• Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi.
  • Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan




    Download 211,68 Kb.
    bet7/8
    Sana22.01.2024
    Hajmi211,68 Kb.
    #143507
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR Integral mikrosxemalar2

    Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan.

    Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan.

    Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.

    Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.


    1 – rasm.
    Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.
    Buning uchun asosga epitaksiyadan avval n+ - qatlam kiritiladi (2 - rasm). Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli n+ - qatlam orqali oqib o‘tadi.
    2 – rasm.

    Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.

    Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.

    Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi.

    IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.


    Download 211,68 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 211,68 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan

    Download 211,68 Kb.