• murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi
    		•

    BMI ning maqsadi va vazifasi




    Download 1.71 Mb.
    bet2/17
    Sana04.06.2023
    Hajmi1.71 Mb.
    #69680
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   17
    Bog'liq
    Multisim modellashtirish dasturi
    Diyonat, Odil Yoqubov, 2 5285530494128101228, Shalola-shodmonova-dasturlash, hffpN0EruKkAOHdWjgmWesI50OHSYnlFNJkkg5Tm, Ma\'lumotlar bazasini boshqarish sistemasi (A.Sattorov), b41d5475c6b85e36a24e18d9ca246ed2 Qiziqarli matematika va olimpiada masalalari, Сердобольская Чуличков Пособие Теорвер, suv test, Multimedia tarmoqlari, 1678635060 (1), Vino kislotasi, ATT Kurs mavzulari, Rustam, Презентация Microsoft PowerPoint kons
    BMI ning maqsadi va vazifasi. Hozirgi kunda elektronika sohasi shu darajada rivojlandiki, har bir elektron jihozlarimiz borki hammasida ishlatiladi. Ularni o’rganish uchun juda ko’plab dasturlar ishlab chiqilgan. Shu jumladan Multisim dasturini ham misol qilsak bo`ladi. Zamonaviy elektron uskunalarni ishlab chiqishda, bajarilgan ishlarning murakkabligi va hajmiga qarab, kompyuterni ishlab chiqish usulisiz amalga oshirish mumkin emas.Yuqoridagi masalalarni hisobga olgan holda ushbu bitiruv malakaviy ishining maqsadi sifatida Gibrid integral mikrosxemalarni Multisim dasturida yig`ishni olishimiz mumkin.
    Integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi.100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan IMSlar kichik integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlarga kiradi. O‘rta darajali ISlar 102, katta ISlar 102105, o‘ta katta ISlar 105107 va ultra katta IS lar107 darajadan ortiq ventillardan tashkil topadi.Ikki xil turdagi IS lar tayyorlanadi:
    -yarim o‘tkazgich kristalining mikrosohalariga lokal ishlov berib, bironta element funksiyasini bajaradigan holatga keltiriladi va bu sohalarni uzaro ulanishlarini xosil qilinadi (yarim o‘tkazgichli IS lar).
    -bironta dielektrik taglikka turli materiallarning yupqa qatlamlaridan iborat elementlar va ularning ulanishlari hosil qilinadi (yupqa qatlamli IS lar).
    Bu ikki usulning qo‘shilishidan gibrid IS lar xosil kilindi (GIS).
    GIS larda yupka katlamli elementlar passiv elementlar (rezistorlar,kondensatorlar) bulib,aktiv elementlar mikroulchamli yarimutkazgichli aktiv elementlar (tranzistor,diod va ularning yigindilari).
    Integral mikrosxema (IMS) tayyorlashda tehnologiya bo’yicha ikki yo’nalish farqlanqdi: yarim o’tkazgichli va gibrid (IMS) li. GIS o’z tarkibida plyonkali passiv elementlar va osiladigan faol elementlarga ega va bir qator afzalliklarga ega: passiv elementlarni har qanday qiymatlarini olish imkoniyatiga, parametrlarni haroratga kam darajada bog’liqligi ishlab chiqarishni tashkil qilishda uncha katta bo’lmagan harajatga egaligi va platani tayyorlashni oddiyligi. Shu sababli GIS larda kuchaytirgichlarni loyihalash maqsadga muvofiq.


      1. Download 1.71 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   17




    Download 1.71 Mb.