|
Optik aloqa tizimlarida qo’llaniladigan yorug’lik manbalari
|
| bet | 2/4 | | Sana | 07.06.2024 | | Hajmi | 132,43 Kb. | | #261080 |
Bog'liq optik aloqa tizimlari 2 mustaqil ish.Optik aloqa tizimlarida qo’llaniladigan yorug’lik manbalari
TOATning tuzilish sxemasi (1.5-rasm) ham OATga xos standart qurilmalardan iborat.
Faqatgina optik signallarning tarqalishini ta’minlash uchun uzatish muhiti sifatida optik kabel tolasi ishlatiladi.
TOATning tuzilish sxemasi tarkibiga quyidagilar kiradi [4]:
KHQU — kanal hosil qiluvchi uskuna;
MvQ — muvofiqlashtiruvchi qurilma;
OUz — optik uzatkich;
ONM — optik nurlanish manbayi;
MQ — moslashtiruvchi qurilma;
UzOM — uzatuvchi optik rnodul;
OT - optik tola; OR - optik retranslyator;
OQq — optik qabul qilgich;
QqOM — qabul qiluvchi optik modul;
ONQq — optik nurlanish qabul qilgichi.
TOATda signallar optik tola orqali yo‘naltirilganligi uchun ularda OOATga xos kamchiliklar mavjud emas.
Shuning uchun telekommunikatsiya tarmoqlarida, asosan, TOATdan foydalaniladi. Keyingi bo‘limlarda TOAT haqida bayon etiladi.
Yarim o’tkazgichli lazer diodining parametrlarini temperaturaga bog’liqligi, degradasiya jarayoni.
Yorug‘lik diodi nuqtaviy yorug‘lik manbayi sifatida yo‘nalganlik diagrammasi bilan tavsiflanadi. Bu diagrammaning ko'rinishi yorug‘lik diodining tuzilish xususiyatlari, shuningdek, p- va n-tur materiallaming xossalari bilan aniqlanadi.
Quyidagi chizmalarda sferik tuzilishli GaAs (uzluksiz chiziqli) va yassi planar — epitaksial tuzilishli GaP (uzlukli chiziqlar) yorug'lik diodlarining yo'nalganlik diagrammalari keltirilgan. Ulardan ko‘rinadiki, tuzilishi xususiyatlariga qarab, nuqtaviy yomg'lik diodining nurlanishi ± 10° fazoviy burchak oralig'ida o‘tkir yo‘nalgan bo‘lishi ham, (130-140°) burchak oralig‘ida tekis taqsimlangan bo‘lishi ham mumkin.
Yomg‘lik diodining u yoki bu ko‘rinishdagi yo'nalganlik diagrammasiga yomg'lik manbayi bilan yaxlit tuzilishga ega bo'lgan qaytargichlar vositasida erishiladi.
Gap shundaki, past haroratiarda va tokning yetarli darajada katta qiymatlarida p-n o'tishda rekombinatsiyalangan har bir elektron-kovak jufti bittadan foton hosil qiladi, boshqacha ayt- ganda, nurlanishning kvant samaradorligi birga yaqin bo'iadi.
Biroq yassi tuzilishli diodlarda bu fotonlarning barchasi ham tashqariga chiqa olmaydi. Ularning ko‘pchiligi to‘la ichki qaytish hodisasiga ko‘ra, diod chegarasidan qaytadi va yarimo'tkazgich materialli tomonidan qayta yutiladi.
Fizika kursidan ma'lumki, ikki muhit chegarasidan o‘tayotgan nurlar konusini cheklovchi kritik fazoviy burchak quyidagi muno- sabat bilan aniqlanadi:
bunda n, va n2 - tegishli muhitlarning sindirish ko‘rsatkichlari. GaAs va havo o‘rtasidagi chegara burchak dwr taxminan 16° ga teng va bu konusga nurlanayotgan yorug‘likning atigi 3,9% tushadi. Bundan tashqari, bu yorug‘likning 35 foizi odatdagi Frenel qaytishiga duchor bo‘ladi. Natijada havoga nurlanishning eng ko‘pi bilan 2,6 foizi chiqadi. Bunda tashqariga chiqqan nurlanish taxminan kosinus qonuni bo‘yicha taqsimlanadi.
Aktiv (ishchi) sohada generatsiyalangan nurlanishning tashqi muhitga chiqishini oshirish va uning yo‘nalganlik diagrammasini yaxshilash uchun yorug‘lik diodini tayyorlash chog'ida unga u yoki bu ko‘rinishdagi shakl beriladi.
ana shunday konstruktiv yechimlardan uch xili keltirilgan.
Agar p-n o‘tish radiusining yarimsfera radiusiga nisbati sin0kr dan oshmasa, yarimsfera sirtiga yetib borgan barcha yorug‘lik unga o‘tkazilgan perpendikulyar bilan €k, ga nisbatan kichik burchak hosil qiladi va kristalldan tashqariga chiqishi mumkin. Natijada yorug‘lik diodining tashqi kvant samaradorligi taxminan 10 — 20 martagacha ortib, tashqariga chiqqan nurlanish barcha yo'nalishlar bo‘yicha bir xil intensivlik bilan tarqaladi.
|
| |
