|
I.BOB. Integral mikrosxemalarning yaratilishi
|
| bet | 3/6 | | Sana | 22.12.2023 | | Hajmi | 53.57 Kb. | | #126857 |
Bog'liq Mavzu maydon va bipolyar tranzistor imsda hisoblash qo’llash lo-fayllar.org Ишланма, 7-мавзу, 1681232202, TV-Kanal Light site, 59887 7 MAVZU, Iqtisodiyot” kafedrasi “Biznesni rejalshtirish” fanidan kurs ish, Biznes etikasi va psixologiyasi-fayllar.org, ekspulutatsiya MUSTAQIL ISH 1818, 2-amaliy, Neftni qayta ishlash usullari, Bo’lajak maktabgacha ta’lim pedagoglarini kreativ qobiliyatlarin-fayllar.org, 3-variant Enigma shifrlash mashinasi va uning bardoshligi, O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’limi, Nurmatov Nozimjon 176-21 guruh , 2. Kuchaytirgichlarda teskari bog‘lanishI.BOB. Integral mikrosxemalarning yaratilishi.
1.1. IMS yaratish operatsiyalari
Tayyorlov operatsiyalari.Yarim o'tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo'lg an — kremniy monokristall quymalari olishdan boshlanadi. Monokristall quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud.Choxralskiy usulida tarkibig a donor yoki akseptor kiritmalar qo'shilgan o‘ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. Eritma eritgan monokristall o‘z o‘qi atrofida asta-sekin aylantirilib ko‘tariladi. Monokristall k o ‘tarilishi bilan eritma kristalanadi va kremniy monokristali hosil bo'ladi. Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n — yoki p — turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo'ladi. Quyma
uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin.Zonali eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristalning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristalning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarnin berigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligig a qaraganda katta bo‘lsa, o‘sha kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristalning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o‘sha yerda to‘planadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos uning kristali tuzilishini takrorlovch i yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta’minlash va kristalanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo'lg an kristall panjara sifatida xizmat qiladi.Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMS ning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular monokristall asos sirtida n— yoki p —turli o ‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.Termik oksidlash. Termik oksidlash — kremniy sirtida oksid (SiO,)qatlam (pard a) hosil qilish maqsadida su’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon . Yuqori (1000-^1200) °C temperaturalarda kechadi.IMS lar tayyorlashda SiO, qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDY — tranzistorlarda zatvor
ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.Legirlash. Yarim o‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IM S lar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish uchun , zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak . L egirlashning asosiy usllari yuqori temperaturalarda kiritmalar atom larini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombarimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish) dan iborat.
Chip ichki tuzulishi Mikrosxema tuzulishi
Diffuziya yordamida legirlash b u tu n kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirq ish lar o rqali m a’lum sohalarda (lokal) amalg a oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilg an kiritma ionlarin niqobdagi tirqish lar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi.Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi.
Ionlar tokini o'zgar tir ib legirlovchi kiritmalar konsentratsiyasin energiyasini o‘zgartirib esa — legirlash chuqurligini boshqarish mumkin.Yemirish. Yarim o‘tkazg ich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalami kimyoviy moddalar hamda ularing aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarim o‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda “darcha”lar ochish va turli ko‘rinishgaega bo'lg an “chuqurchalar” hosil qilish uchun qo'llaniladi.Yarim o‘tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarim o'tkazgich b arch a kristalografik yo'nalish lar bo'ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan y arim o 'tk azg ich n i turli kristalografik yo'nalishlar bo‘ylab turli tezlikda eritish va natijada
1.4-rasm (b-Mikrosxema 16 kirishli, c-mikrosxema 8 kirishli, d,e-mikrosxema 9 kirishli,f-tranzistor,g,i-kuchaytirgich va uning tuzulishi 8 tali )
Plastinalarni kristalarga ajratish va yig ‘ish operatsiyalari. Barcha asosiy texnologik operatsiyalar bajarib bo'lingandan so‘ng, yuzlarcha va undan ko‘p
ISlarga ega plastina alohida kristalarga bo‘linadi.Plastinalar lazer skrayber yordamida, ya’n i tayyorlangan IS lar orasidan lazer nurin i yurgizib kristalarga ajratiladi. Ishlatishga yaroqli kristalar qobiqlarga o‘rnatiladi, bunda kristaliawal
qobiq qayelimlanadi yoki kavsharlanadi. So‘ng kristali sirtidagi kontakt yuzach alar qobiq elek trod larig a ingichka ( 0 20^-30 m k m ) sim lar y o rd am id a ulanadi. Simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya’ni ulanayotgan sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200 -^300°C temperaturada va yuqori bosimda bir - biriga bosib.Fotolitografiya.Yarim o'tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o ‘zgartiruvchi, fotorezistdeb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi.Fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvars shisha niqob orqali yoritiladi. Niqoblar shafifof va shaffof emas sohalarga ega bo‘lgani uchun fotorezistning ma’lum sohalarig a yorug‘lik (ultrabinafsh a nur) ta’sir etib, uning xususiyati o‘zgartiriladi. Bunday niqoblar fotoshablonlar deb ataladi. Fotorezist turig a bog ‘liq holda uning eruvchanligi ortishi (pozitiv fotorezist) yoki kamayishi (negativ fotorezist) mumk in . Pozitiv fotorezist qatlam yorug‘lik nuri ta ’sirida nob ar qaror holatga o‘tadi va erituvchi ta ’sirida eriy dig an , negativ fotorezist esa — aksincha, yorug'lik ta ’sirida erim aydigan bo‘lib qoladi, uning yorug‘lik ta’siridan himoyalangan sohalari eriydi. Shunday qilib, fotorezist qatlamdan fotoshablondagi shaklni takrorlovchi himoyalovchi niqob hosil qilinadi. Fotorezist qatlamda hosil qilingan “darcha” lar orqali oksidlangan yarim o'tkazgiching himoyalanmag an sohalariga kim yoviy ishlov beriladi (yemiriladi).IMS tayyorlashda fotolitografiya jarayonidan bir necha marta (5-^7 marta) foydalanilad i (negiz qatlamlar, emitterlar, omik kontaktlar hosil qilishda va h.k.). Bunda har gal o‘ziga xos “rasm ’’ fotoshablonlar ishlatiladi.
Integral mikro sxema turlari
|
| |
