|
E yutukdari radiotexnika taraqqiyoti, tranzistorlar, uzatuvchi televizion trubkalar yaratilishi bilan uzviy bogʻliq
|
| bet | 2/2 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 21,12 Kb. | | #99557 |
Bog'liq ElektronikaAkustoelektronika — aku-stikaning qattiq jism akustikasi, yarim-oʻtkazgichlar fizikasi va radio-elektronika chegarasidagi qismi. A. radiosignallarni oʻzgartirish va ularga ishlov berish uchun UT (ultratovush) qurilmalarini yaratish prinsiplarini tadqiq qilish bilan shugʻullanadi. OʻYUT (oʻta yuqori takroriylik)li signalni toʻlqin uzunligi 105-marta kichik boʻlgan tovush signaliga aylantirish unga ish-lov berishni ancha yengillashtiradi. Signallar ustida amallarni bajarish uchun UTning oʻtkazuvchanlik elektronlari, elektromagnitik maydonlar, op-tik nurlanishlar, shuningdek, akustik toʻlqinlarning nochiziqli oʻzaro taʼsirlaridan foydalaniladi. Akustoelektron qurilmalar sig-nallar ustida quyidagi amallarni ba-jarish imkonini beradi: vaqt mobaynidagi oʻzgartirishlar (signallarni tutib turish, ularning davomiyligini oʻzgartirish), takroriylik (chasto-ta) boʻyicha va fazaviy oʻzgartirishlar (fazalarni siljitish, takroriylik va spektrni oʻzgartirish), amplitudani oʻzgartirish (kuchaytirish, modulyatsiya-lash), shuningdek, murakkabroq funksional oʻzgarishlarni amalga oshirish (integrallash, kodlash va kodsizlash, yigʻuv funksiyalarini hosil qilish, sig-nallarni korrelyatsiyalash va boshqalar). Bunday muolajalarni, koʻpincha, radiolokatsiyada, uzoq aloqa texnikasida, avtomatik boshqaruv tizimlarida, hisoblagich va boshqa radioelektron qurilmalarda bajarish lozim. Koʻpchilik hollarda radioelek-tron usullar ushbu amallarni ancha sodda va tejamli yoʻllar bilan amalga oshirish imkonini beradi. Ishlash zaminida yotuvchi fizik prinsiplar va vazifalariga koʻra, akustoelektron qurilmalar signallar chiziqli oʻzgartiriladigan (tutib qolish liniyalari, filtrlar va boshqalar) suct chiziqli qurilmalarga, faol chiziqli qurilmalarga (signal kuchaytirgichlari va generatorlari) hamda signalning generatsiyasi, modulyatsiyasi, oʻzaro koʻpaytirilishi va boshqa oʻzgarishlari sodir boʻladigan nochiziqli qurilmalarga boʻlinadi. Ad.: Gulyayev Yu. V., Akustoelektronnie ustroystva dlya sistem svyazi i ob-rabotki informatsii, [v kn.: Problemi sovremennoy radiotexniki i elektroniki], M., 1980; Xayasaka Tetsuo, Elektro-akustika, pers yapon. I. I. Ivanchika, M., 1982; Pavlovskaya V. I. i dr., Akustika i elektroakusticheskaya apparatura, M., 1986.
Y A R IM O ‘TK A ZG IC H LA R DA KONTAKT H O D IS A L A R Q attiq jism o ‘tk az u v c h a n lik turi bilan farqlanuvchi yoki o'tkazuvchanlik turi bil xil b o ‘lib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo'ladigan o ‘tkinchi qatlam elektr o'tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron-kovak o'tish yoki p —n o'tish deb ataluvchi elektr o'tishdan keng foydalaniladi. Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan bir xil yarimo'tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi elektr o'tishlar gom oo'tish, taqiqlangan zonalari qiymati b ir-biridan farqlanuvchi yarimo'tkazgichlar asosidagi o'tishlar esa geteroo'tish deb ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo'lmagani sababli geteroo'tishlarning xususiy holiga mos, m etall — yarimo'tkazgich deb ataluvchi elektr o'tishlar ham elektronikada keng qo'llaniladi. Ko'p yarimo'tkazgich asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash prinsipi elektr o'tishlarning xususiyatlariga asoslanadi. 2.1. Muvozanat holatda p-n o ‘tish Yarimo'tkazgich asboblarning aksariyati bir jin sli bo'lmagan yarimo'tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo'lmagan yarimo'tkazgich monokristalning m a’lum sohasi p — turli, boshqa sohasi n — turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo'tkazgichning p — va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron-kovak o'tish yoki p-n o'tish hosil bo'ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n — sohadagi elektronlar va p — sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p — turli yarimo'tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi No~, kovaklar konsentratsiyasi p ga, n — turli yarimo'tkazgichda esa, donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi N +, elektronlar konsentratsiyasi nn ga teng. p — va n — sohalar chegarasida kovakфlar va elektronlar konsentratsiyasi gradiyenti mavjud bo'lganligi sababli elektronlarning p — sohaga, kovaklarning n — sohaga diffuziyasi boshlanadi. www.ziyouz.com kutubxonasi Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n — sohada elektronlar konsentratsiyasi qo‘zg‘almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o ‘zida chegaradosh p — sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo‘zg‘almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1, a-rasm). Natijada, chegaradan ikki tomonda qo‘sh elektr qatlam hosil bo‘ladi.
|
| |
