Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmi nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

3. Maydoniy tranzistor asosiy parametrlari 
Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo„lib xarakteristika 
tikligi hisoblanadi 
ЗИ
C
dU
dI
S

(mA/V), (3) 
va uni quyidagi ifodadan aniqlash mumkin 
)
1
(
.
max
БЕРК
ЗИ
ЗИ
U
U
S
S


, (4) 
bu yerda Smax – U
ZI
=0 bo„lgandagi maksimal tiklik. (3) (4) ifodalardan 
ko„rinib turibdiki, U
ZI
ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika 
tikligi kamayadi. 
Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini 
ham aniqlash mumkin. 
Tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig„idagi kanal 
qarshiligini ifodalaydi
C
CИ
i
dI
dU
R

U
ZI
 =const bo„lganda (5) 
To„yinish rejimida (VAX ning tekis qismida) R
i
bir necha MOmni tashkil 
etadi va U
SI
ga bog„liq emas. 
Kuchlanish bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti tranzistorning kuchaytirish 
xususiyatini ifodalaydi: 
ЗИ
CИ
dU
dU



I
S
 =const bo„lganda (6) 
Bu koeffitsient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga 
nisbatan qanchalik ta‟sir ko„rsatishini ifodalaydi. “Manfiy” ishora kuchlanish 
o„zgarishi yo„nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu 
koeffitsientni xarakteristikadan aniqlab bo„lmaganligi sababli, bu kattalikni 
quyidagicha hisoblash mumkin: 
i
SR


. (7) 

Download 0,55 Mb.