• Mavzu: Maydoniy Tranzistorlar Reja: 1. Maydoniy tranzistor. 2. Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari.
  • 7. Foydalanilgan adabiyotlar.
  • Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmi nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti




    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet1/6
    Sana06.01.2024
    Hajmi0,55 Mb.
    #131289
      1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Elektronika va sxemalar1 M I



     
    OʻZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI 
     
    MUHAMMAD AL-XORAZMI NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT 
    TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI 
     
     
     
     
    "Elektronika va sxemalar 1" fanidan 
     
    Mustaqil ish

     
     
     
     
    Bajardi: Teleradioeshittirish 053/22 
    gurux talabasi Jo‘rayev Farruxbek 
    TEKSHIRDI: Arziyev D. 
     
     
     
    Тoшкент-2023 


     
     
     
    Mavzu: Maydoniy Tranzistorlar 
    Reja: 
    1. Maydoniy tranzistor. 
    2. Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari. 
    3. Maydoniy tranzistor asosiy parametrlari. 
    4. Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistorlar. 
    5. Kanali qurilgan MDYa – tranzistorlar. 
    6. Xulosa 
    7. Foydalanilgan adabiyotlar. 
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     


    1. Maydoniy tranzistor. 
    Maydoniy tranzistor deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o„tkazuvchi 
    kanaldagi elektr o„tkazuvchanligikni o„zgartirish hisobiga elektr maydon o„zgarishi 
    bilan boshqariladigan yarim o„tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. 
    Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun 
    mo„ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok 
    tashkil bo„lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki 
    elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham 
    ataladi. 
    Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o„tkazuvchanligiga ko„ra ikki 
    turi mavjud: p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – 
    dielektrik – yarim o„tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo„lgan zatvori 
    izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham 
    ataladilar. 
    p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1 – rasmda n–kanalli p
    n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va 
    uning shartli belgisi (b) keltirilgan. 
    a) b) 
    1 – rasm. n–kanalli p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning 
    tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi 
    n–turdagi soha kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan 
    kontakt istok (I); zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt stok (S) deb ataladi. 
    Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig„iga kuchlanish 
    berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o„tkazuvchanligini, natijada 


    kanaldan oqib o„tayotgan tokni o„zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga nisbatan
    o„tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo„llaniladi. Ishchi rejimda u teskari ulangan 
    bo„lib kanal bilan r – n o„tish hosil qiladi. 
    Kanalning o„tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi 
    S
    l
    R


    , bu 
    yerda 

    - kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning 
    ko„ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo„lmaganda kanal uzunligi 
    bo„ylab zatvor ostidagi kanalning ko„ndalang kesim yuzasi bir xil bo„ladi. Berilgan 
    qutblanishda zatvor va istok oralig„iga tashqi kuchlanish berilsa U
    ZI
    p–n o„tish 
    teskari yo„nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi 
    bo„ylab kanalning ko„ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi 
    ortadi, lekin chiqish toki I
    S
    = 0 bo„ladi, chunki U
    SI
    =0 (15.2 a - rasm). 
    Agar istok va stok oralig„iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo„ylab 
    istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya‟ni kanal orqali stok toki I
    S
    oqib o„ta boshlaydi. Kuchlanish manbai U
    SI
    ning ulanishi r–n o„tish kengligiga ham 
    ta‟sir ko„rsatadi, chunki o„tish kuchlanishi kanal uzunligi bo„ylab turlicha bo„ladi. 
    Kanal potensiali uning uzunligi bo„ylab o„zgaradi: istok potensiali nolga teng bo„lib, 
    stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa U
    SI
    ga teng bo„ladi. R–n o„tishdagi 
    teskari kuchlanish istok yaqinida 
    ЗИ
    U
    ga, stok yaqinida esa 
    СИ
    ЗИ
    U
    U

    teng 
    bo„ladi. Natijada o„tish kengligi stok tomonda kattaroq bo„lib, kanal kesimi stok 
    tomonga kamayib boradi. (2. b -rasm). 
    a) b) 
    2 –rasm. a) stok orasidagi kuchlanish manbai, istok orasidagi kuchlanish 
    manbai. 


    Shunday qilib, kanal orqali oqib o„tayotgan tokni U
    ZI
    kuchlanish qiymatini
    (kanal kesimini o„zgartiradi) hamda U
    SI
    kuchlanish qiymatini (tok va kanal uzunligi 
    bo„ylab kesimni o„zgartiradi) boshqarish mumkin. Istok tomonda kanal kengligi
    berilgan U
    ZI
    qiymati bilan, stok tomonda esa U
    ZI
    + U
    SI 
    yig„indi qiymati bilan 
    aniqlanadi. U
    SI
    qiymati qancha katta bo„lsa, kanalning
    ponaligi (klinovidnost) 
    va 
    uning qarshiligi
    shuncha katta bo„ladi. 
    Kanalning ko„ndalang kesimi nolga teng bo„ladigan vaqtdagi zatvor 
    kuchlanishi berkilish kuchlanishi U
    ZI.BERK.
    deb ataladi. 
    .
    .ТЎЙ
    СИ
    ЗИ
    U
    U

    kuchlanish berkilish kuchlanishiga U
    ZI.BERK
    ga teng 
    bo„ladigan vaqtdagi stok kuchlanishi to„yinish kuchlanishi U
    SI.TO„Y. 
    deb ataladi. 
    Bu yerdan
    ЗИ
    БЕРК
    ЗИ
    ТЎЙ
    СИ
    U
    U
    U


    .
    .
    .
    .
    (1) 
    .
    .ТЎЙ
    СИ
    СИ
    U
    U

    vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi tekis o„zgarish rejimi, 
    .
    .ТЎЙ
    СИ
    СИ
    U
    U

    vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi esa to„yinish rejimi deb 
    ataladi. To„yinish rejimida U
    SI
    kuchlanish qiymatining ortishiga qaramay I
    C
    tokining ortishi deyarli to„xtaydi. Bu holat bir vaqtning o„zida zatvordagi U
    ZI
    kuchlanishining ham ortishi bilan tushuntiriladi. Bu vaqtda kanal torayadi va I
    C
    tokini kamayishiga olib keladi. Natijada I
    C
     dreyfrli o„zgarmaydi. 
    Biror uch elektrodli asbob kabi, maydoniy tranzistorlarni uch xil sxemada 
    ulash mumkin: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ). UI
    sxema keng tarqalgan sxema hisoblanadi. 

    Download 0,55 Mb.
      1   2   3   4   5   6




    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmi nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish