Ma’lumotlar o‘zgartiruvchi standart sxemalarni qamragan analog tizimlar dunyosi bilan kompyuterlar tizimlarining o‘zaro ta’sirlari bilan bog‘liq muammolar haqida ma’lumot bering

Download 223,53 Kb.
bet	9/19
Sana	07.01.2024
Hajmi	223,53 Kb.
	#131742

Bog'liq
18-25
Diplom ilova 1, 2-amaliy, jsSFZJC4LWJnkmedr1Ts7eg6t79Hlmea, Mavzu Notiqlik tarixi. Sharq notiqligi reja, 3-Mustaqil ishi kiber etika kiber huquq, Matematika (7), NANOELEKTRONIKA ASOSLARI, Sifat so\'z turkumini o\'rganish jarayonida o\'quvchilar nutqini o\' (1), Texnologik mashinalar va jixozlarni tamirlash. (3), Ehtimollar nazariyasi va matematik statistika Farmonov Sh. Q (1), 1-mustaqil ish kiberxavfsizlik, 3-amaliy mashg'ulot MTva A, Kasbiy psixologiya-hozir.org, Abdiraimov Umid 4, application integration

Bu sahifa navigatsiya:

• Gibrid IS (yoki GIS)
• Yarim o‘tazgichli IMSlar Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar
• ME asosiy parametrlari. ME amplituda uzatish xarakteristikalari.
• Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) haqida tushuncha. EBM MEning ishlash mexanizmi.
• 4.Barqaror tok generatorini sxemasini chizing va tushuntiring

