|
Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elementlari. Reja
|
| bet | 6/10 | | Sana | 14.05.2024 | | Hajmi | 116,45 Kb. | | #231594 |
Bog'liq 2-mavzu. Ims tayyorlash texnologiyasi. Ims aktiv va passiv elemeDiffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristallga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o‘zgartirib legirlovchi kiritmalar konsentratsiyasini, energiyasini o‘zgartirib esa, legirlash chuqurligini boshqarish mumkin.
Yemirish. Yarim o‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarim o‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda «darcha»lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurchalar» hosil qilish uchun qo‘llaniladi. Yarim o‘tkazgich sirtini tozalash va «darcha»lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarim o‘tkazgich barcha kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan yarim o‘tkazgichni turli kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab har xil tezlikda eritish va natijada kerakli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurcha»lar hosil qilish zarur bo‘ladi. Anizotrop yemirish bilan, masalan, mikro sxemalar tayyorlashda (elementlarni bir-biridan dielektrik bilan izolyatsiyalashda) dielektrik qatlam o‘stiriluvchi «chuqurcha»lar hosil qilinadi.
Fotolitografiya. Yarim o‘tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o‘zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi.
Fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvars shishani qob orqali yoritiladi. Niqoblar shaffof va shaffof emas sohalarga ega bo‘lgani uchun fotorezistning ma’lum sohalariga yorug‘lik (ultrabinafsha nur) ta’sir etib, uning xususiyati o‘zgartiriladi. Bunday niqoblar fotoshablonlar deb ataladi. Fotorezist turiga bog‘liq holda uning eruvchanligi ortishi (pozitiv fotorezist) yoki kamayishi (negativ fotorezist) mumkin. Pozitiv fotorezist qatlam yorug‘lik nuri ta’sirida nobarqaror holatga o‘tadi va erituvchi ta’sirida eriydigan, negativ fotorezist esa, aksincha, yorug‘lik ta’sirida erimaydigan bo‘lib qoladi, uning yorug‘lik ta’siridan himoyalangan sohalari eriydi. Shunday qilib, fotorezist qatlamdan fotoshablondagi shaklni takrorlovchi himoyalovchi niqob hosil qilinadi. Fotorezist qatlamda hosil qilingan «darcha»lar orqali oksidlangan yarim o‘tkazgichning himoyalanmagan sohalariga kimyoviy ishlov beriladi (emiriladi).
IMS tayyorlashda fotolitografiya jarayonidan bir necha marta(5÷7 marta) foydalaniladi (negiz qatlamlar, emitterlar, omik kontaktlar hosil qilishda va h.k.). Bunda har gal o‘ziga xos «rasm» lifotoshablonlar ishlatiladi.
Oltita EREga ega IMS hosil qilishda fotolitografiya jarayonining ketma-ketligi 2.1-rasmda ko‘rsatilgan.
2.1-rasm. Fotolitografiya jarayonining ketma-ketligi.
|
| |
