|
Pardali va gibrid mikrosxemalar
|
| bet | 3/8 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 211,68 Kb. | | #143507 |
Bog'liq 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR Integral mikrosxemalar2 Menejmentning rivojlanish davrlari, Elmatov. Hisobot, Kurs ishi Alisher 1, Произвольный документ 32 от 14.11.2023 , Mavzu raqobat va yakka hokimlik, 2-amaliy ish, 23-11 06-46 (4) 231128 105441, ELEKTRONIKA MARUZA, my sql, B. Ergashev - Ma`lumotlar bazasini boshqarish tizimlari, 1 topshiriq. Berilgan savollarga yozma tarzda javob tayyorlang (1), dz9E5mEnutfBNHoD4a9f6lxMhIT6Agtc (1), Илова, COREL CODE, 730-22 GAYRATOV HOJIAKBAR 2-AMALIY TOPSHIRIQ Pardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi. Parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra yupqa pardali IS (parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha) va qalin pardali IS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo‘linadi. Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi Gibrid IS (yoki GIS) – bu pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar. Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; MDYa – asboblar, diodli va tranzistorli matrisalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. 3. Yarim o‘tkazgichli IMSlar 3. Yarim o‘tkazgichli IMSlar Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar va MDYa IMS larga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMSlar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda.
|
| |
