|
-§. MDYa- tranzistorlarda fotoelektrik hodisalar
|
| bet | 6/11 | | Sana | 20.09.2022 | | Hajmi | 1.67 Mb. | | #26119 |
Bog'liq 8-bob Algebra 8-klass, malumotnona, baholar bayonnomasi, 9-sinf, 11-mavzu xurshid do‘stmuhammad qissalari tahlili reja X. Do„st, Dustmuratov 1-qism1 (4), Metodbirlashma rejasi2022-2023, 2 sinf ona tili va o\'qish savodhonligi navbatda turishni bilasizmi (2), 8-iqtisod, Jononov domlaga dastur555555555555, Резюми Бобур ака янги, 9ameliy, 1-3 bsinf, 4.1 Бартел Шкаласи8.6-§. MDYa- tranzistorlarda fotoelektrik hodisalar
Metall-dielektrik-yarimo’tkizgichli (MDYa) struktura izolyatsiyalangan boshqaruvchi elektrodli (zatvorli) maydoniy tranzistorlarning asosi bo’ladi. Hozir MDYa-tranzistorining ikki turi mavjud, ularning birida tok o’tkazuvchi kanal oldindan paydo qilingan, ikkinchisida esa mazkur kanal maydon tasirida hosil qilinadi. MDYa-tranzistorlar (8.3-rasm) ikkita yoki o’tishlardan iborat.
8.13-rasm. Induksiyalangan kanalli va kanalli MDYa- tranzistorning tuzilishi.
MDYa-strukturaning yarimo’tkizgich sohasini qarshiligi uning geometrik o’lchamlari va elektrofizik hossalari bilan aniqlanadigan o’ziga hos resistor deb qarash mumkin. MDYa strukturalarda boshqaruvchi elektrodlarning mavjud bo’lishi dielektrikka yondashgan yarimo’tkizgich qatlamining qarshiligini o’zgartirish (modulyatsiyalash) imkonini beradi. Endi MDYa-tranzistorlar ishlashi mexanizmini qarab chiqamiz.
Oldindan paydo qilingan kanalli MDYa-tranzistor zatvoriga musbat kuchlanish berilganda dielektrik bilan yarimo’tkizgich chegarasida elektronlar ko’payadi, manfiy kuchlanish berilganda – kanal sohasida elektronlar kamayadi, uning qarshiligi ortadi, paynov- manba zanjirida tok kamayadi (8.14-rasm).
8.14-rasm. Tashqi kuchlanish quyilgan kanalli MDYa- tranzistor uning volt-amper xarakteristikasi soha triod rejimi, soha to’yinish rejimi deb ataladi).
Tasir orqali hosil qilinadigan kanalli MDYa-tranzistorlarda pli diffuzion soha bo’lmaydi. Zavodda kuchlanish bo’lmaganda manba-paynov elektr zanjiri bir-biriga qarshi ulangan ikki o’tishdan iborat bo’ladi. Manba – paynov kuchlanishi har kutubli bo’lganda ham o’tishlardan biri teskari yo’nalishda ulangan va undan kichik tok o’tadi. Zatvorga musbat kuchlanish berilganda yarimo’tkizgichning dielektrik bilan chegarasi sohasida kovaklar konsentratsiyasi kamayadi va kuchlanish ma’lum qiymatga erishganda elektronlarning sirtdagi (chegaradagi) konsentratsiyasi kovaklarnikidan ortib ketadi, ya’ni o’tkazuvchanlik tipi o’zgaradi. Bunda paynov va manbaning sohasini tutashtirganda sirtda tipli inversion kanal hosil bo’ladi, manba-paynov zanjiridan tok o’tadi. Shuning uchun, ta’sir ostida paydo qilinadigan (induksiyalangan) kanalli MDYa-tranzistorlar, oldindan paydo qilingan kanallli MDYa-tranzistorlardan farqli ravishda, zatvordagi kuchlanishning faqat bir (musbat) ishorasida ishlay oladilar.
Demak, MDYa- tranzistorlarning ishlash prinsipi oldindan hosil qilinhan kanal qarshiligining zatvordagi kuchlanish qutbi va kattaligi o’zgarganda o’zgarishiga (modulyatsiyalanishiga) asoslangan.
