• 7. Foydalanilgan adabiyotlar roʻyxati.
  • Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmi nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti




    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet6/6
    Sana06.01.2024
    Hajmi0,55 Mb.
    #131289
    1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Elektronika va sxemalar1 M I

     
     
     
     
     
     
     


    6. Xulosa. 
    Maydoniy tranzistorning model kabi tuzilishi asosiy tashuvchilarning 
    kanal qalinligi bo‟yicha taqsimoti harakteri va uning chiqish harakteristikalari 
    bilan o‟zaro bog‟liqligi haqidagi ma‟lumotlarni olishga imkon beradi. 
    Stabilizatsiyaning optimal rejimini ikkiqutbli kabi aniqlash nuqtai nazaridan, 
    dinamik qarshilikning zatvor kuchlanishiga bog‟liqligining tadqiqotlari bir 
    jinsli Si tranzistorlarda dinamik qarshilikning yuqori qiymatlari kichik 
    qoplovchi kuchlanishlarda, galliy arsenidili maydoniy tranzistorlarda esa katta 
    qoplovchi kuchlanishlarda olinishini ko‟rsatadi. Kremniyli maydoniy 
    tranzistorlarda yuqori dinamik qarshilikli nuqtaga tortilish hajmiy zaryad 
    sohasining stok yo‟nalishida kengayishi bilan bog‟liqdir. To‟yinish kuchlanishi 
    va teshilisholdi kuchlanishi intervalidagi uchastkada maydoniy tranzistordan 
    tok stabilizatori sifatida foydalanish mumkin. Bu uchastkada toklarning 
    minimum va maksimumlari farqi ∆Iст dan iborat bo‟ladi.
    Stabilizatsiya tokining maydoniy tranzistor istoki qarshiligiga bo‟lanishining 
    tadqiqoti tok cheklagichi ikkiqutblilik rejimida o‟tkazildi. Tokning qoplovchi 
    kuchlanishga kvadratik bog‟lanishi taxminida eksperimental egri chiziqlar 
    hisoblangan egri chiziqlar bilan yaxshigina mos keladi. Stabilizatsiya toki va istok-
    zatvor qarshiligi o‟rtasidagi aniqlangan o‟zaro bog‟liqlik manbalar va tok 
    cheklagichlarini ishlab chiqishda qiziqish uyg‟otadi.


    7. Foydalanilgan adabiyotlar roʻyxati. 
     
    1. John Bird. “Electrical and Electronic Principlesand Technology” 
    LONDON AND NEW YORK, 2014.-455 p. 
    2. Каримов А.С. ва бошқ. “Электротехника ва электроника асослари”. 
    Дарслик. Т.: Ўқитувчи нашриёти, 1995 й. - 448 с. 
    3. Abdullayev В. va boshqalar. Elektrotexnika va elektronika asoslari 
    fanidan laboratoriya ishlarini bajarishga o'quv-uslubiy qo'llanma. 
    Toshkent, ToshDTU, 2011. -136 b. 
    4. Abdullayev B., Begmatov Sh.E., Xalmanov D.X. Elektrotexnika va 
    elektronika fanidan virtual laboratoriya ishlarini bajarishga uslubiy 
    ko'rsatmalar. Toshkent, ToshDTU,2016.-86b. 
    5. Alimxodjayev K., Abdullayev B., Abidov Q., Ibadullayev M.. Elektr 
    texnikaning nazariyasoslari. Darslik.1-qism.-T.:“Fanvatexnologiya”, 
    2015, 320 bet. 
    6. Бегматов Ш.Э., Абдуллаев Б. «Элекротехника и 
    основыэлектроники». Методические электронное пособие к 
    выполнению виртуальных лабораторных работ.Ташкент.2015.-84с. 
    7. Amirov S.F., Yoqubov M.S., Jabborov N.G. Elektrotexnikaning nazariy 
    asoslari. Oliy o'quv yurtlari talabalari uchun o'quv qo'llanma, Т.: 
    ToshTYMl, 2007. - 128 b. 
    8. KarimovA.S.vab.Elektrotexnika.Masalalarto„plami.Toshkent– 
    «O„qituvchi»,1975.–208b 
    9. Rekus G.G., Belousov A.I. Sbornik zadach i uprajneniy po elektrotexnike i 
    osnovam elektroniki. – M.: Vыsshaya shkola, 2002.


     

    Download 0,55 Mb.
    1   2   3   4   5   6




    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmi nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

    Download 0,55 Mb.
    Pdf ko'rish