|
Elec16mbk elektronika va sxemalar 2
|
| bet | 9/11 | | Sana | 10.09.2024 | | Hajmi | 0,59 Mb. | | #270804 |
Bog'liq 8iHTfOddPYWpifDBRAJDQz5txOxy3dCkTWXU9ZxmYemirish. Yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda «darcha»lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurchalar» hosil qilish uchun qo‘llaniladi.
Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va «darcha»lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi.
7.7- rasm. Diffuziya yordamida legirlash
Ba’zan yarimo‘tkazgichni turli kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab turli tezlikda eritish va natijada turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurcha»lar hosil qilish zarur bo‘ladi.
7.8- rasm.Yemirish jarayoni
Anizotrop yemirish bilan, masalan, mikrosxemalar tayyorlashda (elementlarni bir-biridan dielektrik bilan izolatsiyalashda) dielektrik qatlam o‘stiriluvchi «chuqurcha»lar hosil qilinadi.
7.9-rasm. Anizotrop yemirish jarayoni
Fotolitografiya. Yarimo‘tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o‘zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi.
Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolatsiyani amalga oshirish uchun qo‘llaniladi. Pardalar vakuumda termik bug‘latish, materialni ionlar bilan bombardimon qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritmadan kimyoviy o‘tkazish usullari bilan hosil qilinadi. Har bir usulning afzalligi va kamchiligi mavjud.
Kremniy asosidagi IMSlarda metallashni amalga oshirish uchun asosan alyuminiydan foydalaniladi. Narxi qimmat bo‘lmagan holda, ko‘rsatib o‘tilgan metallar kabi, u p–kremniy bilan omik (to‘g‘rilamaydigan) kontakt hosil qiladi, kichik solishtirma qarshilikka ega va katta tokka chidaydi. Alyuminiy vakuumda termik bug‘latish usuli bilan sirtga o‘tkaziladi. n–turli soha bilan omik kontakt hosil qilish uchun undagi donorlar konsentratsiyasi 1020 sm-3 atrofida bo‘lishi kerak.
Bundan yuqori konsentratsiyaga ega bo‘lgan soha n+ deb belgilanadi.
|
| |
