6. Xulosa.
Maydoniy tranzistorning model kabi tuzilishi
asosiy tashuvchilarning
kanal qalinligi bo‟yicha taqsimoti harakteri va uning chiqish harakteristikalari
bilan o‟zaro bog‟liqligi haqidagi ma‟lumotlarni olishga imkon beradi.
Stabilizatsiyaning optimal rejimini ikkiqutbli kabi aniqlash nuqtai nazaridan,
dinamik qarshilikning zatvor kuchlanishiga bog‟liqligining
tadqiqotlari bir
jinsli Si tranzistorlarda dinamik qarshilikning yuqori qiymatlari kichik
qoplovchi kuchlanishlarda, galliy arsenidili maydoniy tranzistorlarda esa katta
qoplovchi kuchlanishlarda olinishini ko‟rsatadi.
Kremniyli maydoniy
tranzistorlarda yuqori dinamik qarshilikli nuqtaga tortilish hajmiy zaryad
sohasining stok yo‟nalishida kengayishi bilan bog‟liqdir. To‟yinish kuchlanishi
va teshilisholdi kuchlanishi intervalidagi uchastkada
maydoniy tranzistordan
tok stabilizatori sifatida foydalanish mumkin. Bu uchastkada toklarning
minimum va maksimumlari farqi ∆Iст dan iborat bo‟ladi.
Stabilizatsiya tokining maydoniy tranzistor istoki qarshiligiga bo‟lanishining
tadqiqoti tok cheklagichi ikkiqutblilik rejimida o‟tkazildi. Tokning qoplovchi
kuchlanishga kvadratik bog‟lanishi taxminida eksperimental egri chiziqlar
hisoblangan egri chiziqlar bilan yaxshigina mos keladi. Stabilizatsiya
toki va istok-
zatvor qarshiligi o‟rtasidagi aniqlangan o‟zaro bog‟liqlik manbalar va tok
cheklagichlarini ishlab chiqishda qiziqish uyg‟otadi.