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: 1965 yildan buyon
mikroelektronikaning
rivoji ………. Qonuniga
muvofiq bormoqda,
ya’ni har ikki yilda
zamonaviy integral
mikrosxemalardagi
elementlar soni ikki
marta ortmoqda.
+: G. Mur
-: Dj. Bardin
-: V. Bratteyn
-: V. Shoklila
I: ЭваС 2 узб
S: …………. o‘lchamlari
0,1 dan 100 nm gacha
bo‘lgan yarimo‘tkazgich
tuzilmalar elektronikasi
bo‘lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo‘lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi.
+: nanoelektronika
-: mikroelektronika
-: funksional elektronika
-: akustikelektronika
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarning, shu
jumladan mikroprosessorlar va xotira
mikrosxemalarining asosiy aktiv
elementi bo’lib kremniyli
………– tranzistorlar xizmat qiladi.
+: MDYA
-: BT
-: Shottki transistor
-: Shottki baryerli
I: ЭваС 2 узб
S: Yarimo’tkazgich …………. eng
yuqori chastotali tranzistorlar,
lazerlar, hamda inegral sxemalar
(chiplar) yaratishning asosi bo’ldi.
+: geterotuzilmalar
-: Gomotuzilmalar
-: Tuzilmalar
-: gomogen tuzilmalar
I: ЭваС 2 узб
S: Optik aloqa tizimlari …….. ……….. optik modullarga ega
+: uzatuvchi va qabul qiluvchi
-: Uzatuvchi
-: qabul qiluvchitoplovchi
-: Toplovchi
I: ЭваС 2 узб
S: ……… optik modul elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi.
+: uzatuvchi
-: qabul qiluvchi
-: toplovchi
-: uzatuvchi va qabul qiluvchi
I: ЭваС 2 узб
S: …….. uzatuvchi optik modulning bosh elementi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……… elektr signallarni optik signallarga o’zgartirish uchun xizmat qiladi
+: nulanuvchi diod
-: fotodiod
-: qabul qiluvchi diod
-: fotoqabulqilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …….. qabul qiluvchi optik modulning bosh elementi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: ……. optik signalni elektr signalga aylantirish uchun xizmat qiladi
+: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: nurlanuvchi manba
-: qabul qilgich
I: ЭваС 2 узб
S: …………. optik diapazondagi elektromagnit tebranishlarni kuchaytirish va generasiyalash uchun xizmat qiluvchi kvant asbob.
+: Lazer
-: fotodiod
-: nulanuvchi diod
-: optron
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda ………….. rivojlanmoqda.
+: funksional elektronika
-: elektrovakumli elektronika
-: diskret elektronika
-: geliotexnika
I: ЭваС 2 узб
S: …………. asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi
+: magnitoelektron
-: kriogenelektron
-: optoelektron
-: akustikoelektron
I: ЭваС 2 узб
S: …………. deb, konstruksiyasi bo’yicha kristall yoki asosdan ajralmaydigan, elektroradioelementlar funksiyasini bajaruvchi integral mikrosxemaning qismiga aytiladi.
+: element
-: sxema
-: tizim
-: shaxobcha
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxemalarda elementlar bir – biri bilan ……… yo’li bilan ulanadi
+: metallash
-: oksidlash
-: ligirlash
-: diffuziyalash
I: ЭваС 2 узб
S: Integral mikrosxema ……… deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo’lgan integral mikrosxemaning bo’lagiga aytiladi.
+: komponenti
-: elementi
-: arxitekturasi
-: topologiyasi
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari yarimo’tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar …….. integral mikrosxema deb ataladi.
+: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
-: pardali
-: gibridli
I: ЭваС 2 узб
S: Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko’rinishida hosil qilingan mikrosxemalar ……… integral mikrosxema deb ataladi.
+: pardali
-: gibridli
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: yupqa pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 1-2 mkm
-: 5-10 mkm
-: 10-15 mkm
-: 100-200 mkm
I: ЭваС 2 узб
S: qalin pardali integral mikrosxemalar qalinligi
+: 10 mkmdan yuqori
-: 8 mkmdan yuqori
-: 5 mkmdan yuqori
-: 1 mkmdan yuqori
I: ЭваС 2 узб
S: ……. integral mikrosxema deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi.
+: Gibrid
-: pardali
-: yarimo’tkazgich
-: elektrovakumli
I: ЭваС 2 узб
S: Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo’tkazgich integral mikrosxemalar ………. integral mikrosxemalarga ajratiladi.
