|
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi tatu qarshi filiali “tt va kt” fakulteti
|
| bet | 4/6 | | Sana | 28.05.2023 | | Hajmi | 91.33 Kb. | | #66228 |
Bog'liq 2-mustaqil ish Normamatov A 2-Amaliyot topshiriqlari, Конс5пект отк55рытого56, Tasviri5y sana’tni o’qitish texnolo5giyasida didatika va metodika5, Qo198555445585, 1426069169 60401426069169 604044, Amaliy mashg\'ulot-5, KUNDALIK NAMUNA, Xayrullayeva Sarvinoz Tolibovna, Mavzu boshlang‘ich sinf o‘quvchilariga savod o’rgatish davrida , xx asr o`zbek adabiyoti, 425 02.08.2022, 1-kurs. sirtqi. O\'zbekistonning eng yangi tarix., 9-mavzu Katta guruhlar psixologiyasi, Mavzu XIX asrning 2 yarmi XX asrda jaxon pedagogika faning rivoYarim o‘tazgichli IMSlar Tranzistorning ishlatilish turiga ko‘ra yarim o‘tkazgichli IMSlarni bipolyar va MDYa IMS larga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari, oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan IMSlar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi. Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda. Ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli ISlar texnologiyasi yarim o‘tkazgich kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga asoslangan. Natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar, ya’ni n–p–n yoki p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. Bir tranzistorning o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi. Alohida elementlarning izolyatsiyasi yoki r-n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga oshirilishi mumkin. Tranzistorli tuzilma faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi. Bipolyar va MDYa IMSlar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bipolyar va MDYa IMSlar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. - Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar.
|
| |
