• Taqrizchi
  • MUNDARIJA KIRISH…………………………………………………………………………..4 I.BOB. Integral mikrosxemalarning yaratilishi. 1.1. IMS yaratish tarixi……….…………………………………………………6
  • 1.2. IMS turlari va ishlash prinsipi…………………………… ……………...10 II. MAYDON VA BIPOLYAR TRANZISTORNI IMSDA LOYHALASH 2.1. Maydonli transistor haqida……………………………………..…………16
  • Tushuntirish xatini rasmiylashtirish




    Download 53.57 Kb.
    bet2/6
    Sana22.12.2023
    Hajmi53.57 Kb.
    #126857
    1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Mavzu maydon va bipolyar tranzistor imsda hisoblash qo’llash lo-fayllar.org
    Ишланма, 7-мавзу, 1681232202, TV-Kanal Light site, 59887 7 MAVZU, Iqtisodiyot” kafedrasi “Biznesni rejalshtirish” fanidan kurs ish, Biznes etikasi va psixologiyasi-fayllar.org, ekspulutatsiya MUSTAQIL ISH 1818, 2-amaliy, Neftni qayta ishlash usullari, Bo’lajak maktabgacha ta’lim pedagoglarini kreativ qobiliyatlarin-fayllar.org, 3-variant Enigma shifrlash mashinasi va uning bardoshligi, O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’limi, Nurmatov Nozimjon 176-21 guruh , 2. Kuchaytirgichlarda teskari bog‘lanish
    Tushuntirish xatini rasmiylashtirish___________________________________
    ________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________


    Xulosalar________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________


    Taqrizchi _________________________________________________________ (imzo, familiyasi, ismi, sharifi)
    Lavozimi__________________________________________________________


    Ish joyi____________________________________________________________
    «______»_______________________ 2022 yil

    Mavzu:MAYDON VA BIPOLYAR TRANZISTORNI IMSDA LOYHALASH
    MUNDARIJA
    KIRISH…………………………………………………………………………..4
    I.BOB. Integral mikrosxemalarning yaratilishi.
    1.1. IMS yaratish tarixi……….…………………………………………………6
    1.2. IMS turlari va ishlash prinsipi…………………………… ……………...10
    II. MAYDON VA BIPOLYAR TRANZISTORNI IMSDA LOYHALASH
    2.1. Maydonli transistor haqida……………………………………..…………16
    2.2.Bipolyar transistor haqida………………………………………... ……….20
    XULOSA………………………………………………………………………..45
    FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR………………………………………46
    KIRISH

    Birinchi IMSlar 1958-yilda yaratildi. IMSlaming hajmi ixcham, og‘irligi kam, energiya sarii kichik, ishonchliligi yuqori bo'lib, hozirgi kunda uchkonstruktiv-texnologik variantlarda yaratilmoqda: qalin va yupqa pardali, yarimo'tkazgichli va gibrid.1965-yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Murqonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 104-10° ta bo'lgan o'ta yuqori (O'YU IS) va giga yuqori (GYU IS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.Mikroelektronikaning qariyb yarim asrlik rivojlanish davri mobaynida IMSlarning keng nomenklaturasi ishlab chiqildi. Telekommunikatsiya va axborot-kommunikatsiya tizimlarini loyihalovchi va ekspluatatsiya qiluvchi mutaxassislar uchun zamonaviy mikroelektron element bazaning imkoniyatlari haqidagi bilimlarga ega bo'lish muhim.Integral mikroelektronika rivojining fizik chegaralari mavjudligi sababli, hozirgi kunda an’anaviy mikroelektronika bilan birqatorda elektronikaning yangi yo'nalishi — nanoelektronika jadal rivojlanmoqda.Nanoelektronika o'lchamlari 0,1 dan 100 nm gacha bo'lgan yarimo'tkazgich tuzilmalar elektronikasi bo'lib, mikroelektronikaning mikrominiatyurlash yo'lidagi mantiqiy davomi hisoblanadi. U qattiq jism fizikasi, kvant elektronikasi, fizikaviy-kimyo va yarimo'tkazgichlar


    elektronikasining so'nggi yutuqlari negizidagi qattiq jismli texnologiyaning bir qismini tashkil etadi.So'nggi yillarda nanoelektronikada muhim amaliy natijalarga erishildi, ya’ni zamonaviy telekommunikatsiya va axborot tizimlarning negiz
    elementlarini tashkil etuvchi: geterotuzilmalar asosida yuqori samaradorlikka
    ega lazerlar va nurlanuvchi diodlar yaratildi; fotoqabulqilgichlar, o'ta yuqori chastotali tranzistorlar, birelektronli tranzistorlar, turli xil sensorlar hamda boshqalar yaratildi. Nanoelektron O'YIS va GYIS mikroprotsessorlarni ishlab chiqarish yo'lga qo'yildi.Shvetsiya Qirolligi fanlar akademiyasi ilmiy ishlarida tezkor tranzistorlar, lazerlar, integral mikrosxemalar (chiplar) va boshqalami ishlab chiqish bilan zamonaviy axborot kommunikatsiya texnologiyalariga asos solgan olimlar: J.I. Alferov, G. Kremer, Dj.S. Kilbini Nobel mukofoti bilan taqdirladi. Integral mikroelektronika va nanoelektronika bilan bir vaqtda funksional elektronika rivojlanmoqda. Elektronikaning bu yo'nalishi an’anaviy elementlar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar va kondensatorlar)dan voz kechish va qattiq jismdagi turli fizik hodisa (optik, magnit, akustik va h.k.)lardan foydalanish bilan bog'liq. Funksional elektronika asboblariga akustoelektron, magnitoelektron, kriogen asboblar va boshqalar kiradi.


    Download 53.57 Kb.
    1   2   3   4   5   6




    Download 53.57 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Tushuntirish xatini rasmiylashtirish

    Download 53.57 Kb.