Mavzu: maydon va bipolyar tranzistor imsda hisoblash qo’llash loyhalsh bajardi: 62-20 guruh talabasi Qabul qildi: M. Tojiboyev Taqrizchi: O. Urishev Kafedra mudiri: A. Quchqarov farg’ona – 2022

Download 53.57 Kb.
bet	4/6
Sana	22.12.2023
Hajmi	53.57 Kb.
	#126857

Bog'liq
Mavzu maydon va bipolyar tranzistor imsda hisoblash qo’llash lo-fayllar.org
Ишланма, 7-мавзу, 1681232202, TV-Kanal Light site, 59887 7 MAVZU, Iqtisodiyot” kafedrasi “Biznesni rejalshtirish” fanidan kurs ish, Biznes etikasi va psixologiyasi-fayllar.org, ekspulutatsiya MUSTAQIL ISH 1818, 2-amaliy, Neftni qayta ishlash usullari, Bo’lajak maktabgacha ta’lim pedagoglarini kreativ qobiliyatlarin-fayllar.org, 3-variant Enigma shifrlash mashinasi va uning bardoshligi, O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’limi, Nurmatov Nozimjon 176-21 guruh , 2. Kuchaytirgichlarda teskari bog‘lanish

1.2.IMS turlari va ishlash prinsipi. Hozirgi kunlarda tayyorlash usuli va bunda hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMS larnin g har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.Elementlari yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar yarimo‘tkazgich IMS deb ataladi.Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan mikrosxemalar pardali IMS deb ataladi. Pardalar turli materiallarni past bosimda yupqa qatlam sifatida o‘tkazish yo‘li bilan hosil qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga muvofiq IM S larni yupqa pardali (qalinligi 1—2 mkm ) va qalin pardali(qalinligi 10 mkm dan yuqori) larga ajratiladi. Adab iyotlarda ko‘p hollarda IMS yozuv o‘rn ig a IS deb yoziladi. Hozirgi kunda pardali diod va tranzistorlarning parametrlari barqaror bo‘lmagani sababli, pardali IMS lar faqat passiv elementlarga (rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada element parametrlarining ruxsat etilgan tarqoqligi 1-^2 % d an oshmaydi. Passiv elementlar parametrlari va ularning barqarorlig i hal qiluvchi ahamiyat kasb etganda bu juda muhim bo‘ladi. Shu sababdan pardali ISlar ba’zi filtrlar , faza o‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxemalar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda ishlatiladi. Gibrid IMS (yoki GIS) deb umuiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Disket komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi.Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) IMS tashqi ko’rinishi majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. IMSlarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinard. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo‘lib, yagona hisoblanadi. IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turimavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadiDielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi.Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.IMS ni loyihalash jarayonida asosiy elementlarning parametrlari aniqlanib, yuzaga kelishi mumkin bo’lgan zararli sig’im va oquvchanlik toklarining oldini olish choralari ko’rib chiqiladi. IMS loyihalashda bir yo’la bir necha element hosil qilinishi sababli ularning texnologiyaviy parametrlari birgalikda hisobga olinishi kerak, ya’ni ularning geometrik o’lchamlari, diffuziya jarayonlarining harorati, elementlarning kristallda joylashish topologiyasi o’zaro bog’liq holda loyihalanishi lozim.IMS loyihalashning o’ziga xos jihatlari quyidagilardan iborat:Hozirda IMS lar EHM larda loyihalanadi bunda maket-prototip tayyorlash zarurati bo’lmaydi. Deyarli barcha texnologiyaviy jarayonlarni dasturlash imkoniyati mavjud. Boshqacha qilib aytganda, berilganxarakteristikalarga ega bo’lgan.IMS ni yaratish va uning parametrlarini nazorat qilishni modellashtirish mumkin.IMS da deyarli hamma elementlar o’rnida aktiv elementlar ishlatiladi. Masalan, diod o’rnida bipolyar tranzistorning p-n o’tishlaridan biri ishlatilishi mumkin.IMS loyihalash jarayonida issiqlik turg’unligini, kam quvvat sarfini ta’minlash imkoniyatlari mavjud.Hozirgi kunda IMS lar yaratish, ularning parametrlarini nazorat qilish hamda tarkibiy va elektr sxemalarini modellashtirishning katta dasturiy bazasi yaratilgan bo’lib, bu yanada murakkabroq va mukammalroq IMS lar yaratish imkonini beradi. Gibrid IMS lar Gibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elem en tlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi.Gibrid IMS lar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi.GISlarning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisb atan kichik davrida analog va raqamli mikrosxem alarning keng sinfini yaratish im koniyatidan , keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (M D Y — asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining ko‘pligidan iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish — uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OlYCH qurilmalarda va boshqalarda qo'llaniladi. 1.8-rasm Tranzistorlardan iborat mikrosxema Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarim o'tkazgich integral mikrosxemalar bipolyar va MD Y /M S larga ajratiladi. Hozirgi kunda p-n o 'tish bilan boshqariladigan MTlr asosida yaratilgan IMSlar katta ahamiyat kasb etmoqda. 14 Ushbu sinfga arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida b o ‘lgan MTlar kiradi. So‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham m aydoniy tran zisto rlar ishlatilgan IMSlar ham tayyorlanmoqda.IMS ning funksional murakkabligi uning tarkibidagi element va komponentlar sonini ko‘rsatuvchi integratsiya darajasi bilan ifodalanadi. Integratsiya koeffitsienti son jihatda n K= l g N tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda: N — sxema elementlari va komponentlari soniюOddiy IMSlarga misol sifatida mantiq elementlarni ko‘rsatish mumkin. IMlSlarga jamlash qurilmasi, hisoblagichlar, operativ xotira qurilmalari (O X Q ), sig‘im i 256 —1024 bit bo‘lgan doimiy xotira qurilm alari (D X Q ) misol bo‘la oladi. IMSlarga mantiqiy — arifmetik va boshqaruvchi qurilmalar kiradi. IMS larga 1,9 milliard M D Y — tranzistorlardan tashkil topgan , sig ‘im i 294 MB bo‘lgan xotira mikrosxemalari misol bo‘la oladi.Kristaldagi elementlar joylashuvining zichligi — birlik yuzaga to ‘g ‘rikeluvchi elem en tlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi sifatining muhim ko’rsatkichi hisoblanadi. Texnologiya darajasi minimal texnologik o'lcham , ya’ni erishish mumkin bo‘lgan eng kichik o‘lcham bilan ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi masofa bilan xarakterlanadi.IMSlar ishlab chiqarish texnologiyasini mukammallashtirish jarayonida minimal texnologik h a m Aning yillar bo‘yicha o‘zgarishi Xotira qurilmalarida elementlar joylashuv zichligi har ikki yilda ikki marta ortib borayotganini 1965-yilda Gordon Murbashorat qilgan edi.Funksional vazifasiga ko‘ra IMSlar analog va raqamligab olinadi. Analog IMSlarda signal uzluksiz funksiya sifatida o'zgaradi. Eng keng tarqalgan analog IS — operatsion kuch aytirgichdir. Raqamli IS lar diskret ko‘rinishda berilgan signallarni o‘zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi. Download 53.57 Kb.

Download 53.57 Kb.