Kanali qurilgan MDYa - tranzistorlar

Download 0,55 Mb. Pdf ko'rish
bet	5/6
Sana	06.01.2024
Hajmi	0,55 Mb.
	#131289

1 2 3 4 5 6

Bog'liq
Elektronika va sxemalar1 M I
Nurimbatova Umida (2), Kiber xavfsizlik1 M I, minor education test telegram

5. Kanali qurilgan MDYa - tranzistorlar
7 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning
shartli belgisi (b) keltirilgan.
Agar U
ZI
= 0 bo„lganda U
SI
kuchlanish o„rnatilsa, u holda kanal orqali
elektronlar hisobiga tok oqib o„tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish
berilsa, kanalda ko„ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta‟sirida kanaldan
elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag„allashib boradi,
uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha
katta bo„lsa, bu tok shuncha kichik bo„ladi. Tranzistorning bunday rejimi
kambag„allashish rejimi deb ataladi.
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta‟sir ettirilsa, hosil bo„lgan elektr maydoni
ta‟sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar,
kanalning o„tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim
boyish rejimi deb ataladi.
Ko„rib o„tilgan jarayonlar 15.7 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor
xarakteristikada: U
SI
=const bo„lgandagi I
S
= f (U
ZI
) bilan ifoda-langan.
ЗИ
U

0 bo„lganda tranzistor boyish rejimida,
ЗИ
U

0 bo„lganda esa
kambag„allashish rejimida ishlaydi.
a) b)
7 – rasm. n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning
shartli belgisi (b)
Boyish rejimida stok xarakteristikalari U
ZI
= 0 da olingan boshlang„ich
xarakteristikadan - yuqorida, kambag„allashish rejimida esa – pastda joylashadi (8
b- rasm).

a) b)
15.8 – rasm. a) statik stok – zatvor xarakteristika, b) boyish rejimi stok
xarakteristikalari
S, Ri va

statik differensial parametrlar xuddi p–n –o„tish bilan
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (4), (5) va (6) ifodalardan mos ravishda
aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy
tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo„ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo
sig„imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy
tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko„rsatkichlarga ega. R
ZI
kirish qarshiligi bir
necha darajaga yuqori bo„lib 10
12
-10
15
Om ni tashkil etadi. Elektrodlararo sig„imlar
qiymati S
ZI
, S
SI
lar uchun -10 pF dan, S
ZS
uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu
ko„rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.

Download 0,55 Mb.

1 2 3 4 5 6

Download 0,55 Mb.

Pdf ko'rish