+: BT va MDYA
-: n va p
-: i va n
-: Shottki va Gan
I: ЭваС 2 узб
S: integral mikrosxema integratsiya koeffisienti K =1 bo`lsa –
+: oddiy
-: o’rtacha
-: katta
-: o’ta katta
@tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 1 № Qiyinl ik daraja si Savol A (To'g'ri javob) B C D 1 1 Elektr tokining issiqlik energiyasidan qaysi elektrqurilmalarda unumli foydalaniladi. elektrdazmollarda elektrodvigatellarda generatorlarda transformatorlarda 2 1 Quyida keltirilgan manbalardan qaysi biri o‘zgaruvchan elektr tok manbai hisoblanadi. ~220 V manba akkumulyator galvanik element fotoelement 3 1 O‘zgaruvchan tokni o‘garmas tokga aylantirish uchun … foydalaniladi: to‘g‘rilagichlardan elektrodvigatellardan isitkich qurilmalaridan yorug‘lik qurilmalaridan 4 1 Transformatorning vazifasi: o‘zgaruvchan tokni, chastotasini o‘zgartirmaganholda kuchlanish miqdorini oshiradi yoki tushuradi o‘zgarmas tokni o‘zgaruvchantokga aylantirib beradi o‘zgaruvchan tokni o‘zgarmastokga aylantirib beradi transformator chiqishidagi tokning tebranish chastotasini o‘zgartirib beradi 5 1 Tok kuchining o‘lchov birligini ko‘rsating. Amper Om Vatt Volt 6 1 Kuchlanishning o‘lchov birligini ko‘rsating. Volt Om Vatt Amper 7 1 Qarshilikning o‘lchov birligini ko‘rsating. Om Vatt Amper Volt 8 1 Elektr quvvatning o‘lchov birligini ko‘rsating. Vatt Amper Volt Om 9 1 O‘tkazuvchanlikning o‘lchov birligini ko‘rsating. Simens Om Amper Volt 10 1 Yuklamada iste’mol qilinadigan tokni o‘lchashuchun “Ampermetr” zanjirga qanday ulanadi? yuklama qarshiligiga ketma-ket yuklama qarshiligiga parallel yuklama qarshiligiga perpendikuly ar aralash @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 2 11 1 Elektr sig‘im (kondensator) quyidagi vazifani bajaradi. elektr maydon energiyasini yig‘adi magnit maydon energiyasini yig‘adi elektr energiyasini issiqlik energiyasiga aylantiradi elektr tokni kuchaytiradi 12 1 Kuchlanishni o‘lchash uchun “Voltmetr” o‘chovasbobini elektr zanjiriga qanday ulash lozim? yuklama qarshiligiga parallel yuklama qarshiligiga ketma-ket yuklama qarshiligi ichiga aralash 13 1 Elektr zanjir bu - … elektr tokini o‘tkazish uchunxizmat qiladigan elementlar yig‘indisi qurilma yoki zanjirlarni modellashtirish, o‘rganish va taxlil qilish uchun mo‘ljallangan dasturiy ta’minot elektr toki oqib o‘tmaydigan elementlar yig‘indisi yorug‘lik energiyasini isiqlik energiyaga aylantiruvchi optik qurilma 14 1 Rezistiv element quyidagi xossalar yordamida ifodalanadi. volt-amper xarakteristikasi veber-amper xarakteristikasi genri-amper xarakteristikasi kulon-volt xarakteristikasi @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 3 15 1 Zanjirning uch va undan ortiq shaxobchalarulangan joyi – … deb ataladi. tugun mustaqil kontur shaxobcha kontur 16 1 Zanjirning, faqat bitta tok oqib o‘tadigan qismi qanday ataladi? shaxobcha kontur tugun mustaqil kontur 17 1 Zanjirni kontur toklar usuli bilan hisoblashdaqaysi qonunlar qo‘llaniladi: Kirxgofning birinchi va ikkinchi qonuni Faradeyning birinchi va ikkinchi qonuni Djaulning birinchi va ikkinchi qonuni Amperning birinchi va ikkinchiqonuni 18 1 O‘zgaruvchan tok zanjiridagi aktiv quvvat Pqanday xususiyatga ega? elektr energiyasini boshqa turdagi energiyaga aylantirish xususiyatiga reaktiv elementlar va energiyamanbai orasida elektromagnit maydonlar almashinuvi xususiyatiga reaktiv elementlar va energiyamanbai orasida elektr maydonlar almashinuvi xususiyatiga elektr quvvatni boshqa energiya turlariga o‘rtalashtirish xususiyatiga 19 1 Elektr zanjiridagi aktiv quvvat P ning o‘lchov birligi qanday? Vatt (Vt) Volt-Amper reaktiv (VAR) Volt-Amper (VA) Makrovatt 20 1 Elektr zanjiridagi reaktiv quvvat Q ning o‘lchov birligi qanday? Volt-Amper reaktiv (VAR) Vatt (Vt) Volt-Amper (VA) Makrovatt 21 1 Elektr zanjiridagi to‘la quvvat S ning o‘lchov birligi qanday? Volt-Amper (VA) Volt-Amper reaktiv (VAR) Vatt (Vt) Makrovatt 22 1 Elektr o‘tkazgich deb …… aytiladi: erkin elektronlari mavjud bo‘lgan moddalarga qattiq kristall panjarali moddalarga neytral moddalarga erkin fotonlari bo‘lgan moddalarga 23 1 O‘zgarmas elektr toki yo‘nalishi quyidagicha belgilanadi: musbat qutbdan manfiy qutbga neytral zarralarning harakati orqali manfiy zaryadlangan