|
Radioelektronikada foydalaniladigan radiomateriallar va radiokomponentlar haqida umumiy ma’lumotlar
|
bet | 1/4 | Sana | 16.05.2023 | Hajmi | 240.5 Kb. | | #60213 |
Bog'liq Mustaqil ish Tourism in Uzbekistan, Mustaqil ish 2, 1682432875, Kurs ishi 3 mavzu xulosa, Расходный кассовый ордер, Algorithms Unlocked (Thomas H. Cormen), WdH331ah1sEEBJbD5pX6P4F52TbFLojVXKi8zjDH, Мирный журналистика, Биофизика сердца Работа и мощность сердца Миокард, 37604, siyosat pos, 4-5-6-amaliy mashg\'ulot, siyosat pos, янги классификатор
Mavzu: Radioelektronikada foydalaniladigan radiomateriallar va radiokomponentlar haqida umumiy ma’lumotlar
Reja :
Aktiv va passiv radiokomponentlar haqida umumiy tushuncha.
Aktiv radiokomponentlar va ularning vazifalari.
Passiv radiokomponentlar.
XULOSA.
Foydalanilgan adabiyotlar.
Radiotexnika da aktiv va passiv komponentlar
mavjud. Bu ikkala komponent turlari arasida bir necha farq bor.
Aktiv komponentlar:
Tranzistorlar
Integrlanganli sxemalar (mikroshemalar, mikrokontrollerlar)
Operatsion yonkorlar (OP-AMP)
Kislota akkumulyatorlar (batareyalar)
Jeneratorlar
Passiv komponentlar:
Rezistorlar
Kondensatorlar
Induktorlar
Diode va tranzistorlar uchun oxirgi (load) rezistorlari
Aktiv va passiv komponentlar tufayli sxemalar va qurilmalar yaratish mumkin. Aktiv komponentlar ko'pincha ustunlikni kamaytirish, signalni kuchaytirish va modifikatsiya qilishga yordam beradi. Passiv komponentlar esa ko'pincha o'z vazifasini
tushunmaydi, ya'ni ulardan foydalanib tizimni
boshqarish mumkin emas.
Tranzistor
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish,generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va
parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n- tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi.
Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n
oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas.
Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro
atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy
oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa,
aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar
tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90- yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy
tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha
Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi.
Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan
oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan,
VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX
asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“
(poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
|
| |