|
– rasm. Yasalgan bosma plataning (SMD) montaj sxemasi
|
| bet | 4/6 | | Sana | 18.12.2023 | | Hajmi | 26,42 Kb. | | #122486 |
Bog'liq Mavzu Rezistorlar, ularning xususiyatlari klassifikatsiyasi, be-fayllar.org corporate culture, Gaz jihozlaridan foydalanish va ularni ta\'mirlash (M.Otaboyeva, N.Amirqulov), Halqa tarmoginig uchastkalarida hisoblangan soatlik gaz sarfini, 2022-23 Oquv uslubiy majmua NGKM compressed, AHOLI VA INSON OMILI реферат, ayd-1, qvl-2, ayp-3, 6-laboratoriya ishi Mavzu To’liq aniqlangan Bul funksiyalari. K, 1-amal sxemo, 1-ON sxemo, Arduino-dlya-nachinayushih-svetodiody-i-knopki, kurs ishi 4-kurslar S1201- guruh, 3-amaliy topshiriq, hatlov6.7 – rasm. Yasalgan bosma plataning (SMD) montaj sxemasi.
Diskretli rezistorlar qo‘llanilishi, VAX turi, himoya va montaj usulli, qarshilikni o‘zgarish xarakteri, ishlab chiqarish texnologiyasi bo‘yicha klassifikatsiyalanadi.
Qo‘llanilishi bo`yicha:
Umumiy qo‘llaniladigan rezistorlar; o Maxsus qo‘llaniladigan rezistorlar; o Yuqori qiymatli (qarshiligi 10 MOmdan TOm birligigacha, ishchi
kuchlanishi 100, 400 V); o Yuqori kuchlanishli (ishchi kuchlanish 10 kV);
Yuqori chastotali (kichik induktivlik va sig‘imga ega, ish chastotasi 100
MGs gacha); o Pretsizion(aniqlik klassi juda yaqin) va yuqoripretsizion (aniqlik klassi juda yuqori 0,001 — 1 %).
O‘zgarmas(doimiy) O‘zgaruvchan Rostlanuvchi rezistorlar (kovsharlab osma rezistorlar. rezistorlar montaj uchun)
6.8- rasm. Rezistorlarning turlari Qarshilikni o‘zgarish xarakteri bo‘yicha:
Himoya usulli bo‘yicha:
izolyasiyalangan rezistorlar;
izoyalyasiyalanmagan rezistorlar;
vakkuumli rezistorlar;
germetiklangan rezistorlar.
Montaj usulli bo‘yicha:
bosma paneli usulida o‘rnatilishi;
rezistorlarni ikki ulanishi joylari kavsharlanadigan;
mikrosxema va mikromodellar uchun; Volt amperli xarakteristikasi turi bo‘yicha: o chiziqli rezistorlar; o egri chiziqli rezistorlar; o Varistorlar – qarshilik rezistorga berilgan kuchlanishga bog‘liq; o Termistorlar – qarshilik haroratga nisbatan o‘zgaradi; o Fotorezistorlar – qarshilik yorug‘likga nisbatan o‘zgaradi; o Tenzorezistorlar – qarshilik rezistorning deformatsiya ta’sirida o‘zgaradi; o Magnitorezistorlar – qarshilik magnit maydonining qiymatiga nisbatan
o‘zgaradi; o Memristorlar (ishlab chiqish uchun rejalashtirilgan) – qarshilik undan o‘tib turgan zaryadga bog‘liq (ish vaqtidagi integral tokiga).
|
| |