zarralarning harakati orqali manfiy zaryadlangan fotonlarning harakati orqali 24 1 Tok kuchiga ta’rif bering. vaqt birligi ichida o‘tkazgichning ko‘ndalang kesimidan oqib o‘tgan elektr miqdoriga aytiladi protonlar va neytronlar miqdoriga aytiladi atomdagi protonlar miqdoriga aytiladi yadrodagi elektronlar miqdoriga aytiladi @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 4 25 1 O‘zgarmas tok bu … tebranishlar chastotasi f=0 bo‘lgan elektr toki tebranishlar chastotasi f>0 bo‘lgan elektr toki tebranishlar chastotasi f3eV -1,12eV -0,67eV #Germaniy elementining taqiqlangan zonasi ... ga teng. +0,67eV -1,43eV ->3eV -1,12eV #Dielektriklarning taqiqlangan zonasi ... ga teng. +>3eV -1,12eV -0,67eV -1,43eV @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 136 #Kremniy elementining taqiqlangan zonasi ... ga teng. +1,12eV @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 137 ->3eV -0,67eV -1,43eV #n - turdagi yarimo‘tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar ... +elektronlar -kovaklar -musbat ionlar -manfiy ionlar #n - turdagi yarimo‘tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok xosil qiladi? +elektronlar -kovaklar -musbat ionlar -manfiy ionlar #p- turdagi yarimo‘tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar. +kovaklar -musbat ionlar -manfiy ionlar -elektronlar #p- turdagi yarimo‘tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok xosil qiladi? +kovaklar -musbat ionlar -manfiy ionlar -elektronlar #p- turdagi yarimo‘tkazgich bu ... +akseptorli yarimo‘tkazgich -to‘liqsiz yarimo‘tkazgich @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 138 -donor kirishmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasiga teng yarimo‘tkazich -donorli yarimo‘tkazgich #i- turdagi yarim o‘tkazgich bu … @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 139 +xususiy yarimo‘tkazgich -akseptorli yarimo‘tkazgich -donor kirishmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasiga teng yarimo‘tkazich -donorli yarimo‘tkazgich #n-turdagi yarimo‘tkazgich bu ... +donorli yarimo‘tkazgich -xususiy yarimo‘tkazgich -akseptorli yarimo‘tkazgich -donor kirishmalar konsentratsiyasi akseptor kirishmalar konsentratsiyasiga teng yarimo‘tkazich #Qaysi element elektr maydon energiyasini o‘ziga zaxira qilish qobiliyatiga ega? +Kondensator -Transformator -Generator -Rezistor #Ketma-ket ulangan nominali 9 Om dan bo‘lgan 3 ta bir xil rezistorning umumiy qarshiligini toping. +27 Om -3 Om -36 Om -18 Om #Paralel ulangan nominali 9 Om dan bo‘lgan 3 ta bir xil rezistorning umumiy qarshiligini toping. +3 Om -27 Om -36 Om -18 Om #Zanjirda kuchlanish o‘zgarmas bo‘lganda, qarshilikning qiymati ikki marta kamaysa, tokning qiymati … +2 marta ortadi -2 marta kamayadi @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 140 -o‘zgarmaydi -4 marta ortadi # “Inpendans” so‘zining ma’nosi bu … +zanjirning ikki tugun orasidagi kompleks qarshiligi -zanjirning berk qismi uchun tok qiymati @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 141 -zanjirda kuchlanishni keskin ortib ketishi -zanjirda kuchlanishni keskin kamayib ketishi 185 #Tugunga 4 ta shaxobcha ulangan, agar kiruvchi toklar qiymati bo‘lsa, chiquvchi tok qiymati qanchaga teng? +-10A -25A -0 A -20 A #Tugunga 4 ta shaxobcha ulangan, agar kiruvchi toklar qiymati bo‘lsa, chiquvchi tok qiymati qanchaga teng? +-18A -10A -0 A -20 A #Tugunga 4 ta shaxobcha ulangan, agar kiruvchi toklar qiymati bo‘lsa, chiquvchi tok qiymati qanchaga teng? +-8A -13A -15 A -20 A #Kontur manbasining kuchlanishi U=20 V, ketma ket ulangan tebranish konurida, rezonans paytida, qarshilik: R=10 Om , L=100 mGn va C=100 mkF bo‘lganda tok miqdori qanchaga teng? +2A -1A -2,5A -0,5A #Aktiv qarshilik R=10 Om, kondensatorning sig‘imi C=100 mkF va induktivlik galtagi L=100 mGn ketma ket ulangan. Zanjirda kuchlanish rezonansi bo‘lganda, zanjirning to‘liq qarshiligini Z toping. +Z=10 Om -Z=200 Om -Z=100 Om @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 142 -Z=210 Om #Aktiv qarshilik R=5 Om, kondensatorning sig‘imi C=100 mkF va induktivlik galtagi L=100 mGn ketma ket ulangan. Zanjirda kuchlanish rezonansi bo‘lganda, zanjirning to‘liq qarshiligini Z toping. +Z=5 Om -Z=202 Om -Z=101 