Tranzistorda tok o„tkazuvchi kanal hosil qilish
uchun zatvorga teskari
qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO
2
dielektrik
qatlami orqali
yarim o„tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi
asosiy zaryad tashuvchilar
(elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo„lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar)
ni o„ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag„allashib, kovaklar
bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi bo„sag„aviy deb ataluvchi ma‟lum
qiymati U
0
ga
yetganda, yuqori qatlamda elektr o„tkazuvchanlik kovak
o„tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni bir – biri bilan bog„lovchi p-
turdagi kanal shakllanadi.
0
U
U
ЗИ
bo„lganda yuqori
qatlam kovaklar bilan
boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki
I
S
ortadi. 5 – rasmda p– kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor
VAXsi keltirilgan.
5 -rasm. 6 -rasm.
5 – rasm. p– kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor VAXsi .
6 – rasm. n - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish xarakteristiklar
oilasi.
6 – rasmda n - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish (stok)
xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma‟lum kuchlanish berilganda
СИ
U
ning ortib borishiga ko„ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli ko„rinishda ortib
boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi kamayadi va yetarlicha
katta
СИ
U
qiymatlarida tok o„zgarmas qiymatga intiladi. Tok ortishining to„xtashi
stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan bog„liq.