3.2. Bipolyar tranzistorların qoşulma sxemləri və əsas parametrləri
Bipolyar tranzistorun üç çıxışı olmağına baxmayaraq tranzistorlü sxemlərdə onlar adətən 2 dövrəyə: giriş və çıxış dövrələrinə qoşulur. Hər dövrəyə tranzistorun 2 çıxışı (elektrodu) birləşdirildiyindən, çıxışlardan biri həm giriş, həm də çıxış dövrəsi üçün eyni (ümumi) olur. Bu baxımdan tranzistor dövrəyə qoşulmasının 3 növü fərqləndirilir: ümumi bazalı (ÜB), ümumi emitterli (ÜE) və ümumi kollektorlu (ÜK) p-n-p tipli tranzistor üçün hər üç qoşulma sxemi şək.3.2.1 -də göstərilmişdir.
a) b) c)
Şəkil 3.2.1. Bipolyar tranzistorların ÜB (a), ÜE (b) və ÜK (c)
ÜB sxemində emitter dövrəsi giriş, kollektor dövrəsi çıxış dövrəsidir. ÜE sxemində baza dövrəsi giriş, kollektolr dövrəsi çıxış dövrəsi sayılır. ÜK sxemində baza giriş, emitter isə çıxış dövrələridir. Çıxış dövrəsində yük müqaviməti olduqda ÜB sxemində gücə və gərginliyə görə gücləndirmə almaq olur; bu halda cərəyana görə güclənmə yoxdur. ÜE sxemində hər üç parametrə görə güclənmə var. ÜK sxemində gücə və cərəyana görə güclənmə mövcuddur. Texnikada ən çox ÜE qoşulma sxemindən istifadə olunur.
Ümumi bazalı sxem. ÜB sxemi xarakterizə edən əsas parametrləri alaq:
1. Cərəyan üzrə ötürmə əmsalı (cərəyan üzrə gücləndirmə əmsalı):
. (3.1)
2. Giriş müqaviməti:
. (3.2)
Buradan görünür ki, ÜB sxemdə giriş müqaviməti çox kiçik olur və əsasən düzünə qoşulmuş emitter p-n- keçidinin müqaviməti ilə təyin olunur. Praktikada bu rəqəm onlarla Oma qədər olur. Bu ÜB sxemi çatışmamazlığıdır, çünki giriş siqnalı mənbəyinin yüklənməsinə səbəb olur.
3. Gərginlik üzrə ötürmə əmsalı (gərginlik üzrə gücləndirmə əmsalı):
. (3.3)
Bu parmetr kifayət qədər böyük ola bilər (onlarla və yüzlərlə), çünki əsasən yük və giriş müqavimətlərinin nisbətləri ilə xarakterizə olunur.
4. Güc üzrə ötürmə əmsalı (güc üzrə gücləndirmə əmsalı).
. (3.4)
Praktikada bu rəqəm onlarla- yüzlərlə vahidə bərabər olur.
|
