|
- rasm. Jonson integral generatori
7.2. Integral mikrosxemalarining tayyorlash texnologiyalari
|
| bet | 3/11 | | Sana | 10.09.2024 | | Hajmi | 0,59 Mb. | | #270804 |
Bog'liq 8iHTfOddPYWpifDBRAJDQz5txOxy3dCkTWXU9Zxm7.1- rasm. Jonson integral generatori
7.2. Integral mikrosxemalarining tayyorlash texnologiyalari
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo‘lib, yagona konstruktsiya hisoblanadi. IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
IMS ning asosiy konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib, asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy, germaniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.
Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib, ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari diapazoning kengligi.
|
| |
