|
Elec16mbk elektronika va sxemalar 2
|
| bet | 1/11 | | Sana | 10.09.2024 | | Hajmi | 0,59 Mb. | | #270804 |
Bog'liq 8iHTfOddPYWpifDBRAJDQz5txOxy3dCkTWXU9Zxm
7-mavzu. IMS tayyorlash texnologiyasi. IMS aktiv va passiv elementlari
IMSlarni tayyorlash texnologiyalari. IMS tayyorlash jarayoni. IMS asosiy parametrlari.
Reja:
Integral mikrosxemalar haqida umumiy ma’lumotlar va ularning yaratilish tarixi.
Integral mikrosxemalarining tayyorlash texnologiyalari.
Pardali va gibrid mikrosxemalar.
Yarim o‘tkazgichli integral mikrosxemalar.
Yarimo‘tkazgich integral mikrosxemalar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar.
Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarda rezistorlar va kondensatorlar.
Kalit so‘zlari: integral mikrosxema, tayyorlash texnologiyasi, yarimo‘tkazgich, aktiv element, passiv element, planar texnologiya, epitaksial texnologiya.
Annotatsiya: Elektrotexnika va ayniqsa elektronika rivojlanib borar ekan, integral mikrosxemalarning ixtiro qilinishi zamonning inkor etib bo‘lmas jiddiy talabiga aylanib bordi. Mikroelektronikaning qariyb yarim asrlik rivojlanish davri mobaynida IMSlarning keng nomenklaturasi ishlab chiqildi. Telekommunikatsiya va axborot – kommunikatsiya tizimlarini loyihalovchi va ekspluatatsiya qiluvchi mutaxassislar uchun zamonaviy mikroelektron element bazaning imkoniyatlari haqidagi bilimlarga ega bo’lish muhim.
IMSlar ixtiro qilinganidan keyin elektronika va mikroelektronika sohasi shu darajada katta shiddat bilan rivojlanib ketdiki, uning har bir keyingi ilg‘or qadamlari fan-texnika sohasida navbatdagi inqiloblarni yasab bordi. Xususan, biz bilgan va eng yaqin yordamchimizga aylangan kompyuterlar va boshqa istalgan elektron qurilma va uskunalar ham aynan IMSlarning taraqqiyoti tufayli shu darajaga yetib kelgan.
|
| |
