|
Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud
|
| bet | 6/8 | | Sana | 08.10.2023 | | Hajmi | 196.59 Kb. | | #87190 |
Bog'liq 1.0-Zamonaviy kompyuterlarning arxi(6-22) ALFIYAAAAAAAA, Taqdimot 91-21 7.8.9, Abdulhamid Cho\'lpon, МАЖМУА ЧКБТ 3-КУРС, Презентация, Asliddin, KOVALENT BoG, 11 sonf yakuniy nazoratlari, Amaliy Mashg\'ulot, Контроль качества пищевых продуктов, maruza2, maruza1, btl 5 lab, Korxona slayd| 6. Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud
SIMM (Single Inline Memory Module) - ulanish nuqtalari bir tomonda joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida - модуль памяти с односторонним расположением выводов);
DIMM (Dual Inline Memory Module - ulanish nuqtalari ikki tomonda joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida - модуль памяти с двухсторонним расположением выводов).
SIMM platalarda bir tomonda joylashtirilgan ulanish nuqtalariga (kontaktlarga) ega bo‘lib, bunday modullarda bir taktli siklda ma’lumotlami uzatish tezligi 32 bitni tashkil qiladi.
DIMM platalari esa ikki tomonda joylashgan, har birida 84 tadan, jami 168 ta ulanish nuqtasiga ega. Ushbu xildagi modullarda bir taktli siklda ma’lumotlami uzatish tezligi 64 bitni tashkil qiladi, ya’ni avvalgisidan ikki barobar tezkorroq.
Dinamik TXQ (Dynamic RAM - DRAM). Bu xildagi xotirani qurishda triggerlar ishlatilmaydi. Dinamik TXQ tranzistorlar va juda kichik kondensatorlardan qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. Kondensatorlar zaryadlangan va zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi mumkin, bu hol 1 va 0 ni saqlash imkonini beradi. Kondensatorda zaryad yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi sababli, bu xildagi xotirada ma’lumotlar yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-vaqti bilan qayta zaryadlanib turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni saqlash uchun 1-ta tranzistor va 1 ta kondensator kerak bo‘ladi. Statik TXQda esa bir bit axborotni saqlash uchun kamida 6-ta tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun asosiy xotira deyarli har doim dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik TXQga nisbatan ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:
FPM (Fast Page Mode) - tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik xotira (rus tilida - быстрый постраничный режим);
EDO (Extended Data Output) - ulanish nuqtalarining imkoniyatlari kengaytirilgan dinamik xotira - (rus tilida - память с расширенными возможностями вывода);
DRAM, SDRAM (Synchronous RAM) - sinxron dinamik TXQlari (rus tilida - синхронное динамическое ОЗУ);
DDR (Double Data Rate) - ma’lumotlami ikki karra tez uzata oluvchi (rus tilida - передача данных с двойной скоростью).
Doimiy xotira qurilmalari. Elektr manbai uzilganda ham ma’lumotlami saqlay oladigan xotira - doimiy xotira qurilmasi (DXQ) deb ataladi (ROM - Read-Only Memory, rus tilida - постоянное запоминающее устройство - ПЗУ). Odatda doimiy xotira qurilmalaridagi axborotni o‘zgartirish yoki o‘chirib tashlash mumkin emas. Ammo hozirda DXQni ishlab chiqarish paytidagina emas, balki uni qo‘llashdan avval, ya’ni uni ishlatish paytida ham axborotni yozish mumkin bo‘lgan va axborotni o‘chirib yozish mumkin bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari ham ishlab chiqilgan. Ular quyidagicha nomlanadilar:
PROM (Programmable ROM) - programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - программирумые ПЗУ).
EPROM (Erasable PROM) - axborotni o‘chirish va qayta yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - стираемое программируемое ПЗУ);
EEPROM (Electronically EPROM) - axborotni elektron tarzda o‘chirish va yozish mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida - электронно-перепрограммируемое ПЗУ);
|
| |
