Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan

Download 91.33 Kb.
bet	5/6
Sana	28.05.2023
Hajmi	91.33 Kb.
	#66228

1 2 3 4 5 6

Bog'liq
2-mustaqil ish Normamatov A
2-Amaliyot topshiriqlari, Конс5пект отк55рытого56, Tasviri5y sana’tni o’qitish texnolo5giyasida didatika va metodika5, Qo198555445585, 1426069169 60401426069169 604044, Amaliy mashg\'ulot-5, KUNDALIK NAMUNA, Xayrullayeva Sarvinoz Tolibovna, Mavzu boshlang‘ich sinf o‘quvchilariga savod o’rgatish davrida , xx asr o`zbek adabiyoti, 425 02.08.2022, 1-kurs. sirtqi. O\'zbekistonning eng yangi tarix., 9-mavzu Katta guruhlar psixologiyasi, Mavzu XIX asrning 2 yarmi XX asrda jaxon pedagogika faning rivo

1- a ,b rasm.
2-rasm

Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan.

Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.

Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.

1- a ,b rasm.

Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.

Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.

Buning uchun asosga epitaksiyadan avval n+ - qatlam kiritiladi (2 - rasm). Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli n+ - qatlam orqali oqib o’tadi.

2-rasm

2- rasm

Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metallizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi: IMS bajarayotgan asosiy vazifa - elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (AIS), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral sxemalar (RIS) deb ataladi.Raqamli sxemalar asosida sodda tranzistorli kalit (ventil) sxemalar yotadi. Kalitlar ikkita turg‘un holatni egallashi mumkin: uzilgan va ulangan. Sodda kalitlar asosida ancha murakkab sxemalar yasaladi: mantiqiy, bibarqaror, triggerli (ishga tushuruvchi), shifratorli, komporatorlar va boshqa, asosan hisoblash texnikasida qo‘llaniladigan. Ular raqamli shaklda ifodalangan axborotni qabul qilish, saqlash, qayta ishlash va uzatish fuksiyasini bajaradilar.Integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi.

Download 91.33 Kb.

1 2 3 4 5 6

Download 91.33 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan

Download 91.33 Kb.