Mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar

Reja:

1. 
   Tok qayta ulagichi
   
2. 
   EBM ME sxemasi
   
3. 
   500 seriyaga mansub EBM element sxemasi
   
4. 
   n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
   
5. 
   n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va
   
6. 
   2YOKI-EMAS MElari
   

Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bо‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bо‘ladi va bazada qо‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar tо‘planayotganda BT tо‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga о‘tishi uzoq kechadigan jarayon bо‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.

U ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan bо‘lib, ularning har biri tranzistor va rezistordan iborat. Umumiy emitter zanjirida BTG I₀ ishlaydi.

• 
  Tayanch kuchlanish U₀ = 1,2 V.
  
• 
  Agar UKIR qiymati Δ ≤ 0,1 V ga kamaysa, u holda I_E1 tok I₀ ga nisbatan 1 % gacha kamayadi, I_E2 tok esa 99 % gacha ortadi.
  
• 
  Demak, kirish signali U_-KIR ≤ U₀ – Δ (mantiqiy 0) bо‘lganda VT1 tranzistor berk bо‘ladi, VT2 tranzistordan esa tо‘liq I₀ toki oqib о‘tadi.
  
• 
  Agar U_KIR qiymati Δ ≥ 0,1 V ga ortsa, u holda I_E1 tok I₀ ga nisbatan 99 % gacha ortadi, I_E2 tok esa 1 % gacha kamayadi.
  
• 
  Demak, kirish signali U_+KIR ≥ U₀ + Δ (mantiqiy 1) bо‘lganda VT2 tranzistorni berk deb hisoblash mumkin, VT1 tranzistordan esa tо‘liq I₀ tok oqib о‘tadi.
  
• 
  Natijada ideal tok qayta ulagichiga ega bо‘ldik.
  

Sathlar orasidagi farq - qayta ulanish kichikligi uning kamchiligi hisoblanadi, chunki qayta ulanish sohasi kirish signallarini tayanch kuchlanish U₀ dan U_QU=U_+KIR–U_-KIR=2Δ≈ 0,3 V qiymatga о‘zgarishi bilan aniqlanadi. Demak, xalaqitbardoshlik ham kichik bо‘ladi.