belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi:
yarim o‘tkazgichli
va
dielektrik
.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy
arsenidi keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir
qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida
joylashadi.
Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. YArim
o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta
integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni
juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi.
Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi
izolyasiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va
elektr parametrlari tanlovining kengligi.
Pardali IS
– bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda
ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past bosimda turli materiallardan
yupqa paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi.