Om @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 143 -Z=210 Om #Beshta rezistor o‘zaro paralel ulangan. Qaysi rezistordan eng katta tok oqib utadi? + da n - dan -hammasidan bir xil - va dan #Beshta rezistor o‘zaro paralel ulangan. Qaysi rezistordan eng kam tok oqib utadi? + da n - dan -hammasidan bir xil - va dan #Sirusoidal kuchlanishning ta’sir etuvchi qiymati 100 V bo‘lsa, uning amplituda qiymati qancha? +141 V - 120 V - 220 V - 380 V #Sinusoidal kuchlanishning amplitudasi 100 V bo‘lsa, uning ta’sir etuvchi qiymati qancha? +70,7V -120V -220V @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 144 -141V #Sinusoidal tokning chastotasi 50 Hz bo‘lsa, uning davri qanchaga teng bo‘ladi. +0,02 sek -0,002 sek -0,2 sek -2 sek #Sinusoidal tokning chastotasi 100 Hz bo‘lsa, uning davri qanchaga teng bo‘ladi. +0,01 sek -0,002 sek -0,2 sek -2 sek @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 145 #O‘tkazgichning qarshiligi 10 Om, undagi tok kuchi 5 A bo‘lsa, u erdagi kuchlanish kanchaga teng? +50V -32V -73V -91V #Rezonans paytda, ketma-ket ulangan tebranish konurining qutblaridagi kuchlanish miqdori U=100 V, qarshilik miqdori R=100 Om, L=10 mGn va C=10 mkF bo‘lsa, u yerdagi tok miqdori qanchaga teng? +1A -2A -2,5A -0,5A #Rezonans paytda, ketma-ket ulangan tebranish konurining qutblaridagi kuchlanish miqdori U=10 V, qarshilik miqdori R=5 Om, L=10 mGn va C=10 mkF bo‘lsa, u yerdagi tok miqdori qanchaga teng? +2A -2,6A -3,6A -7,9A #O‘tkazgichning qarshiligi 100 Om, undagi tok kuchi 6 mA bo‘lsa, u erdagi kuchlanish kanchaga teng? +0,6V -50V -5V -30V 1.Aktiv rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ..... xizmat qiladi *asosiy zaryad tashuvchilarni tranzistor bazasiga injeksiyalash uchun 2.Analog signallarga ishlov berganda bipolyar tranzistor qaysi rejimda ishlaydi? @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 146 a) *aktiv 3. Arsenid galliyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi. a) *1,43 eV 4. Asosiy zaryad tashuvchilarda ishlaydigan diodni ko’rsating. a) *shottki baryerli diod 5. Baza zaryad tashuvchilarni ... xizmat qiladi. a) *uzatish uchun 6. Bipolyar transistor a) *elektr o’zgartiruvchi asbob 7. Bipolyar tranzistor... a) *ikkita p-n o’tish va uchta elektrodga ega 8. Bipolyar tranzistor... ishlatiladi. a) *elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun 9. Bipolyar tranzistor o’tishlarining effektiv tasirlashuvi qanday ta’minlanadi? a) *baza qalinligi noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan 10. ....... bipolyar tranzistorning aktiv rejimi amalga oshadi a) *emitter o’tish to’g’ri, kollektor o’tish esa teskari siljitilganda 11. ...... bipolyar tranzistorning berk rejimi amalga oshadi a) *ikkala o’tish teskari yo’nalishda siljitilganda 12. ...... bipolyar tranzistorning invers rejimi amalga oshadi a) *emitter o’tish teskari, kollek-tor o’tish to’g’ri siljitilganda 13. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida p-n o’tishlar toklarining bir-biriga tasiri yo’q? a) *berk 14. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter toki bilan boshqariladi? a) *aktiv 15. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter tokiga sust bog’liq? a) *to’yinish 16. Bipolyar tranzistorning qaysi ish rejimida kollektor toki emitter tokini boshqaradi? a) *invers 17. Bipolyar tranzistorning qaysi soasida kiritmalar konsentrasiyasi eng katta bo’ladi? a) *emitter 18. Bipolyar tranzistorning qaysi sohasida kiritmalar konsentrasiyasi eng kichik bo’ladi? a) *baza 19. ...... bipolyar tranzistorning to’yinish a) *ikkala o’tish 20. Varikapning ishchi rejimi qachon amalga oshadi? a*teshilish rejimiga o’tmagan teskari siljitish 21. Volt-amper xarakteristikasida manfiy differensial qarshilikka ega diod turi? @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 147 a) *tunnel diod 22. Germaniyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi. a) *0,67eV 23. Diodli tiristor... a) *uchta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega 24. Diffuziya - bu………. a) *kosentrasiyalar farqi tufayli zaryad tashuvchilarning harakati 25. Diodning ideallashgan VAX si…. e’tiborga olmaydi a) *tok hosil bo’lishiga diod p-n o’tishining qo’shgan hissasini 