|
Elektronika va sxemalar 1 2-laboratoriya ishi Guruh
|
| Sana | 28.07.2024 | | Hajmi | 111,88 Kb. | | #268848 |
Bog'liq 74 . 2-LAB ISHI .
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Elektronika va sxemalar 1
2-laboratoriya ishi
Guruh:
Bajardi:
Tekshirdi: Abdullayev Abdubakir
Toshkent-2024
Tranzistor va uning turlari. Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari. Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikalari. UE ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning NI Multisim dasturiy muhiti yordamida asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Ishni bajarish uchun topshiriq.
Variant bo‘yicha 3- jadvalda berilgan bipolyar tranzistor modeli, UKE kollektor-emitter kuchlanishi va R1 qarshilik qiymatidan foydalanib R2 =1kOm qarshilik bo‘lganda 1- rasmda keltirilgan prinsipial sxema NI Multisim dasturiy muhiti yordamida yig‘ilsin;
Bipolyar tranzistorning IB=f (UBE) kirish xarakteristikasi (natijalar 1-jadvalga kiritiladi) va IK = f (UKE) chiqish xarakteristikasi o‘lchansin (natijalar 2-jadvalga kiritiladi);
1- rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi
Tajriba o‘tkazish orqali olingan natijalar
UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi
1- jadval
Uke =0V
|
IB(mkA)
|
0
|
20
|
40
|
60
|
80
|
100
|
120
|
140
|
160
|
180
|
200
|
UBE (V)
|
0
|
0,591
|
0,61
|
0,621
|
0,629
|
0,635
|
0,64
|
0,644
|
0,648
|
0,651
|
0,654
|
Uke >0V
|
IB(mkA)
|
0
|
20
|
40
|
60
|
80
|
100
|
120
|
140
|
160
|
180
|
200
|
UBE (V)
|
0
|
0,706
|
0,707
|
0,707
|
0,708
|
0,709
|
0,709
|
0,71
|
0,71
|
0,711
|
0,711
|
UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi
2- jadval
IB= 25
mkA
|
UKE, V
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
IK, mA
|
-0,0046
|
0,937
|
1,917
|
2,903
|
3,892
|
5,874
|
7,856
|
9,837
|
12
|
13
|
14
|
IB=150 mkA
|
UKE, V
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
IK, mA
|
-0,0052
|
0,972
|
1,959
|
2,95
|
3,942
|
6,925
|
7,92
|
9,912
|
12
|
14
|
16
|
IB=200 mkA
|
UKE, V
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
6
|
8
|
10
|
12
|
14
|
16
|
IK, mA
|
-0,0053
|
0,976
|
1,964
|
2,956
|
3,949
|
5,937
|
7,928
|
9,919
|
12
|
14
|
16
|
Topshiriq variantlari.
Variant №
|
Bipolyar tranzistor
|
R1, kOm
|
UKE,V
|
74
|
2N3390
|
15
|
8
|
IB=f (UBE)
IB= 25
mkA
IB=150
mkA
IB=200
mkA
IK = f (UKE)
Xulosa
Bipolyar tranzistorlar va ularning turli ulanish sxemalari elektron texnologiyada muhim ahamiyatga ega. UE ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning statik volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish orqali, tranzistorlarning ishlashini va ularning turli parametrlarini yaxshiroq tushunish mumkin. Bu tadqiqotlar yangi va samarali elektron qurilmalarning ishlab chiqilishiga yordam beradi. Bu laboratoriya ishimda ummumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning Volt-Amper va statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish. Hamda Multisim dasturiy muhiti yordamida asosiy statik xarakteristikalarini tadqiq etish. Bu laboratoriyadan ker akli xulosalarni oldik. Bipolyar tranzistorlar zamonaviy elektron qurilmalarning asosiy komponentlaridan biri bo‘lib, ularning turli ulanish sxemalari va statik xarakteristikalarini tushunish va tadqiq etish muhim ahamiyatga ega. Umumiy emitter (UE) ulanish sxemasida bipolyar tranzistorning statik Volt-amper xarakteristikalarini o‘rganish orqali tranzistorning kuchaytirish qobiliyatlari, ishlash chegaralari va optimal ishlash sharoitlari aniqlanadi. Bu bilimlar tranzistorlarning samarali ishlashini ta'minlash va turli elektron ilovalarda optimal natijalarga erishish uchun zarur.
|
| |
