|
INTERNATIONAL SCIENTIFIC-PRACTICAL CONFERENCE ONBog'liq 12-15 INTERNATIONAL SCIENTIFIC-PRACTICAL CONFERENCE ON
"MODERN EDUCATION: PROBLEMS AND SOLUTIONS"
Vol.2 No.11 (2023)
14
Aralashma markazlarida yorug‟likni yutilish koeffitsienti, xususiy yutilishga
nisbatan kam bo‟lganligi uchun aralashma bilan boyitilgan yarim o‟tkazgichda
aralashma markazlariga tegishli fotoo‟tkazuvchanlikni sezish uchun namuna qalin
bo‟lishi kerak.
1- rasmdan ko‟rinib turibdiki hν>E
g
bo‟lganda kvant energiyasining ortishi bilan
fotoo‟tkazuvchanlikni
keskin
ortganligi,
hνg
bo‟lganda
esa,
fotoo‟tkazuvchanlikning o‟sishi juda kichik. Uncha katta bo‟lmagan
fotoo‟tkazuvchanlikning ortishini kristall panjaralarni issiqlik tebranishi natijasida
elektronlar
fluktuatsiyasi
energiyasining
ortishi
bilan
tushuntiriladi.
Fotoo‟tkazuvchanlikning qiymatini hν ning ortishi bilan o‟sishini va uning
kamayishi effektivligi zaryad tashuvchilar yashash vaqtining hajm va yuzada
o‟zgarishi bilan belgilanadi. Umumiy holda asosiy bo‟lmagan zaryad tashuvchilar
rekombinatsiyasi, material yuzasida hajmdagiga nisbatan ko‟proq bo‟ladi. Shu
sababli hν o‟sishi bilan k ni ortishi yutilayotgan energiyaning ko‟proq qismi
yuzada yutilishga sabab bo‟ladi va yuza yaqinida zaryad tashuvchilarni ko‟proq
bo‟lishiga olib keladi. Bu esa o‟z navbatida hajmga to‟g‟ri keladigan
rekombinatsiya miqdorini kamaytiradi, lekin yuzaga to‟g‟ri keladigan qismi ortadi.
Natijada
n
(yoki
p
) kamayadi, bu esa fotoo‟tkazuvchanlikning kamayishiga olib
keladi. Fotorezistorlar yordamida yorug‟likning intensivligini o‟lchash va
yorug‟lik bo‟yicha ishlaydigan qurilmalarda foydalanish mumkin.
1-rasm. Fotoo‟tkazuvchanlikni yorug‟lik energiyasiga bog‟liqligi
E
hv
|
| |