26. Diodning issiqlik teshilishi - bu a) *p-n o’tish qiziganda teskari tokning boshqarilmay-digan qaytmas jarayon natijasida ortishi 27. Diodning ko’chkili teshilishi - bu a) *p-n o’tishda to’qnashib ionlashtirish natijasida tokning keskin ortib ketishi 28. Diodning tunnel teshilishi - bu a) *valent elektronlarning p-sohadan n -sohaga tunnel o’tishi natijasida tokning keskin ortib ketishi 29. Dielektrik – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi a) *absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan o’zgarmaydi 30. Dielektrikning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi. a) *>3 eV 31. Invers rejimda bipolyar tranzistorning emitteri ...... xizmat qiladi a) *bazadan noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraksiyalash uchun 32. Injeksiya-bu……….. a) *n-p o’tish to’g’ri ulanganda elektronlar oqimi n sohadan p sohaga harakatlanadi, kovaklar esa teskari yo’nalishda harakatlanadi 33. Kollektor zaryad tashuvchilarni ... xizmat qiladi. a) *to’plash uchun 34. Kompensasiyalangan yarimo’tkazgich - bu a) *donor kirish-malar konsen-trasiyasi akseptor kirishmalar konsentrasiyasigi teng yarimo’tkazich 35. Kremniyning taqiqlangan zonasi kengligi ... tashkil etadi. a) *1,12 eV 36. Kuchlanishni barqarorlashtirishda qo’llaniladigan diod turi? a) *stabilitron 37. Maydoniy tranzis-torning qaysi turida stok toki faqat kanal sohasi kengligining o’zgarishi hisobiga amalga oshadi? a) *zatvori p-no’tish bilan boshqarila-digan maydoniy tranzistor 38. Metall-yarimo’tkazgich o’tishli diod turi? a) *shottki diodi 39. Nurlanuvchi diod a) *elektr yoritgich asbob @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 148 40. Nurlanuvchi diod nurining to’lqin uzunligi ...... bog’liq a) *diod tayyorlangan materialga 41. Nurlanuvchi diod... ishlatiladi. a) *elektr signallarni optik signallarga aylantirish uchun 42. Rezistor volt-amper xarakteristikasini belgilang. a) * R U I 43. Rekombinasiya –bu……... a) *erkin zaryad tashuv-chilarning yo’qolish hodisasi 44. Signallarni uzatishda zanjirlarni uzish uchun (tranzistor eng katta qarshilikka ega) tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi? a) *berk rejim 45. Signallarni uzatishda zanjirlarni ulash uchun (tranzistor eng kichik qarshilikka ega) tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi? a) *to’yinish rejimi 46. Signalni buzilmagan holda kuchaytirish uchun tranzistorning qaysi rejimi ishlatiladi? a) *aktiv rejim 47. Stabilitronning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating). a) *elektr teshilish rejimi 48. Stabistorning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating). a) *to’g’ri siljitilgan 49. Sxemalarda varikap ... ishlatiladi. a) *elektr kondensator sifatida 50. Sxemalarda stabistor ... ishlatiladi. a) *kuchlanishni stabilizasiya-lash uchun 51. Sxemalarda yarimo’tkazgichli diod ... ishlatiladi. a) *o’zgaruvchan tokni o’zgarmasga aylantirish uchun 52. Sxemalarda bipolyar tranzistor... ishlatiladi. a) *signallarni quvvatini kuchaytirish uchun 53. Sxemalarda MDYa- tranzistor... ishlatiladi. a) *kuchlanish kuchaytirgichi sifatida 54. Sxemalarda zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan tranzistor... ishlatiladi. a) *kuchlanish kuchaytirgichi sifatida 55. Termorezistor a) *termoelektrik asbob 56. ..... termorezistor toki qiymati o’zgaradi a) *atrof muxit temperaturasi o’zgarishi bilan 57. Teskari ulangan fotodiod toki a) *yoritilganlik ortishi bilan ortadi 58. Tetrodli tiristor... @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 149 a) *uchta p-n o’tish va to’rtta elektrodga ega 59. Tiristor ... a) *uchta p-n o’tish va uchta elektrodga ega 60. To’g’irlovchi diod a) *elektr o’zgartiruvchi asbob 61. To’g’irlovchi diodning ishchi rejimini belgilang(ko’rsating). a) *to’g’ri va teskari siljitishlar-ning davriy almashishi 62. Fotodiod a) *fotoelektrik asbob 63. Fotodiod ... ishlatiladi. a) *optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun 64. Fotodiod .... o’zgartiradi a) *optik signalni elektr signalga 64. Fotodiod .... o’zgartiradi a) *optik signalni elektr signalga 65. Fotorezistor a) *fotoelektrik asbob 66. ..... fotorezistor fototoki qiymati o’zgaradi a) *yoritilganlik o’zgarishi bilan 