Pardali va gibrid mikrosxemalar Pardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi. Parda hosil qilish usuli va unga bog‘liq bo‘lgan qalinligiga ko‘ra yupqa pardali IS (parda qalinligi 1 – 2 mkmgacha) va qalin pardali IS (parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va katta) larga bo‘linadi. Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi. Gibrid IS (yoki GIS) – bu pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona dielektrik asosda joylashgan mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar. Gibrid integral mikrosxemalarning asosiy afzalligi: nisbatan qisqa ishlab chiqish vaqtida analog va raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; MDYa – asboblar, diodli va tranzistorli matrisalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi. Yarim o‘tazgichli IMSlar Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar va MDYa IMS larga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMSlar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. 2. ME asosiy parametrlari. ME amplituda uzatish xarakteristikalari. ME asosiy parametrlari. ME amplituda uzatish xarakteristikalari:ME (Modulation Envelope) amplituda modulyatsiyasi sathida o‘zgaruvchan bo‘lgan signalning amplitudasi va uning amplituda uzatish xarakteristikalarini ta'minlaydi. ME asosiy parametrlari quyidagilardir:- Amplituda: ME amplitudasi, signalning boshqa amplitudalariga nisbatan o‘zgaruvchan bo‘lgan amplituda miqdoridir.- Maksimal amplituda: ME amplitudasi o‘zgaruvchanligi davomida erishilgan maksimal amplituda miqdoridir.- Minimal amplituda: ME amplitudasi o‘zgaruvchanligi davomida erishilgan minimal amplituda miqdoridir.- Orta amplituda: ME amplitudasi o‘zgaruvchanligi davomida amplituda qiymatlarining o‘rtacha miqdoridir.- Amplituda o‘zgaruvchanligi: ME amplitudasi o‘zgaruvchanligi, signalning o‘zgaruvchan bo‘lgan amplituda miqdoridagi farqi va o‘zgarishlarning xisoblangan miqdori hisoblanadi.- Amplituda uzatish faktori: ME amplitudasi uzatishining qanday tezroq o‘zgarishi uchun amplituda o‘zgaruvchanligining ko‘rsatkich o‘zgarishiga nisbatan ko‘rsatkich hisoblanadi.- Amplituda modulyatsiyasi: ME amplitudasi, modulyatsiya jarayonida o‘zgaruvchan bo‘lgan amplituda miqdoridir 3 . Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) haqida tushuncha. EBM MEning ishlash mexanizmi. Emitterlari bog‘langan mantiq (Emitter-Coupled Logic, ECL): Emitterlari bog‘langan mantiq, ya'ni ECL, tranzistorlardan iborat logikalar tizimini ifodalaydi. ECL logikasi oddiy logikalardan farq qiladi, chunki unda emittersiz tranzistorlardan foydalaniladi. Bu logikalar odatda yuqori tezlik va yuqori ishlovchanlik talab qiluvchi ilovali ishlovchanlikka ega bo'lgan tizimlarda foydalaniladi.Tok qayta ulagichi haqida sxemalar bilan izohlang:Tok qayta ulagichlari (Current-mode logic, CML) yuqori tezlikli logikalarni ishlab chiqish uchun ishlatiladi. Ular odatda emitter qayta ulagichlari deb ham ataladi. CML sxemalari quyidagi sxemada ko'rsatilgan ------R1-------- | | | Vcc IN+ OUT | | | | ------R2-------- Sxemada IN+ input, OUT output bo'lib, R1 va R2 rezistorlar, Vcc esa ta'minot vlotaji (power supply voltage) hisoblanadi.IN+ ga kiritilgan toki IN- va Vcc o'rtasida ulanish chiqadi. Kirishga kiritilgan toqiqli amplituda IN+ ni Vcc / R1 rezistor bo'yicha chiqaradi. Kiritilgan toki o'zida o'zgarishlar bo'lganda, kiritish toki amplituda ham o'zgaradi, shuning uchun CML sxemalari yuqori tezlikdagi ishlovchanlik uchun moslashiladi.4. 4.Yorug’lik diodlari LED-elektr tokini to'g'ridan-to'g'ri yorug'lik nuriga aylantiradigan yarim o'tkazgich qurilmasi. LED yarim o'tkazgich qurilmasi bo'lgani uchun, kontaktlarning zanglashiga olib kirilganda polaritani kuzatish kerak. LED ikkita chiqishi bor, ulardan biri katod ("minus"), ikkinchisi anod ("ortiqcha"). LEDning ishlash printsipi quyidagicha: yorug'lik p-n-o'tish maydonidagi elektronlar va teshiklarni rekombinatsiya qilishda paydo bo'ladi. Shunday qilib, birinchi navbatda, p-n-o'tish kerak, ya'ni har xil o'tkazuvchanlik turlari bilan ikki yarim o'tkazgichning aloqasi. Buning uchun yarimo'tkazgich kristalining aloqa qatlamlari turli xil aralashmalar bilan qotishma qilinadi: bir tomondan qabul qiluvchi, ikkinchisi esa donor. Lekin har bir p-n-o'tish nur chiqaradi emas. Nima uchun? Birinchidan, faol LED maydonidagi taqiqlangan maydonning kengligi ko'rinadigan diapazonning yorug'lik kvantlarining energiyasiga yaqin bo'lishi kerak. Ikkinchidan, katod-teshikli juftlarni rekombinatsiyalashda nurlanish ehtimoli yuqori bo'lishi kerak, buning uchun yarim o'tkazgichning kristallari kamroq kamchiliklarga ega bo'lishi kerak, natijada rekombinatsiya nurlanishsiz sodir bo'ladi. Bu shartlar bir-biriga zid keladi. Haqiqatan ham, kristalldagi bir p-o'tishning ikkala shartiga rioya qilish uchun etarli emas va ko'p qatlamli yarim o'tkazgich tuzilmalarini, ya'ni rus fizikasi Jores Alferovning 2000da Nobel mukofotiga sazovor bo'lgan heteroystrukturiyalarni ishlab chiqarish kerak. LED orqali oqim qanchalik katta bo'lsa, u yorqinroq bo'ladi. Axir, oqim qancha ko'p bo'lsa, elektronlar va teshiklar bir vaqtning o'zida rekombinatsiya zonasiga tushadi. Biroq, oqim abadiy davom eta olmaydi. Yarimo'tkazgich va p-n o'tishining ichki qarshiligi tufayli diod isitiladi va muvaffaqiyatsiz bo'ladi 5. 4.Barqaror tok generatorini sxemasini chizing va tushuntiring. Download 223,53 Kb.

Download 223,53 Kb.