|
Elec16mbk elektronika va sxemalar 2
|
| bet | 10/11 | | Sana | 10.09.2024 | | Hajmi | 0,59 Mb. | | #270804 |
Bog'liq 8iHTfOddPYWpifDBRAJDQz5txOxy3dCkTWXU9Zxm7.10- rasm. Pardalar hosil qilish jarayoni
7.6. Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarda rezistorlar va kondensatorlar
Ko‘pgina hollarda yarimo‘tkazgichli IMS larda rezistorlar bazaviy hudud asosida olinadi. Rezistorni asosdan izolyatsiyalash uchun parazit p-n-p tranzistorni kesish rejimida bo‘lishi kerak. Shu maqsadda n-qatlamdan K chiqishga yuqori potensial beriladi. Nominal qarshilik qiymatidan og‘ish 10 ...20% ni tashkil qiladi. n-p-n tuzilishiga asoslangan rezistorlarga ko‘ra, zamonaviy IMSlarda rezistorlar sifatida ion legirlash asosida yaratilgan nozik rezistiv plyonkalardan foydalanadi. Bunday holda qalinligi 0,1...0,3 mkm bo‘lgan qarshilik plyonkalarini olish mumkin. Rezistorlar sifatida emitter, baza yoki kollektor sohalarining sig‘im qarshiligidan foydalanish mumkin. Ba’zi hollarda yarimo‘tkazgichli ISlar kremniy dioksidi yuzasiga yotqizilgan nozik plyonkali rezistorlardan foydalanadi. Bunday rezistorlar yuqori ishlab chiqarish aniqligi bilan ajralib turadi.
7.11- rasm. Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarda rezistor va kondensatorlarni olish texnologiyasi, A,B-chiqish nuqtalari, I- izolyatsiya qilish uchun chiqishi
Yarimo‘tkazgichli ISlarda kondensatorlar sifatida p-n o‘tish sig‘imlari yoki MDYo‘ tuzilmalari ishlatiladi. Agar kondansator sifatida p-n o‘tishning sig‘imi ishlatilsa, u holda o‘tishga teskari kuchlanish berikitishi kerak. Bunday holda, kondansatorning sig‘imi ushbu kuchlanishning qiumatiga bog‘liq bo‘ladi. MDYo‘ da yasalgan kondensatorlar eng yaxshi xususiyatlarga ega bo‘lib, ularda pastki asos emmiter n + qatlami, dielektrik qatlamlari SiO2 va yuqori qoplama metall pardadan yasaladi. Bunday kondensatorning sig‘imi beriladigan kuchlanishning qiymati va ishorasiga deyarli bog‘liq emas. Amalda, solishtirma sig‘im ± 20% bardoshlik bilan 400 dan 650 pF / sm2 gacha.
|
| |