67. Fototranzistor ... ishlatiladi. a) *optik signallarni elektr signallarga aylantirish uchun 68. Xususiy yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng. a) * i P i n 69. Xususiy yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) *elektronlar va kovaklar 70. Elektrovakuumli diod volt-amper xarakteristikasini belgilang. a) * 2 3 I GU 71. Elektrovakuumli triod volt-amper xarakteristikasini belgilang. a) * 2 3 a G UT DU a I 72. Emitter zaryad tashuvchilarini ... xizmat qiladi. a) *injeksiyalash uchun 73. Yarimo’tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi a) *absolyut nol temperaturada nolga teng va temperatura ortishi bilan ortadi 74. Yarimo’tkazgichli diod volt-amper xarakteristikasini belgilang. a) * exp 1 0 T U I I 75. Yarimo’tkazgichli diod .. ishlatiladi. a) *elektr signallarni elektr signallarga aylantirish uchun @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 150 76. Yarimo’tkazgichli diod... a) *bitta p-n o’tish va ikkita elektrodga ega 77. O’tkazgich – bu kristall qattiq jism, uning elektr o’tkazuvchanligi a) *absolyut nol temperaturada maksimal qiymatga ega va temperatura ortishi bilan kamayadi 78. O’zgaruvchan elektr kondensator sifatida qo’llaniladigan diod turi? a) *varikap 79. Qaysi tranzistor tuzilmasida dielektrik qatlam qo’llaniladi? a) *MDYa tranzistorda 80. Qaysi tranzistorda kanali boyitilgan va kambag’allashgan rejim amalga oshadi? a) *kanali qurilgan MDYa maydoniy tranzistor 81. Qaysi tranzistorda kanali boyitilgan rejim amalga oshadi? a) *kanali induksiyalangan MDYa maydoniy tranzistor 82. Qanday bipolyar tranzistor eng tezkor ishlaydi? a) *baza kengligi kichik, unda n- turli kiritmalar notekis taqsimlangan 83. p-yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi ? a) *kovaklar 84. p-n o’tishda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi ? a) *elektronlar va kovaklar 85. p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor... a) *bitta p-n o’tish va uchta elektrodga ega 86. p-n o’tish to’g’ri siljitilganda tashqi kuchlanishning ... a) *manfiy uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon kamayadi 87. p-n o’tish teskari siljitilganda tashqi kuchlanishning ... a) *musbat uchi n-sohaga ulanadi, natijaviy maydon ortadi 88. p-n o’tish to’g’ri ulanganda ... a) *uning kengligi kamayadi, baryer sig’imi esa ortadi 89. p-n o’tish teskari ulanganda ... a) *uning kengligi ortadi, baryer sig’imi esa kamayadi 90. p-n o’tish baryer sig’imi ... aniqlanadi. a) *uning kengligi bilan 91. p-n o’tish kengligi nimalarga bog’liq? a) *teskari ulangan kuchlanishga bog’liq 92. p-turdagi yarimo’tkazgich - bu a) *akseptor kirishmali yarimo’tkazgich 93. p- turdagi yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng. a) * Pp Na 94. n- turdagi yarimo’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentrasiyasi ... teng. a) * n Ng n @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 151 95. n- turdagi yarimo’tkazgich - bu a) *donor kirishmali yarimo’tkazgich 96. n- turdagi yarimo’tkazgich - bu a) *donor kirishmali yarimo’tkazgich 97. n- yarimo’tkazichlar uchun qaysi zaryad tashuvchilar asosiy hisoblanadi? a) *elektronlar 98. n- yarimo’tkazgichda qaysi zaryad tashuvchilar tok hosil qiladi? a) *elektronlar 99. n-p-n turli bipolyar tranzistorning chegaraviy chastotasi nima bilan aniqlanadi? a) *elektronlarning bazadan uchib o’tish vaqti. 100. Xususiy yarim o’tkazgichlarda fermi-energetik sathi qayerda joylashgan? a) * Taqiqlangan zona o’rtasida 101. n-tur yarim o’tkazgichda Fermi energetik sathi qayerda joylashgan? a) * Donor sathi va valent zonasi tepasining o’rtasida 102. Vaqt o’tishi bilan yarim o’tkazgichda zaryad tashuvchilar konsentrasiyasining o’zgarishi nimaga asoslangan a) * zaryad tashuvchlar rekombinasiyasi, diffuziyasi va dreyf ta’siriga 103. Ichki fotoeffekt deb nimaga aytiladi? a) .