|
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi tatu qarshi filiali “tt va kt” fakulteti
|
| bet | 2/6 | | Sana | 28.05.2023 | | Hajmi | 91.33 Kb. | | #66228 |
Bog'liq 2-mustaqil ish Normamatov A 2-Amaliyot topshiriqlari, Конс5пект отк55рытого56, Tasviri5y sana’tni o’qitish texnolo5giyasida didatika va metodika5, Qo198555445585, 1426069169 60401426069169 604044, Amaliy mashg\'ulot-5, KUNDALIK NAMUNA, Xayrullayeva Sarvinoz Tolibovna, Mavzu boshlang‘ich sinf o‘quvchilariga savod o’rgatish davrida , xx asr o`zbek adabiyoti, 425 02.08.2022, 1-kurs. sirtqi. O\'zbekistonning eng yangi tarix., 9-mavzu Katta guruhlar psixologiyasi, Mavzu XIX asrning 2 yarmi XX asrda jaxon pedagogika faning rivoHozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi. Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi. Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik. Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi. Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.
|
| |
