|
ma’ruza. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari. Elektr signallari kuchaytirgichlari. Teskari aloqa va uni kuchaytirish qurilmalarining xarakteristikalariga ta’siri. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari
|
| bet | 2/9 | | Sana | 09.02.2024 | | Hajmi | 1,26 Mb. | | #153743 |
Bog'liq 1-maruzaDastlabki integral mikrosxemalar. Integral sxemaning dastlabki g‘oyasi har birida bitta miniatyura (kichik hajmli) komponentni o‘z ichiga olgan kichik keramik asoslarni (mikromodullar deb ataladi) yaratish edi. Keyin komponentlar birlashtirilishi va ikki o‘lchovli yoki uch o‘lchovli ixcham panjaraga ulanishi mumkin. 1957 - yilda juda istiqbolli bo‘lib tuyulgan bu g‘oyani AQSh harbiylari uchun D. Kilbi taklif qilingan va mikromodulni yaratish bu dasturning asosiy maqsadi bo‘lgan. Loyiha jadal rivojlanishi natijasida D. Kilbi integral sxemaning mutlaqo yangicha tuzilishini yaratdi.
Texas Instruments kompaniyasida ishlayotgan D. Kilbi 1958 - yilda integral mikrosxemaga oid dastlabki ilmiy fikrlarni berdi, 1958 - yil oxirlarida esa integral mikrosxemaning dastlabki ishchi namunasini yasadi. U 1959 - yil fevraldagi patent arizasida D. Kilbi o‘zining yangi qurilmasini “yarimo‘tkazgichli material korpusida barcha elektron sxema komponentlari to‘liq integrallashgan” deb atadi. Ushbu yangi ixtironing birinchi marta Amerika harbiy-havo kuchlarining harbiy texnikasi uchun ishlatildi. D. Kilbi integral mikrosxemani ixtiro qilishda ishtirok etgani uchun 2000 - yilda fizika bo‘yicha Nobel mukofotini oldi. Aslida, D. Kilbining ixtirosi monolit integral mikrosxemalar (monolit IMS) emas, balki gibrid integral mikrosxemalar (gibrid IMS) bo‘lgan. D. Kilbi ixtiro qilgan integral sxema elementlari tashqaridan ulovchi similar vositasida bir-biriga ulangan bo‘lib, uni sanoat miqyosida ishlab chiqarish muammoli edi.
Kilbining ixtirosidan yarim yil o‘tib, boshqa bir kompaniyada ishlovchi olim Robert Noys birinchi haqiqiy yaxlit integral sxemani ixtiro qildi. Ushbu ixtiro D. Kilbining integral sxemasidan amalyotda ishlab chiqarish qulayligi bilan farq qilar edi. R. Noysning integral sxemasi kremniydan, D. Kilbining integral sxemasi esa germaniydan tayyorlangan edi. R. Noys monolit integral sxemasida barcha komponentlarni kremniy kristaliga joylashtiradi hamda ularni mis simlar bilan ulaydi.
Robert Noysning monolit integral sxemasi 1959 - yil boshida uning hamkasbi Jan Xorni tomonidan ishlab chiqilgan planar jarayon yordamida ishlab chiqarilgan. Zamonaviy integral sxemalar Djek Kilbi ixtiro qilgan gibrid integral sxemasiga emas, balki Robert Noysning monolit integral sxemasiga asoslangan. 1.2-rasmda integral sxema ixtirochilari Djek Kilbi (1923-2005) va Robert Noys (1927-1990) lar tasvirlangan.
Integral mikrosxemalar yaratilgandan beri ularning rivoji Mur (Gordon Earle Moore) qonuni asosida rivojlanib kelmoqda. Bu qonunga asosan har 2 yilda zamonaviy IMS lar ichidagi kompanenta va elementlar soni 2 marta ortib bormoqda.
IMSning murakkablik darajasi uning yarim o‘tkazgich asosida (taglikda) nechta element yoki kamponenta joylashtirilganligiga bog‘liq holda belgilanadi. Masalan, elementlarining soni 10 tagacha bo‘lgan mikrosxemalar birinchi darajali integral sxema yoki oddiy mikrosxema, elementlarining soni 100 tagacha bo‘lganlari - o‘rta (O‘IS) mikrosxema deb ataladi. Elementlarining soni 100-10 000 intervalida bo‘lsa bundai integral sxemalar uchinchi darajali va yana katta integral sxema (KIS) da 10 000 dan ortiq elementlar mavjud bo‘lsa ular o‘ta katta (O‘KIS), ya’ni yuqori darajada integrallanishli mikrosxemalar hisoblanadi. Shuningdek elementlar soni 106÷109 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YuIS) va giga yuqori (GYuIS) IMSlar ham ishlab chiqarilmoqda. Hozirda “O‘YuIS” va “GYuIS” nomlari deyarli ishlatilmaydi va elementlar soni 10 mingdan ortiq bo‘lgan barcha mikrosxemalar o‘ta katta integral sxema (O‘KIS) sinfiga tegishli deb hisoblanadi.
1.2-rasm. Integral sxema ixtirochilari: Djek Kilbi va Robert Noys.
Mikroelektronika o‘zining yarim asrdan ziyod rivojlanishi davomida integral sxema elementlari o‘lchamlarini o‘lchamlarini kichraytirish yo‘lida rivojlanmoqda. 1999 - yilda mikroelektronika texnologik ajratishning 100 nmli chegaraga etib keldi va nanoelektronikaga aylandi. Bu jarayon asosan optik litografiyaga asoslangan hisoblanadi.
Zamonaviy telekommunikatsiya va axborotlashtirish tizimining rivojlanish bosqichi tom ma’noda mikroelektronika va nanoelektronika mahsulotlarini qo‘llanilish darajasiga bog‘liqdir.
Integrallashgan mikroelektronika rivojlanishining tabiiy chegaralari mavjudligi sababli, bugungi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan bir qatorda elektronikaning yangi yo‘nalishi – analog elektronika ham jadal rivojlanib bormoqda.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
ma’ruza. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari. Elektr signallari kuchaytirgichlari. Teskari aloqa va uni kuchaytirish qurilmalarining xarakteristikalariga ta’siri. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari
|