*Yorug’lik ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi 104. Kovak nima? a) *Elektron bo’lmagan o’rni va musbat zaryadlangan kvazizarracha 105. p-n kambagallashgan sohalar kengligi a) * 2 1 1 / 2 1 / 2 0 * ( / ) ( / ) 2 ( ) / Na Nd Nd Na l E Na Nd eU 106. p-n o’tishning to’liq potensiallar farqi a) * 2 ( ) ( ) 2 2 0 A p d n e N x N x U U Xn U Xp 107. p-n o’tishda injeksiya….. a) *p-n o’tishda potensial to’siq balandligi pasaytirish hisobiga zaryad tashuvchilarning asosiy hisoblangan sohaga o’tkazish 108. Qarshiliklari teng bo’lgan ikkita fotorezistor o’zgarmas kuchlanish manbaiga ketma-ket ulandi. Fotorezistorlarning biri yoritish natijasida zanjirdagi tok kuchi bir yarim marta oshgan bo’lsa, uning qarshiligi necha marta kamaygan. a) *3 109. p n o’tishning elektr sig’imi a) * 2 1 0 0 *( /( )) ( / 2( )) NaNd Nd Na e U U C 110. p n o’tishda teshilish mexanizmining turlari? a) *Ko’chki, issiqlik va tunnel 111. Tranzistorlarni ulash sxermalari? @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 152 a) *Umumiy baza, umumiy kollektor, umumiy emitter 112. Umumiy baza asosida ulangan ikki qutbli tranzistorga qanday kuchlanish berilganda aktiv rejimda ishlatiladi a) *Emmiterli o’tishga to’g’ri, kollektorli o’tishga teskari 113. Yarim o’tkazgichli stabilitronning ishlatilishi a) * Kuchlanishni doimiy saqlab turishda 114. Qaysi diodning V.A.X.si N-simon bo’lib V.A.X.-si manfiy differensial qarshilikka ega a) *Tunnel diodi 115. Varikap nima ? a) *Teskari ulangan sigimi maydon kuchlanganligiga bog’liq asbob 116. Maydonli tranzistorining ishlash jarayoni nimaga asoslangan a) *Yarim o’tkazgichning elektr qarshiligi, shu materialga qo’yilgan maydon bilan boshqarilib, elektr toki tashishda bir xildagi zaryad tashuvchilar ishtirokiga 117. Elektr maydonda elektronga ta’sir etuvchi asosiy kuch? a) *Kulon kuchi 118. Elektron qurilmaning aktiv elementlariga nimalar kiradi? a) *Diod, tranzistor, tiristor va h 119. Elektron qurilmalarning passiv elementlariga nimalar kiradi? a) *Rezistor, kondensator, induktiv galtak 120. * p-n kontakt sohasida o’z elektroni va kovagini yo’qotgan turg’un ionlar joylashgan soha a) * p-n kontakt sohasida o’z elektroni va kovagini yo’qotgan turg’un ionlar joylashgan soha 121. p- turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan soha hosil qilish uchun kremniyga qanday aralashmalar kiritish mumkin? a) *In, Ga, Al; 122. Diffuziya yo’li bilan p-n o’tish olishda diffuziyaviy qatlam chuqurligining qiymati qaysi kattaliklar bilan aniqlanadi? a) *Aralashma konsentrasiyasi, diffuziya koeffisiyenti, diffuziya vaqti va harorati; 123. Integrasiya darajasi lgN=5 bo’lgan IMS larda elementlar soni qancha? a) * 100000; 124. Quyidagi ifodalardan qaysi biri p-n o’tishning to’siq sig’imini ifodalaydi? a) * W A Сб 0 (A- p-n o’tishning yuzasi, W – uning kengligi; 125. Shottki diodi …………dan iborat. (nuqtalar o’rniga mos keluvchi javobni qo’ying.. a) *Metall – yarim o’tkazgich 126. Shottki diodning asosiy afzalliklari quyidagilardan iborat: a) *Ochilish kuchlanishi past, tezkor 127. Integrasiya darajasi qanday oraliqda bo’lgan IMS lar katta IMS lar deyiladi? a) * 5≥ lgN>2 128. Eng ko’p ishlatiladigan yarim o’tkazgichli materyallarlarga nimalar kiradi. a) *Kremniy va germaniy 129. Yarim o’tkazgichli materiallarda asosiy zaryad tashuvchilarni ko’rsating? a) *Elektronlar, kovaklar @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 153 130. Berilgan tengliklardan qaysi biri xususiy yarim o’tkazgichlarga xos? a) *ni= pi 131. Integral mikrosxemaning turlari. a) *Gibrid va yarimo’tkazgich 132. Yarim o’tkazgichnining temperaturasi ko’tarilganda uning qarshiligi qanday o’zgaradi? a) *kamayadi 133. Tunnel diodida p-n o’tishning qanday yarim o’tkazgichlardan yasalgan bo’ladi a) *aynigan yarim o’tkazgichlardan 134. Tranzistor nechta rejimda ishlaydi? a) *4 135. Tranzistorning ishlash jarayoni qanday omillarga asoslangan a) *zaryad tashuvchilar injeksiyasi, diffuziyasi va rekombinasiyasiga 136. Agar tranzistorning emitterga to’g’ri yo’nalishda kollektorga teskari yo’nalishda kuchlanish qo’yilsa, u qanday rejimda ishlaydi a) *aktiv 137. Maydonli tranzistorlarning qarshiligi qanday elektr maydoni bilan boshqariladi? a) *ko’ndalang 138. Qanday maydonli tranzistor mavjud? a) *boshqariladigan p-n – o’tishli va metall – dielektrik – yarim o’tkazgich 139. Uchta va undan ortiq p-n o`tishlarga hamda ikkita ulash uchiga ega bo`lgan elektron sxemalarida elektr tokini katta ulashda elekron kalit vazifasini bajaradigan yarim o`tkazgichli asbobga ...... deyiladi. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying a) *Tiristor 140. Yarim o’tkazgich elektr qarshiligining elektromagnit nurlar ta’sirida o’zgarish hodisasi ...... deb ataladi. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying a) *fotoo’tkazuvchanlik 141. Yorug’lik diodi nurlanadigan p-n – o’tishdan iborat bo’lib, bunda nimaning hisobiga nurlanish chiqariladi. a) *zaryad tashuvchilar rekombinatsiyasi 142. p p – n – o’tish asosida yaratilgan chiziqlimas kondensatorlar nima deb ataladi a) *varikaplar 143. Kirish kuchlanishining nisbiy o’zgarishini chiqish kuchlanishining, ya’ni stabilizasiya kuchlanishining nisbiy o’zgarishiga nisbati nima deb ataladi a) *stabilizasiya koeffisiyenti 144. Kirish va chiqish qismi elektr izolyasiyali optik bog’lanishga ega bo’lgan nurlanish manbai va qabul qiluvchi (fotopriyomnik. dan tashkil topgan yarim o’tkazgichli optoelektron qurilma hisoblanadi. Bu qanday qurilma? a) *optopara 145. Ko’chkili diod deb qanday diodga aytiladi? a) *teskari rejimda ishlovchi va o’ta yuqori chastotali tebranishlar hosil qilish uchun qo’llaniladigan diodlarga 146. Tiristorlarda qanday teshilish turlarini kuzatish mumkin a) * barcha javoblar to’g’ri @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 154 147. p-n o’tishda issiqlikka aylanayotgan elektr quvvatini haroratga bog’liqligi qaysi ifodada keltirilgan a) kT W W tesk c b P U J e 3 0 148. Nuqtalar o’rniga kerakli so’zni qo’ying. Mikrozarrachalarning (elektronlarning) to’liq energiyasi potensial to’siq balandligidan kichik bo’lsa ham, shu to’siq bo’ylab o’z energiyasini o’zgartirmasdan o’tib ketishiga …. deb ataladi a) *Tunnel effekti 149. Optotiristorning trinistorga nisbatan afzalligi qanday? a) *optik bog’langan va elektrik uzilganligi har xil elektrik shovqinlardan xalos qiladi va uning qo’llanilish sohalarini oshiradi 150. Quyidagi gapda nuqtalar o’rniga to’g’ri keladigan javobni tanlang: rux xalkogenlari, kadmiy va simob elementlari ...... tipidagi yarim o’tkazgichli birikmalar hisoblanadi. a) *AIIBVI 151. Donorli yarim o’tkazgichlarda elektr o’tkazuvchanlik …….. hisobiga paydo bo’ladi. a) *Asosan elektronlar; 152. Akseptorli yarim o’tkazgichlarda elektr o’tkazuvchanlik …….. hisobiga paydo bo’ladi. a) *Asosan kovaklar; 153. Yarim o’tkazgichlarda tashqi ta’sir natijasida ………..generasiya jarayoni deyiladi. a) *Zaryad tashuvchilarning paydo bo’lishiga; 154. Yarim o’tkazgichlarda elektronlarning kovaklar bilan birikib yo’qolish jarayoniga ……… deyiladi. a) *Rekombinasiya; 155. Varikap sig’imining temperaturaviy koyeffisiyenti? a) / * ; C,B C C T 156. p n o’tishda ekstraksiya hodisasi deb nimaga aytiladi? a) * p n o’tishda asosiy zaryad tashuvchilarning elektr maydon ta’sirida so’rib olinishiga 157. p-n o’tishda injeksiya….. a) *p-n o’tishda potensial to’siq balandligi pasaytirish hisobiga zaryad tashuvchilarning asosiy hisoblangan sohaga o’tkazish 158. Akseptorli aralashma nima? a) *elektronlarni qabul qiluvchi, erkin kovaklar vujudga keltiruvchi aralashma. 159. p n o’tishni qaysi usullar bilan olish mumkin? a) * Diffuziya, epitaksiya va eritish 160. p n o’tishga qaysi yo’nalishda kuchlanish qo’yilganda stabistorlar kuchlanishni stabillashda ishlatiladi? a) * To’g’ri 161. Kirxgof birinchi qonunini simvolik shaklda yozing ….. a) 0 k I 162. Reaktiv qarshilik ifodasini ko’rsating. a) * 2 2 R X 163. Zanjirning R qarshilikdan iborat bo’lgan bo’lagidagi aktiv oniy quvvat ifodasini yozing. a) *p = u I 164. Zanjirning L induktivlikdan iborat bo’lgan bo’lagidagi oniy quvvat ifodasini yozing. @tuit_team kanali uchun Elektronika va sxemalar 1 fanidan ehtimoliy yakuniy nazorat savollari 155 a) *p = U I (1+ cos 21t) 165. Kompleks quvvat S ifodasini ko’rsating. a) * j S U I e 166. Keltirilgan tengliklardan qaysi biri sinusoidal o’zgaruvchan tok uchun noto’g’ri yozilgan: a) *U U ўр 167. R,L va C elementlari ketma-ket ulangan sinusoidal tok zanjiriga yozilgan tenglamalarning qaysi birida xato bor: a) * Xc 2fC 168. Quvvatni ifodalovchi formulalarning qaysi biri hato yozilgan: a) * S UR Q UI 169 Keltirilgan tengliklardan qaysi biri kuchlanishlar rezonansiga to’g’ri kelmaydi: a) *Ur U 170. Quyidagi tengliklardan qaysi biri toklar rezonansiga to’g’ri kelmaydi: a) *IL
|
| |
