Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad

IMSlarni tayyorlash

IMS tayyorlash uchun planar, planar – epitaksial texnologiya – lardan foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar p – yoki n – turli yarimo’tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar – epitaksial texnologiyasida lementlar asos sirtiga o’stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.

Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma – navbat donor va akseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida turli o’tkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlamlar chegarasida p – n o’tishlar hosil bo’ladi. Alohida qatlamlar rezistorlar sifatida, p – n o’tishlar esa diod va tranzistor tuzilmalari sifatida ishlatiladi. Kondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p – n o’tishlar xizmat qiladi.

IMS tayyorlashda yarimo’tkazgich asosning bir tomoniga ishlov beriladi, hosil qilingan elementlarning chiqish elektrodlari plastina sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun “planar texnologiya” deb nom berilgan.

Yarimo’tkazgich IMSlarni tayyorlashda operatsiyalar ketma – ketligi mikrosxemada elementlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan belgilanadi: elementlarni teskari siljitilgan p – n o’tishlar bilan izolatsiyalash; dielektrik (S qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu munosabat bilan yarimo’tkazgich IMSlar tayyorlashni ikkita asosiy jarayoni:

Yarimo’tkazgich IMSlarni tayyorlashda operatsiyalar ketma – ketligi mikrosxemada elementlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan belgilanadi: elementlarni teskari siljitilgan p – n o’tishlar bilan izolatsiyalash; dielektrik (S qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu munosabat bilan yarimo’tkazgich IMSlar tayyorlashni ikkita asosiy jarayoni:

• 
  Elementlarni p – n o’tish bilan izolatsiyalovchi planar – epitaksial texnologiya ;
  
• 
  Dielektrik qatlam S yordamida izolatsiyalovchi planar – epitaksial texnologiya.
  
  
  
  Download 10.16 Kb.