Induksiyalangan kanalli ( tipli taglik) MDYa-tranzistorining xarakteristikasiga yoritishning ta’sirini qarab chiqaylik. Zatvorga yarimo’tkizgichning sirt qatlamini (o’tkazuchanlik bo’yicha) kuchli inversiya siljitadigan kuchlanish berilgan bo’lsin.
Agar MDYa-tranzistorni elektron-kovak juftlari hosil qiladigan yorug’lik bilan yoritilsa, bu holda hajmiy zaryad sohasi (QZS)da hamda kvazineytral hajmda nomuvozanat holatdagi juftlar vujudga keladi. Hajmiy zaryad sohasi yaqinidagi qatlamda va QZS ning o’zida paydo bo’lgan zaryad tashuvchilarni QZS ning maydoni ajratib yuboradi. Asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar sirtga tortiladi va o’tgazuvchanlik kanalini tashkil qilishda qatnashadi. Bunda tashqi manba hosil qilgan maydon ekranlanadi, asosiy zaryad tashuvchilarni maydon kvazineytral hajmda chiqaradi, zaryadlarning qayta taqsimlanish jarayoni generatsion-rekombinatsion oqimi barqarorlashguncha davom etadi. Sirtiy QZS chuqurligi gacha kamayadi, bu esa kanal qarshiligining kamayishi bilan birgalikda sodir bo’ladi va paynov-manba toki o’sadi.
Triod rejimda fototok va sezgirlik koeffitsienti manba va paynov orasidagi kuchlanishga proporsionaldir:
(8.71)
(8.72)
Bu yerda kanaldagi zaryad tashuvchilar harakatchanligi, kanalning kengligi va uzunligi, - inversion kanaldagi zaryad tashuvchilarning to’la va muvozanatli konsentratsiyalari.
MDYa-tranzistor umumiy manba va uzuq taglik sxemasiga ulangan holda u dastlabki holatda umumiy emitterli va uzuq bazali biqutbiy tranzistor sifatida qaralishi mumkin. Tajriybalar natiyjalariga ko’ra zatvorning kuchlanishi ortib borganda qorong’ulikda tok ortib borib, so’ng to’yinadi. Fototokning zatvor kuchlanishiga bog’lanishi maksimumli chiziq ko’rinishida bo’ladi. o’sganda fototokning ortishiga sabab- kanal ochila brogan sari fototoktashuvchilar konsentratsiyasining ortishidir. Fototokning kamayishi, chamasi, dielektrik –ya’rimo’tkizgich chegarasida zaryad tashuvchilar sochilishi tufayli sirtdagi harakatchanlikning kamayishi oqibatidir. ning gabog’lanishi chiziqlidir, bu hol esa fononlarda sochilish uchun harakatlidir. Kremniy MDYa-fototranzistor spektrining 0.22-2.5 mkm sohasida fotosezgirdir. Infraqizil sohadagi fotosezgirlikning sababi shundaki, sirt sohasining kambag’allashishi (inversiya) sharoyitida valent zonadan bo’sh sirt holatlariga elektronlarning o’tishi oqibatida paydo bo’lgan chegarasida tutqichlar ushlab ololmaydi. IQ sohada (hususiy yutulish chegarasidan tashqarida) fototokning spektral bog’lanishi yarimo’tkazgichning taqiqlanganzonasi bo’yicha sirt elektronholatlarining taqsimlanishi bilan aniqlanadi. 1.1-1.6 mkm sohadagi fotosezgirlik sohalari radiatsion nuqsonlarga bog’likdir. Ko’rinadigan va ultrabinafsha sohada fotosezgirlikni asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar belgilaydi:
(8.73)
To’lqin uzunligining 0.2-.04 mkm sohasida fotosezgirlikning keskin o’sishi zaryad tashuvchilar yashash vaqtining ortishi bilan bog’lik bo’lib, yashash vaqtning ortishiga esa va orasida elektronlar almashinishi, Brillyen zonasi kritik nuqtalar atrofida zonalararo o’tishlar yuz berishi sababchidir.
MDYa-tranzistorlarining afzalliklari: ularning tezkorligi kamshovqinligi, katta kirish qarshiligi atmosferada barqaror ishlash hususiyati, nostatsionar kambag’allanish rejimida fotosezgirlik bo’sag’asining pastligi yuqori radiatsion chidamlilik, tashqi elektr maydon bilan fotosezgirlikni boshqarish imkoniyatining mavjudligi.
8.7-§. Geteroo’tishlarda fotoeffekt
|
| |
