Mantiqiy IMS negiz elementlari tuzilishiga ko‘ra quyidagi guruhlarga bo‘linadi: diodli — tranzistorli mantiqiy elementlar (DTM); tranzistor — tranzistorli mantiq elementlari (TTM); tok qayta ulagichlari asosidagi emitterlari bog‘langan mantiq elementlari (EBM); MDYa — tranzistorlarda yasalgan elementlar; injeksion manbali elementlar (I2M). Elektron kalit turi mantiq turi bilan aniqlanadi.
VT3
R2
at bi
66 — rasm.
Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potensiali (mantiqiy nol potensiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o‘tish1ari kollektor o‘tish kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo‘na1ishda oqib o‘tadi: kuchlanish manbai Yes — rezistor R1 — KET baza — emitteri — kirishdagi signal manbai — umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo‘lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V — mantiqiy bir) yuzaga keladi.
Ko‘rinib turibdiki, faqat bitta kirishga mantiqiy 0 berilsa holat o‘zgarmaydi. Demak, biror kirishda mantiqiy 0 mavjud bo‘1sa chiqishda mantiqiy 1 hosil bo‘ladi. Qachonki barcha kirishlarga mantiqiy l berilsagina chiqishda mantiqiy 0 hosil bo‘1adi. Haqiqiylik jadvalini tuzib bu element 2HAM-EMAS amalini bajarishini ko‘ramiz. Ko‘rib o‘tilgan bu element kichik xalaqitlarga bardoshligi, kichik yuklama qobiliyati va yuklama sig‘imi
SYu(katta fi2 qarshilik orqali)ga
ishlaganda, kichik tezkorlikka ega ekanligi sababli keng ko‘lamda qo‘llani1maydi.
Murakkab invertorli TTM sxemasi ko‘rib o‘tilgan sxemaga nisbatan yaxshilangan parametrlarga ega (66 b-rasm). Bu element uch bosqichdan tashkil topgan:
- kirishda
R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi);
- fi7 va
R2 rezistorli VTl tranzistorda bajarilgan faza kengaytirgich;
- VT2 va VT3 tranzistorlar,
R3 rezistor va VD diodda bajarilgan ikki taktli chiqish kuchaytirgichi.
Bu sxema nisbatan kichik chiqish qarshilikka ega bo‘lib, yuklama sig‘imidagi qayta zaryadlanishni tezlashtiradi.