|
Ayratov hojiakbar tayanch iboralar
|
| bet | 6/8 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 211,68 Kb. | | #143507 |
Bog'liq 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR Integral mikrosxemalar2 Menejmentning rivojlanish davrlari, Elmatov. Hisobot, Kurs ishi Alisher 1, Произвольный документ 32 от 14.11.2023 , Mavzu raqobat va yakka hokimlik, 2-amaliy ish, 23-11 06-46 (4) 231128 105441, ELEKTRONIKA MARUZA, my sql, B. Ergashev - Ma`lumotlar bazasini boshqarish tizimlari, 1 topshiriq. Berilgan savollarga yozma tarzda javob tayyorlang (1), dz9E5mEnutfBNHoD4a9f6lxMhIT6Agtc (1), Илова, COREL CODE, 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR 2-AMALIY TOPSHIRIQ Agar dielektrik sifatida SiO2 qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga yo‘nalgan tomonda ulangan p-n o‘tishlar bilan izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi. Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar.
|
| |
