• 3.6. Bipolyar tranzistorun iş rejiminin hesabatı (+3.12.1. Sxema gmitternoy stabilizaüii )
  • 3.7. Güclənmə sinifləri haqqında anlayış
  • A- gücləndirmə sinfi
  • Bipolyar tranzistorun «h» parametrləri




    Download 480.5 Kb.
    bet5/5
    Sana30.11.2023
    Hajmi480.5 Kb.
    #108797
    1   2   3   4   5
    Bog'liq
    3.Bipolyar tranzistor
    Dbhfbdjdbfd, 6.yarimkecirici fotoelektron cihaz, 2014-2730, 2014-2729, V vasiT L R f nnind n m hazir l r toplusu hazirladi qaim c F r, 8. Elektro vakuum cihazlar Elektrovakuum cihazlar n klassifikas, M vzu ¹ sosiologiya c M YY t haqqqinda elmdir plan Sosiologiya , N etm k laz md r, 1. fazal sisteml r haqq nda mumi m lumat (1), fdsfsdfsds, uhjmuhy
    3.5. Bipolyar tranzistorun «h» parametrləri

    Bipolyar tranzistoru ixtiyari lakin sabit daxili stuktura malik olan xətti dördqütblü- «qara qutu» kimi göstərmək olar (şək.3.5.1). Bu zaman və dördqütblünün giriş parametrləri, və isə çıxış parametrləridir.



    Şək.3.5.1. Şək.3.5.2.
    Bu parametrlərin hansıların müstəqil, hansıların isə asılı olduğuna əsaslanarq sistemi 6 müxtəlif tənliklər sistemləri ilə təsvir etmək olar. Belə sistemlərdən biri və ən geniş istifadə ounanı və parametrlərinin müstəqil, və parametrlərinin isə asılı olduğu sistemdir. Belə tənliklər sistemi aşağıdakı kimi ifadə oulunr:
    (3.20)
    H- parametrlər adlanan , , və əmsallarının fiziki mahiyyətini aydınlaşdıraq. Əgər sistemin birinci tənliyiyndə qəbul etsək:
    (3.21)
    Bu parametr giriş müqaviməti adlanır. Əgər həmin tənlikdə qəbul etsək:
    (3.22)
    Bu parametr gərginliyə görə əks əlaqə əmsalı adlanır. Aanlolji olaraq (3.20) sisteminin ikinci tənliyindən alırıq:
    (3.23)
    Bu parametr cərəyan üzrə ötürmə əmsalı adlanır.
    (3.24)
    Bu parametr cərəyan üzrə ötürmə əmsalı adlanır. İndi isə h- parametrləri tranzistorun konkret qoşulma sxemi üçün araşdıraq (məsələn, ÜB). ÜB sxemdə giriş və çıxış parametrləri: , və , (şək.3.5.2). Onda aşağıdakı tənlikləri yazmaq olar:
    (3.25)


    3.6. Bipolyar tranzistorun iş rejiminin hesabatı (+3.12.1. Sxema gmitternoy stabilizaüii)

    Tranzistorlar əksər hallarda dəyişən gərginlikli siqnalların gücləndirilməsi üçün istifadə olununr. Yəni, tranzistorun girişinə adətən dəyişən işarəli siqnal verilir. Lakin emitter p-n- keçidinin ventil xaassəsi olduğu üçün, tranzistordan giriş siqnalının yalnız müsbət yarımdalğası keçir. Mənfi yarımdalğa isə bu keçid tərəfindən kəsilir. Beləliklə, giriş siqnalı təhrif olunur. Bunun baş verməmsi üçün, tranzistorun giriş dövrəsinə sürüşmə daxil olunur. Sürüşmənin mənası şək.3.6.1- də aydınlaşdırılır. Dəyişən işarəli giriş gərginliyinin və sürüşmə gərginliyinin toplanması nəticəsində baza- emitter gərginliyi bir işarəli olur. Beləliklə siqnalın forması dəyişmir və güclənmə baş verir.



