|
Algoritmlarni loyihalash
|
| bet | 1/8 | | Sana | 23.05.2023 | | Hajmi | 0.73 Mb. | | #63899 |
Bog'liq 16-20 labaratoriya OT murodil, template, 16-17
O’zbekiston Respublikasi
Axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini
rivojlantirish vazirligi Muhammad al-Xorazmiy
nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Farg’ona filiali
“ALGORITMLARNI LOYIHALASH”
fanidan
LABORATORIYA ISHLARI
Farg’ona 2022
Topshirdi: Alijonov.I
16-laboratoriya ishi
Mavzu: Umumiy istokli maydonli tranzistorni tekshirish
Ishni bajarishdan maqsad: maydonli tranzistorlarning ishlashi va xarakteristikalarini olishni o‘rganish.
Boshlang‘ich ma’lumotlar
Maydonli tranzistorlar dastlab unipolyar tranzistorlar deb atalgan, chunki ularda faqat bir xil turdagi asosiy tashuvchilar — elektronlar yoki teshiklar bo‘ladi. Bunday tranzistorlarda injeksii va diffuziya jarayonlari amalda yo‘q, bo‘lsa ham asosiy rolni o‘ynamaydi. Ularda tashuvchilarning asosiy harakatlanish usuli elektr maydonidagi dreyfdir.
O‘zgarmas elektr maydonida yarimo‘tkazgichdagi tokni boshqarish uchun yarimo‘tkazgichli qatlamning solishtirma qarshiligi yoki maydonini o‘zgartirish kerak. Amalda ikkala usul ham qo‘llaniladi, ular maydon effektiga (zatvordagi kuchlanish bilan boshqarish) asoslangan. SHuning uchun unipolyar tranzistorlar odatda maydonli tranzistorlar deb ataladi. Ulardagi tok o‘tkazuvchi qatlam kanal deb ataladi. Bundan unipolyar tranzistorlarning yana bir nomi – kanalli tranzistorlar kelib chiqqan.
Kanallar yuzaviy (sirtida joylashgan) yoki hajmiy bo‘lishi mumkin. YUzaviy knallar dielektrikdagi donor kiritmalarning mavjudligi bilan belgilanuvchi to‘yintirilgan qatlamlar yoki tashqi maydon ta’sirida hosil bo‘luvchi inversion qatlam ko‘rinishida bo‘lishi mumkin. Hajmiy kanallar Hajmiy kanallar bir jinsli uchastkalar bo‘lib yarimo‘tkazgichning yuzasidan kambag‘allashtirilgan qatlam bilan ajratilgan bo‘ladi.
Hajmiy kanalli tranzistorlarda kambag‘allashtirilgan qatlam p-n o‘tish yordamida hosil qilinadi. SHuning uchun ularni p-n o‘tishli maydonli tranzistorlar yoki qisqacha maydonli tranzistorlar deb ataydilar. Bunday tranzistorlarning tavsifini birinchi marta SHokli 1952 yilda bergan. EWB dasturida ularning p-kanalli va r-kanalli namunalari berilgan (1-rasm, a va b ). Rasmda 1 — zatvor (gate) — boshqaruvchi elektrod; 2 — istok (source)— asosiy tashuvchilarning harakatlanishi boshlanadigan elektrod (p-kanallida — elektronlar, r-kanallida — g‘ovaklar); 3 — stok (drain) — tashuvchilarni qabul qiluvchi elektrod.
-1
-1
16.1-rasm. Boshqaruvchi p-n o‘tishli p-kanalli (a) va r-kanalli (b) maydonli tranzistorlar
Bipolyar tranzistorlarga o‘xshash tarzda maydonli tranzistorlarning ham uch turdagi ulanish sxemalarini ajratib ko‘rsatish mumkin: umumiy zatvorli (U3), umumiy istokli (UI) va umumiy stokli (US).
|
| |
