|
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan
|
| bet | 7/8 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 211,68 Kb. | | #143507 |
Bog'liq 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR Integral mikrosxemalar2 Menejmentning rivojlanish davrlari, Elmatov. Hisobot, Kurs ishi Alisher 1, Произвольный документ 32 от 14.11.2023 , Mavzu raqobat va yakka hokimlik, 2-amaliy ish, 23-11 06-46 (4) 231128 105441, ELEKTRONIKA MARUZA, my sql, B. Ergashev - Ma`lumotlar bazasini boshqarish tizimlari, 1 topshiriq. Berilgan savollarga yozma tarzda javob tayyorlang (1), dz9E5mEnutfBNHoD4a9f6lxMhIT6Agtc (1), Илова, COREL CODE, 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR 2-AMALIY TOPSHIRIQ Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan. Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan. Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin. Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.
1 – rasm.
Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.
Buning uchun asosga epitaksiyadan avval n+ - qatlam kiritiladi (2 - rasm). Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli n+ - qatlam orqali oqib o‘tadi.
2 – rasm.
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi. IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan
|