    Şək.3.6.1.
    Deyilənləri nəzərə alaraq, gücləndirmə kaskadının prinsipial sxemini aşağıdakı kimi göstərmək olar (şək.3.6.2). Burada siqnal və sürüşmə dövrələrini bir-birindən ayırmaq üçün bölücü kondensatordan istifadə olunur. Bu kondensator dəyişən giriş siqnalı üçün açıq, sabit təşiledici üçün isə qapalı olur. bölücü kondenstoru da bu məqsədlə istifadə olunur. O, çıxış siqnalının dəyişən təşiledicisi üçün açıq, sabit təşkiledicisi üçün isə qapalı olur. şək.3.6.2,a- da sürüşmə gərginliyi və bölücü rezistorları vasitəsi ilə təyin olunur. qida mənbəyinin təsiri altında bölücü rezistorlardan axan cərəyan ( ) rezistorunda
    (3.26)
    gərginliyi yaradır. Bu gərginlik tranzistora verilən sürüşmə gərginliyinə bərabərdir. Adətən hesabat zamanı bölücüdən axan cərəyanı sürşmə cərəyanından bir neçə dəfə böyük götürürlər:
    (3.27)
    Qida gərginliyinin digər hissəsi isə rezistoru üzərində düşür:
    (3.28)
    Sürüşmənin təmin olunmasının daha bir yolu baza dövrəsində ballast rezistorundan istifadə olunmasıdır (şək.3.7,b). Bu zaman sürüşmə cərəyanı aşağıdakı kimi hesablanır:
    (3.29)
    Xatırladak ki, göstərilan sxemlərin binincisində fiksə olunmuş gərginlik sürüşməsindən (şək.3.7., a), ikincisində isə fiksə olunmuş cərəyan sürüşməsindən (şək.3.7., b) istifadə olunub.



    a) b)
    Şək.3.6.2.

    Elektron avadanlıqlarda quraşdırılmış tranzistorlar iş zamanı həm onlardan cərəyanın axması nəticəsində ayrılan istilik hesabına, həm də xarici qızdırıcılar, məsələn, yaxınlıqda olan qızan detallar hesabına temperaturun təsirinə məruz qalır. Əvvəl qeyd olunduğu kimi temperetarun dəyişməsi yarımkeçirici cihazların işinə ciddi təsir göstərir. Məsələn, şək.3.6.3- də ÜE sxemdə tranzistorun çıxış xarakteristikasının temperaturdan asılı olaraq necə dəyişdiyi göstərilmişdir.



    Şək.3.6.3.
    Xarakteristikaların və parametrlərin belə dəyişməsi isə gücləndirici sxemlərin işinə mane olur. Bu çatışmamazlıqları aradan qaldırmaq üçün sxemlərdə temperatur stabilizasiyasından istifadə olunur. Temperatur stabilizasiyasından ilk növbədə işçi nöqtənin stabilizasiyası üçün istifadə olunur. Hal hazırda emitter və kollektor stabilizasiyası sxemləri geniş tətbiq olunur. Şək.3.6.4-də emitter stabilizasiyası dövrəsi təsvir olunmuşdur.

    Şək.3.6.4.
    Stabilizasiya sxemi rezistordan və şuntlayıcı kondensatordan ibarətdir. Kondensator dəyişən siqnalların işçi nöqtəni dəyişməsinə imkan vermir. Burada işçi nöqtənin gərginliyi aşağıdakı kimi təyin olunur:

    Yəni, temperatur artdıqca kollektor cərəyanı vəə eləcə də emitter cərəyanı artır. Bu artım baza-emitterdə gərginlik düşgüsünün azalmasına səbəb olur. Bu isə, işçi nöqtəni stabil saxlamağa imkan verir.
    3.7. Güclənmə sinifləri haqqında anlayış

    Süpüşmə gərginliyinin işarəsindən və qiymətindən və eləcə də giriş isqnalının amplitudundan asılı olaraq gücləndirmə kaskadının bir neçə fərqli iş rejimi mövcuddur. Bu rejimlər toplusuna gücləndirmə sinifləri deyilir. Gücləndirmə sisnifləri böyük latın hərfləri ilə işarə olunur.


    A- gücləndirmə sinfi. Əgər çıxış dövrəsində cərəyan giriş dövrəsindəki gərginliyin dəyişdiyi bütün period ərzində axarsa bu, A gücləndirmə rejimi adlanır. Bu rejimin xarakterik xüsusiyyəti sürüşmə gərginliyinin giriş gərginliyiynin maksimal amplitudundan böyük olmasıdır.
    Download 480.5 Kb.
    1   2   3   4   5




    Download 480.5 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Bipolyar tranzistorun «h» parametrləri

    Download 480.5 Kb.